氧化镓颗粒以及用于制造氧化镓颗粒的方法技术

技术编号：40427951 阅读：6 留言：0更新日期：2024-02-20 22:49

本发明专利技术提供含有钼的氧化镓颗粒。本发明专利技术提供一种用于制造所述氧化镓颗粒的方法，包含在钼化合物存在下煅烧镓化合物。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及氧化镓颗粒以及一种用于制造所述氧化镓颗粒的方法。

技术介绍

1、镓氧化物(gallium oxide)(即，氧化镓(gallia))已在广泛范围的应用中使用以及研究，所述应用如激光以及磷光体、发光材料、催化剂、用于半导体结的绝缘阻隔材料、气体传感器、用于太阳能电池的介电涂层以及用于下一代电力装置的材料。

2、举例来说，ptl 1公开了包含熔点为150℃或低于150℃的镓或镓合金细颗粒的粉末，其为低熔点金属粉末，其中氢氧化物和/或氧化物膜形成于细颗粒表面上，使用电炉在空气中在1000℃加热一小时以制造镓氧化物(ga2o3)。

3、引用列表

4、专利文献

5、ptl 1：jp-a-2010-236009

技术实现思路

1、技术难题

2、然而，关于常规氧化镓颗粒以及用于制造氧化镓颗粒的方法的了解受限，且仍存在研究的空间。

3、因此，本专利技术的一个目的为提供具有极佳特性的氧化镓颗粒以及用于制造所述氧化镓颗粒的方法。

4、难题的解决方案

5、本专利技术包含以下方面。

6、[1]氧化镓颗粒，含有钼。

7、[2]根据以上[1]所述的氧化镓颗粒，其中所述钼不均匀地分布于所述氧化镓颗粒的表面层中。

8、[3]根据以上[1]或[2]所述的氧化镓颗粒，其中通过激光衍射/散射方法计算的所述氧化镓颗粒的中值直径(median diameter)d50为0.1μm到1000μm。

9、[4]根据以上[1]至[3]中任一项所述的氧化镓颗粒，其中通过所述氧化镓颗粒的xrf分析测定的相对于所述氧化镓颗粒的100质量％的ga2o3含量(g1)为65质量％到99.95质量％；以及通过所述氧化镓颗粒的xrf分析测定的相对于所述氧化镓颗粒的100质量％的moo3含量(m1)为0.05质量％到20质量％。

10、[5]根据以上[1]至[4]中任一项所述的氧化镓颗粒，其中通过所述氧化镓颗粒的xps表面分析测定的相对于所述氧化镓颗粒的表面层的100质量％的ga2o3含量(g2)为10质量％到98质量％；以及通过所述氧化镓颗粒的xps表面分析测定的相对于所述氧化镓颗粒的表面层的100质量％的moo3含量(m2)为2质量％到40质量％。

11、[6]根据以上[1]至[5]中任一项所述的氧化镓颗粒，其中通过所述氧化镓颗粒的xps表面分析测定的相对于所述氧化镓颗粒的表面层的100质量％的moo3含量(m2)与通过所述氧化镓颗粒的xrf分析测定的相对于所述氧化镓颗粒的100质量％的moo3含量(m1)的表面层不均匀分布比率(m2/m1)为2:80。

12、[7]一种用于制造根据以上[1]至[6]中任一项所述的氧化镓颗粒的方法，包含在钼化合物存在下煅烧镓化合物。

13、[8]根据以上[7]所述的用于制造氧化镓颗粒的方法，其中所述钼化合物为至少一种选自包含以下各项的群组的化合物：三氧化钼、钼酸锂、钼酸钾以及钼酸钠。

14、[9]根据以上[7]或[8]所述的用于制造氧化镓颗粒的方法，其中用于所述煅烧的煅烧温度为800℃到1600℃。

15、本专利技术的有利效果

16、根据本专利技术，有可能提供具有极佳特性的氧化镓颗粒以及用于制造所述氧化镓颗粒的方法。

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【技术保护点】

1.氧化镓颗粒，包括钼。

2.根据权利要求1所述的氧化镓颗粒，其中所述钼不均匀地分布于所述氧化镓颗粒的表面层中。

3.根据权利要求1或2所述的氧化镓颗粒，其中通过激光衍射/散射方法计算的所述氧化镓颗粒的中值直径D50为0.1μm到1000μm。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的氧化镓颗粒，其中

5.根据权利要求1至4中任一项所述的氧化镓颗粒，其中

6.根据权利要求1至5中任一项所述的氧化镓颗粒，其中通过所述氧化镓颗粒的XPS表面分析测定的相对于所述氧化镓颗粒的表面层的100质量％的三氧化钼含量(M2)与通过所述氧化镓颗粒的XRF分析测定的相对于所述氧化镓颗粒的100质量％的三氧化钼含量(M1)的表面层不均匀分布比率(M2/M1)为2到80。

7.一种用于制造如权利要求1至6中任一项所述的氧化镓颗粒的方法，包括在钼化合物存在下煅烧镓化合物。

8.根据权利要求7所述的用于制造氧化镓颗粒的方法，其中所述钼化合物为至少一种选自包含以下各项的群组的化合物：三氧化钼、钼酸锂、钼酸钾以及钼酸钠。