【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示面板，尤其涉及一种触控显示模组及其制备方法、触控显示装置。
技术介绍
1、随着显示技术的不断发展，显示面板已广泛应用于人们的生产和生活中，其中，包括触控功能的显示面板应用更加广泛。但是现有技术中的显示面板仍存在一些需求亟待解决，例如如何更好的保证触控显示面板的触控效果。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种触控显示模组及其制备方法、触控显示装置，通过调整阻抗结构为多层结构，并且调整第一阻抗层的方块电阻大于第二阻抗层的方块电阻，保证触控显示模组的触控灵敏度，保证触控显示模组的触控效果。
2、第一方面，本专利技术实施例提供一种触控显示模组，包括触控显示面板以及依次设置于所述触控显示面板出光侧的阻抗结构和偏光片；
3、所述阻抗结构包括第一阻抗层和第二阻抗层，所述第一阻抗层位于所述第二阻抗层远离所述触控显示面板的一侧，且所述第一阻抗层的方块电阻大于所述第二阻抗层的方块电阻。
4、第二方面，本专利技术实施例提供一种触控显示装置的制备方法，包括：
5、制备触控显示面板；
6、在所述触控显示面板的出光侧制备阻抗结构，所述阻抗结构包括第一阻抗层和第二阻抗层，所述第一阻抗层位于所述第二阻抗层远离所述触控显示面板的一侧，且所述第一阻抗层的方块电阻大于所述第二阻抗层的方块电阻；
7、在所述阻抗结构远离所述触控显示面板的一侧制备偏光片。
8、第三方面，本专利技术实施例提供一种触控显示装置，包括第一方
9、本专利技术实施例提供一种触控显示模组，该触控显示模组包括触控显示面板、阻抗结构和偏光片，阻抗结构和偏光片位于触控显示面板的出光侧的一侧；进一步的，阻抗结构为多层结构，其包括第一阻抗层和第二阻抗层，并且调整第一阻抗层的方块电阻大于第二阻抗层的方块电阻。相比于现有技术中仅有一层阻挡层，因阻抗层与其上膜层发生反应造成阻值下降，无法兼顾触控精度以及静电传导的问题。本专利技术实施例中的第一阻抗层位于触控主体与触控显示模组之间，触控主体和触控显示模组相当于一个电容基板，第一阻抗层可以理解为电容基板中的介电层，若其阻值较小，则导致触控主体与触控显示模组之间的触控信号较弱，影响触摸检测精度；若其阻值较大，则可以保证触控主体与触控显示模组之间的触控信号较强，保证触控显示模组的触控灵敏度，保证触控显示模组的触控效果；并且，方块电阻较大的第一阻抗层位于偏光片与方块较小的第二阻抗层之间，利用第一阻抗层方块电阻大，结构稳定的特点，可以降低或者完全消除第一阻抗层与偏光片发生反应的几率，保证阻抗结构以及偏光片性能稳定。第二阻抗层位于第一阻抗层远离偏光片的一侧，第二阻抗层可以理解为阻抗结构中靠近底部的位置，设置第二阻抗层的阻抗值较小，保证第二阻抗层具备良好的导电性能，通过第二阻抗层可以将第一阻抗层以及偏光片等结构产生的静电电荷进行导出，降低静电对触控显示模组的干扰，保证触控显示模组正常工作。因此通过设置阻抗结构包括方块电阻不同的多层阻抗层，通过设置第一阻抗层的方块电阻大于第二阻抗层的方块电阻，保证兼顾触控精度高以及静电传导效果好的基础上，保证阻抗结构和偏光片结构稳定，进而保证整个触控显示模组结构及功能稳定。
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1.一种触控显示模组，其特征在于，包括触控显示面板以及依次设置于所述触控显示面板出光侧的阻抗结构和偏光片；
2.根据权利要求1所述的触控显示模组，其特征在于，所述第一阻抗层和所述第二阻抗层均包括金属氧化物层；
3.根据权利要求2所述的触控显示模组，其特征在于，所述第一阻抗层的方块电阻R1满足1.0*108Ω≤R1≤1.0*1011Ω；
4.根据权利要求2所述的触控显示模组，其特征在于，所述第一阻抗层的厚度小于所述第二阻抗层的厚度。
5.根据权利要求4所述的触控显示模组，其特征在于，所述第一阻抗层的厚度D1满足2nm≤D1≤12nm；
6.根据权利要求2所述的触控显示模组，其特征在于，所述阻抗结构还包括第三阻抗层，所述第三阻抗层位于所述第一阻抗层与所述第二阻抗层之间且所述第三阻抗层包括金属氧化物层；
7.根据权利要求6所述的触控显示模组，其特征在于，所述第三阻抗层的间隙氧原子多于所述第一阻抗层的间隙氧原子，且少于所述第二阻抗层的间隙氧原子。
8.根据权利要求6所述的触控显示模组，其特征在于，所述第一
9.根据权利要求6所述的触控显示模组，其特征在于，所述第一阻抗层的厚度小于所述第三阻抗层的厚度，所述第三阻抗层的厚度小于所述第二阻抗层的厚度。
10.根据权利要求9所述的触控显示模组，其特征在于，所述第一阻抗层的厚度D1满足2nm≤D1≤7nm；
11.根据权利要求7所述的触控显示模组，其特征在于，所述第三阻抗层的厚度小于所述第一阻抗层的厚度，所述第一阻抗层的厚度小于或者等于所述第二阻抗层的厚度。
12.根据权利要求11所述的触控显示模组，其特征在于，所述第三阻抗层的厚度D3满足2nm≤D3≤4nm；
13.根据权利要求2所述的触控显示模组，其特征在于，所述阻抗结构还包括第四阻抗层，所述第四阻抗层位于所述第一阻抗层和所述第二阻抗层之间且所述第四阻抗层包括缓冲层；
