【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体器件，具体涉及一种半导体器件的清洗方法及半导体器件。
技术介绍
1、半导体器件的铜制程后端，涉及到过孔(via)的干法刻蚀，以及随后的清洗。在清洗过程中会使用含氟的清洗剂(比如，市售型号sy9058)，这类清洗剂能够有效的清洗干法刻蚀后的聚合物和颗粒。但是随着清洗时间的增加，比如当清洗超过8h后，后续的晶圆在清洗过程中，会发生聚合物和颗粒清洗不干净，产生清洗不良的问题，因此需要更换新的清洗剂，更换频次越高，成本也越高。
技术实现思路
1、针对上述技术问题，本申请提供一种半导体器件的清洗方法及半导体器件，可以改善现有的清洗剂循环寿命过短需要频繁更换导致成本较高的问题。
2、为解决上述技术问题，第一方面，本申请实施例提供一种半导体器件的清洗方法，用于干刻后对晶圆进行清洗，所述清洗方法包括：
3、控制第一体积的清洗剂循环流动，对晶圆进行清洗，并且每隔第一预设时间向所述清洗剂中添加第二体积的水，其中，所述第二体积v2与所述第一体积v1之间的关系为：v2＝(0...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的清洗方法，用于干刻后对晶圆进行清洗，其特征在于，所述清洗方法包括：
2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述第一预设时间为125～145s。
3.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述控制第一体积的清洗剂循环流动，具体包括：
4.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述对晶圆进行清洗，具体包括：
5.根据权利要求4所述的清洗方法，其特征在于，所述第二预设时间为90～150s。
6.根据权利要求1-5任一项所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗剂包括胺类化合物、有机胺类...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的清洗方法，用于干刻后对晶圆进行清洗，其特征在于，所述清洗方法包括：
2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述第一预设时间为125～145s。
3.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述控制第一体积的清洗剂循环流动，具体包括：
4.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述对晶圆进行清洗，具体包括：
5.根据权利要求4所述的清洗方法，其特征在于，所述第二预设时间为90～150s。
6.根据权利要求1-5任一项所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗剂包括胺类化合物、有机胺类酸盐、双水解铵盐、质子提供...
【专利技术属性】
技术研发人员：欧阳文森，王胜林，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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