【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体生产，具体为一种多线切割用主辊。
技术介绍
1、现有的单晶硅棒在切割成单晶硅片时，普遍采用游离砂浆多线切割和固结金刚线多线切割，其中钢线缠绕并使钢线有序排列的切片辅助设备被称为主辊，硅片的切割厚度主要取决于主辊的槽距。太阳能硅片比较薄，槽距间距有限，采用单条线槽主辊；半导体用硅片厚度多在0.150mm～2mm之间；半导体多线切割挡片厚度在2.0mm～4.0mm；半导体多线切割母合金厚度在4.0～10mm。若硅片越厚，对应的主辊相邻两个槽距越宽，造成主辊浪费，成本增加，且主辊寿命达到后，更换主辊，这样就增加了劳动强度，频繁的更换主辊，会造成主辊主轴与套筒的间隙变大，降低机台使用寿命，而且由于间隙过大，主辊在多线切割带动下，高速运转，易于切割不良，如厚度差异偏大，表面粗糙，台阶，甚至造成切割断片等异常发生；同时，主辊的放置空间增加。
技术实现思路
1、本技术的目的在于提供一种多线切割用主辊，以解决上述背景中现有的单条线槽多线切割用主辊存在寿命低，更换频次高的问题，实现一辊多槽，降低了成本和放置空间。
2、为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
3、一种多线切割用主辊，其特征在于：包括多槽主辊1，所述多槽主辊1的辊面上设有双螺旋凹槽，所述双螺旋凹槽分别为第一凹槽2和第二凹槽3，所述第一凹槽2和第二凹槽3从左至右依次若干排列在多槽主辊1上，所述第一凹槽2和第二凹槽3相互独立。
4、优选的，所述第一凹槽2和第二凹槽3的槽型结构为v型槽，所
5、优选的，所述第一凹槽2的参数有第一凹槽槽距4、第一凹槽深度8和第一凹槽宽度9；所述第二凹槽3的参数有第二凹槽槽距5、第二凹槽深度10和第二凹槽宽度11。
6、优选的，所述第一凹槽槽距4和第二凹槽槽距5相等，在0.600mm～2.400mm。
7、优选的，所述第一凹槽槽距4和第二凹槽槽距5在0.600mm～0.850mm时，v槽型的角度为30～60°，所述第一凹槽槽距4和第二凹槽槽距5大于0.850mm时，v槽型的角度为60～90°。
8、优选的，所述第一凹槽槽距4、第一凹槽深度8和第一凹槽宽度9之间的比例为1.6～2.4∶0.8～1.2∶0.8～1.2；所述第二凹槽槽距5、第二凹槽深度10和第二凹槽宽度11之间的比例为1.6～2.4∶0.8～1.2∶0.8～1.2。
9、优选的，所述第一凹槽深度8和第二凹槽深度10可以相等或不等；所述第一凹槽宽度9和第二凹槽深度10可以相等或不等。
10、优选的，所述第一凹槽2与第二凹槽3之间的间距为第一间距6，所述第二凹槽3与第一凹槽2之间的间距为第二间距7，所述第一间距6和第二间距7可以相等或不等，在0.300mm～2.000mm。
11、优选的，所述第一间距6和第二间距7分别在第二凹槽3的左侧和右侧，或者，所述第一间距6和第二间距7分别在第一凹槽2的右侧和左侧。
12、优选的，将待刻槽主辊1安装于刻槽机上，安装固定好双排刀头，调节刻槽参数，将双排刀头移动至主辊1左侧，从左至右依次运行刻槽。
13、优选的，所述刻槽主辊1辊面跳动在0.002mm～0.006mm。
14、优选的，当槽距大于0.850mm时，可直接刻槽或间隔一定数量的小槽距，所述间隔一定数量的小槽距，槽距计算取已有小槽距的n倍，即间隔已有小槽距的n-1倍，计算公式如下：
15、d＝nd
16、其中，d—为槽距，d—为小槽距；
17、所述小槽距角度在30～60°范围内。
18、优选的，所述第一凹槽2与第二凹槽3刻槽同步进行，一次刻槽成型。
19、优选的，所述刻槽过程采用5％～8％的水基切削液，切削液与水的配比：1:8～1:20，所述刻槽刀具为单轴双刀头，所述单轴双刀头每个刀头刻槽参数独立可调，所述刻槽单轴双刀头材料为高碳硬质合金钢、或碳化钨钢或金刚石刀头，所述单轴双刀头尺寸精度在0.001mm～0.003mm。
20、优选的，所述本专利技术在安装使用时，第一凹槽2与第二凹槽3任选其一布置钢线线网，所述若首选第一凹槽2，当第一凹槽2的使用寿命达到300h～600h后，使用第二凹槽3，第二凹槽3的使用寿命在300h～600h；所述若第一凹槽2与第二凹槽3任选其一，初次使用，未达到使用寿命，第二次安装使用主辊1时，第一凹槽2与第二凹槽3仍任选其一。
