热处理方法、热处理装置及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本实施方式的热处理装置包括：激光光源(21)，其产生连续振荡的激光(L1)；光学系统(30)，其具有使激光(L1)沿着第1方向扫描的光扫描器(32)，将激光(L1)向基板(100)引导；光学系统驱动部(40)，其使光学系统(30)移动，以使激光(L1)相对于基板(100)的照射位置变化；以及工作台(10)，其使激光(L1)的所述照射位置移动，通过工作台(10)和光学系统(30)的驱动而使针对基板的照射位置在第2方向及第3方向上移动。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本公开涉及热处理方法、热处理装置及半导体装置的制造方法。

技术介绍

1、专利文献1中公开了用于形成多晶硅薄膜的准分子激光退火装置。在专利文献1中，投影透镜使激光会聚到基板上，使得激光形成线状的照射区域。由此，玻璃基板上的非晶硅膜结晶化而成为多晶硅膜。

2、在专利文献1中，为了仅对半导体薄膜的表层进行热处理而使用脉冲激光光源。脉冲激光的每一脉冲的脉冲峰值高于cw激光。通过照射脉宽为数nsec等的短脉冲激光，从而玻璃基板上的非晶硅层结晶化。通过使用脉冲激光，从而能够仅对硅膜的表面进行加热。因此，能够防止玻璃基板变为其耐热温度以上。此外，能够防止对作为硅膜的基底膜的聚酰亚胺膜、cu膜等的损伤。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本特开2018-64048号

技术实现思路

1、专利技术要解决的课题

2、这种高输出脉冲激光光源由于价格昂贵，因此很难降低装置的部件成本。另一方面，在热处理炉的退火、灯退火等中，加热时间变长。因此，无法将硅膜加热至玻本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置的热处理方法，其特征在于，包含下述步骤：

2.根据权利要求1所述的半导体装置的热处理方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置的热处理方法，其特征在于，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的热处理方法，其特征在于，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的热处理方法，其特征在于，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置的热处理方法，其特征在于，

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置的热处理方法，其特征在于，

8.根据权利要求1～7中任一项...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种半导体装置的热处理方法，其特征在于，包含下述步骤：

2.根据权利要求1所述的半导体装置的热处理方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体装置的热处理方法，其特征在于，

4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的热处理方法，其特征在于，

5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的热处理方法，其特征在于，

6.根据权利要求1～5中任一项所述的半导体装置的热处理方法，其特征在于，

7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体装置的热处理方法，其特征在于，

8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置的热处理方法，其特征在于，

9.一种半导体装置的热处理装置，其特征在于，包括：

10.根据权利要求9所述的半导体装置的热处理装置，其特征在于，

11.根据权利要求9所述的半导体装置的热处理装置，其特征在于，

12.根据权利要求9～11中任一项所述的半导体装置的热处理装置，其特征在于，

13.根据权利要求9～12中任一项所述的半导体装置的热处理装置，其特征在于，

14.根据权利要求9～13中任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：前川泰之，小林直之，
申请(专利权)人：JSW阿克迪纳系统有限公司，
类型：发明
国别省市：