14.根据权利要求13所述的触控显示模组，其特征在于，所述第四阻抗层包括半导体氧化物层。
15.根据权利要求13所述的触控显示模组，其特征在于，所述第四阻抗层的厚度小于或者等于所述第一阻抗层的厚度，所述第一阻抗层的厚度小于所述第二阻抗层的厚度。
16.根据权利要求15所述的触控显示模组，其特征在于，所述第一阻抗层的厚度D1满足2nm≤D1≤10nm；
17.根据权利要求1所述的触控显示模组，其特征在于，所述第一阻抗层包括缓冲层，所述第二阻抗层包括金属氧化物层；
18.根据权利要求17所述的触控显示模组，其特征在于，所述阻抗结构还包括第五阻抗层，所述第五阻抗层位于所述第二阻抗层远离所述偏光片的一侧且所述第五阻抗层包括缓冲层；
19.根据权利要求17所述的触控显示模组，其特征在于，所述第一阻抗层包括半导体氧化物层。
20.根据权利要求18所述的触控显示模组，其特征在于，所述第一阻抗层的厚度小于所述第二阻抗层以及所述第五阻抗层的厚度；
21.根据权利要求20所述的触控显示模组，其特征在于，所述第一阻抗层的厚度D1满足2nm≤D1≤4nm；
22.根据权利要求17所述的触控显示模组，其特征在于，所述触控显示模组还包括第六阻抗层，所述第六阻抗层位于所述第一阻抗层和所述第二阻抗层之间且所述第六阻抗层包括金属氧化物层；
23.根据权利要求22所述的触控显示模组，其特征在于，所述第一阻抗层的厚度小于所述第二阻抗层的厚度，所述第六阻抗层的厚度小于所述第二阻抗层的厚度。
24.根据权利要求23所述的触控显示模组，其特征在于，所述第一阻抗层的厚度D1满足2nm≤D1≤4nm；
25.根据权利要求1所述的触控显示模组，其特征在于，所述阻抗结构包括中心阻抗分部和边缘阻抗分部，所述边缘阻挡分部围绕所述中心阻抗区域；
26.根据权利要求1所述的触控显示模组，其特征在于，所述触控显示模组还包括靠近所述阻抗结构一侧的衬底；
27.一种触控显示装置的制备方法，其特征在于，包括：
28.根据权利要求27所述的制备方法，其特征在于，在所述触控显示面板的出光侧制备阻抗结构，包括：
29.根据权利要求28所述的制备方法，其特征在于，在第二成膜气氛下，在所述第二阻抗层远离所述触控显示面板的一侧制备第一阻抗层之前，还包括：
30.根据权利要求27所述的制备方法，其特征在于，在所述触控显示面板的出光侧制备阻...
【技术特征摘要】
1.一种触控显示模组，其特征在于，包括触控显示面板以及依次设置于所述触控显示面板出光侧的阻抗结构和偏光片；
2.根据权利要求1所述的触控显示模组，其特征在于，所述第一阻抗层和所述第二阻抗层均包括金属氧化物层；
3.根据权利要求2所述的触控显示模组，其特征在于，所述第一阻抗层的方块电阻r1满足1.0*108ω≤r1≤1.0*1011ω；
4.根据权利要求2所述的触控显示模组，其特征在于，所述第一阻抗层的厚度小于所述第二阻抗层的厚度。
5.根据权利要求4所述的触控显示模组，其特征在于，所述第一阻抗层的厚度d1满足2nm≤d1≤12nm；
6.根据权利要求2所述的触控显示模组，其特征在于，所述阻抗结构还包括第三阻抗层，所述第三阻抗层位于所述第一阻抗层与所述第二阻抗层之间且所述第三阻抗层包括金属氧化物层；
7.根据权利要求6所述的触控显示模组，其特征在于，所述第三阻抗层的间隙氧原子多于所述第一阻抗层的间隙氧原子，且少于所述第二阻抗层的间隙氧原子。
8.根据权利要求6所述的触控显示模组，其特征在于，所述第一阻抗层的方块电阻r1满足1.0*1010ω≤r1≤1.0*1011ω；
9.根据权利要求6所述的触控显示模组，其特征在于，所述第一阻抗层的厚度小于所述第三阻抗层的厚度，所述第三阻抗层的厚度小于所述第二阻抗层的厚度。
10.根据权利要求9所述的触控显示模组，其特征在于，所述第一阻抗层的厚度d1满足2nm≤d1≤7nm；
11.根据权利要求7所述的触控显示模组，其特征在于，所述第三阻抗层的厚度小于所述第一阻抗层的厚度，所述第一阻抗层的厚度小于或者等于所述第二阻抗层的厚度。
12.根据权利要求11所述的触控显示模组，其特征在于，所述第三阻抗层的厚度d3满足2nm≤d3≤4nm；
13.根据权利要求2所述的触控显示模组，其特征在于，所述阻抗结构还包括第四阻抗层，所述第四阻抗层位于所述第一阻抗层和所述第二阻抗层之间且所述第四阻抗层包括缓冲层；
14.根据权利要求13所述的触控显示模组，其特征在于，所述第四阻抗层包括半导体氧化物层。
15.根据权利要求13所述的触控显示模组，其特征在于，所述第四阻抗层的厚度小于或者等于所述第一阻抗层的厚度，所述第一阻抗层的厚度小于所述第二阻抗层的厚度。
16.根据权利要求15所述的触控显示模组，其特征在于，所述第一阻抗层的厚度d1满足2nm≤d1≤10nm；
【专利技术属性】
技术研发人员：陈丽虹，方丽婷，吴玲，沈柏平，
申请(专利权)人：厦门天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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