21、与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术的一种多线切割主辊解决了现有的单条线槽多线切割用主辊存在寿命低，更换频次高的问题，实现一辊双槽，降低了成本和放置空间，同时降低了劳动强度，提高了机台使用寿命，进一步降低了单晶硅片的切割不良。
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1.一种多线切割用主辊，其特征在于：包括多槽主辊(1)，所述多槽主辊(1)的辊面上设有双螺旋凹槽，所述双螺旋凹槽分别为第一凹槽(2)和第二凹槽(3)，所述第一凹槽(2)和第二凹槽(3)从左至右依次若干排列在多槽主辊(1)上，所述第一凹槽(2)和第二凹槽(3)相互独立。
2.根据权利要求1所述的一种多线切割用主辊，其特征在于：所述第一凹槽(2)和第二凹槽(3)的槽型结构为V型槽，所述V型槽的角度为30°～90°。
3.根据权利要求1所述的一种多线切割用主辊，其特征在于：所述第一凹槽(2)的参数有第一凹槽槽距(4)、第一凹槽深度(8)和第一凹槽宽度(9)；所述第二凹槽(3)的参数有第二凹槽槽距(5)、第二凹槽深度(10)和第二凹槽宽度(11)。
4.根据权利要求3所述的一种多线切割用主辊，其特征在于：所述第一凹槽槽距(4)和第二凹槽槽距(5)相等，在0.600mm～2.400mm。
5.根据权利要求4所述的一种多线切割用主辊，其特征在于：所述第一凹槽槽距(4)和第二凹槽槽距(5)在0.600mm～0.850mm时，V槽型的角度为30～6
6.根据权利要求3所述的一种多线切割用主辊，其特征在于：所述第一凹槽槽距(4)、第一凹槽深度(8)和第一凹槽宽度(9)之间的比例为1.6～2.4∶0.8～1.2∶0.8～1.2；所述第二凹槽槽距(5)、第二凹槽深度(10)和第二凹槽宽度(11)之间的比例为1.6～2.4∶0.8～1.2∶0.8～1.2。
7.根据权利要求3所述的一种多线切割用主辊，其特征在于：所述第一凹槽深度(8)和第二凹槽深度(10)可以相等或不等；所述第一凹槽宽度(9)和第二凹槽深度(10)可以相等或不等。
8.根据权利要求1所述的一种多线切割用主辊，其特征在于：所述第一凹槽(2)与第二凹槽(3)之间的间距为第一间距(6)，所述第二凹槽(3)与第一凹槽(2)之间的间距为第二间距(7)，所述第一间距(6)和第二间距(7)可以相等或不等，在0.300mm～2.000mm。
9.根据权利要求8所述的一种多线切割用主辊，其特征在于：所述第一间距(6)和第二间距(7)分别在第二凹槽(3)的左侧和右侧，或者，所述第一间距(6)和第二间距(7)分别在第一凹槽(2)的右侧和左侧。
...【技术特征摘要】
1.一种多线切割用主辊，其特征在于：包括多槽主辊(1)，所述多槽主辊(1)的辊面上设有双螺旋凹槽，所述双螺旋凹槽分别为第一凹槽(2)和第二凹槽(3)，所述第一凹槽(2)和第二凹槽(3)从左至右依次若干排列在多槽主辊(1)上，所述第一凹槽(2)和第二凹槽(3)相互独立。
2.根据权利要求1所述的一种多线切割用主辊，其特征在于：所述第一凹槽(2)和第二凹槽(3)的槽型结构为v型槽，所述v型槽的角度为30°～90°。
3.根据权利要求1所述的一种多线切割用主辊，其特征在于：所述第一凹槽(2)的参数有第一凹槽槽距(4)、第一凹槽深度(8)和第一凹槽宽度(9)；所述第二凹槽(3)的参数有第二凹槽槽距(5)、第二凹槽深度(10)和第二凹槽宽度(11)。
4.根据权利要求3所述的一种多线切割用主辊，其特征在于：所述第一凹槽槽距(4)和第二凹槽槽距(5)相等，在0.600mm～2.400mm。
5.根据权利要求4所述的一种多线切割用主辊，其特征在于：所述第一凹槽槽距(4)和第二凹槽槽距(5)在0.600mm～0.850mm时，v槽型的角度为30～60°，所述第一凹槽槽距(4)和第二凹槽槽距(5)大于...
【专利技术属性】
技术研发人员：张翠芸，师伟，曹榛，
申请(专利权)人：西安中晶半导体材料有限公司，
类型：新型
国别省市：
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