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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的一个方式涉及一种电子设备。本专利技术的一个方式涉及一种具备显示装置的可穿戴电子设备。注意,本专利技术的一个方式不局限于上述。作为本说明书等所公开的本专利技术的一个方式的的例子,可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置、输入输出装置、这些装置的驱动方法或这些装置的制造方法。
技术介绍
1、近年来,适合于虚拟现实(vr:virtual reality)、增强现实(ar:augmentedreality)等用途的hmd(head mounted display)型电子设备已在普及。hmd可以根据用户的头部动作、用户的视线或操作在用户的周围360度的全方位显示影像,因此用户可以得到较高的沉浸感、临场感。
2、hmd具有如下结构,即通过光学构件等放大显示在显示装置上的图像,并且放大的图像被用户看到。此时,有如下担忧:因具有光学构件而导致框体大型化;或者用户易于看到像素而感到很强的颗粒感,所以显示装置需要高清晰化及小型化。例如,专利文献1公开了由于使用能够进行高速驱动的晶体管而具有精细像素的hmd。
3、[先行技术文献]
4、[专利文献]
5、[专利文献1]日本专利申请公开第2000-2856号公报
技术实现思路
1、专利技术所要解决的技术问题
2、hmd型电子设备被要求具有根据用户的头部动作、用户的视线或操作的较高绘图处理能力。当以具有较高绘图处理能力的运算电路驱动实现了高
3、或者,在将用来驱动显示装置的应用处理器等功能电路设置在与显示部重叠的区上的结构中,如果采用实现了高清晰化及小型化的显示装置,绘图处理能力就有可能不足够。
4、本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种实现了低功耗化的电子设备。此外,本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种实现了小型化及轻量化的电子设备。此外,本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种绘图处理能力优异的电子设备。此外,本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种新颖电子设备。
5、注意,这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。注意,本专利技术的一个方式并不需要实现所有上述目的。此外,上述以外的目的是可以从说明书、附图、权利要求书等的记载衍生出来的。
6、解决技术问题的手段
7、本专利技术的一个方式是一种电子设备,包括显示装置、运算部以及视线检测部,显示装置包括功能电路及被分割为多个副显示部的显示部,视线检测部具有检测用户的视线的功能,运算部具有利用视线检测部的检测结果将多个副显示部的每一个分配为第一区域或第二区域的功能,功能电路具有如下功能:使作为第二区域所包括的副显示部的驱动频率的第二驱动频率低于作为第一区域所包括的副显示部的驱动频率的第一驱动频率。
8、第一区域具有与用户的注视点重叠的区。第二区域被设定为第一区域的外侧。第二驱动频率优选为第一驱动频率的1/2以下,更优选为1/5以下。
9、副显示部也可以包括多个像素电路及多个发光元件。显示装置也可以包括多个栅极驱动电路及多个源极驱动电路。例如,多个栅极驱动电路中的一个及多个源极驱动电路中的一个与多个副显示部中的一个电连接。另外,显示装置也可以包括第一层、第一层上的第二层及第二层上的第三层。例如,也可以将多个栅极驱动电路及多个源极驱动电路设置在第一层中,将多个像素电路设置在第二层中,并且将多个发光元件设置在第三层中。
10、另外,像素电路也可以包括第一晶体管、其源极和漏极中的一方与第一晶体管的栅极电连接的第二晶体管以及与第一晶体管的栅极电连接的电容器,第二晶体管的沟道形成区也可以具有氧化物半导体。作为发光元件,例如可以使用有机el元件。
11、另外,电子设备也可以包括具有储存多个副显示部的每一个的图像数据的功能的存储装置。
12、专利技术效果
13、根据本专利技术的一个方式可以提供一种实现了低功耗化的电子设备。此外,根据本专利技术的一个方式可以提供一种实现了小型化及轻量化的电子设备。此外,根据本专利技术的一个方式可以提供一种绘图处理能力优异的电子设备。此外,根据本专利技术的一个方式可以提供一种新颖电子设备。
14、注意,这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。此外,本专利技术的一个方式并不需要具有所有上述效果。此外,可以从说明书、附图、权利要求书等的记载抽取上述以外的效果。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种电子设备,包括:
2.根据权利要求1所述的电子设备,
3.根据权利要求1所述的电子设备,
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子设备,
5.根据权利要求4所述的电子设备,
6.根据权利要求5所述的电子设备,
7.根据权利要求1至3中任一项所述的电子设备,还包括:
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种电子设备,包括:
2.根据权利要求1所述的电子设备,
3.根据权利要求1所述的电子设备,
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电...
【专利技术属性】
技术研发人员:上妻宗广,大贯达也,小林英智,松嵜隆德,冈本佑树,伊藤港,幸村雄介,黑川义元,池田寿雄,乡户宏充,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:
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