System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind()
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及材料制备相关领域,具体是一种富钼型碳化钼电极的制备方法及应用。
技术介绍
1、水电解析氢反应(her)是一种具有广阔前景的能量转换技术,它可以高效地将间歇的电能转化为化学能。使用催化剂可以加速这一反应的进行,进而降低能耗。已有的贵金属催化剂由于其储量低和成本高等原因无法大规模应用。碳化钼凭借其类似于pt的电子结构,优异的稳定性和较强的耐腐蚀性而备受关注。
2、然而目前的碳化钼电极主要面临两个问题,一是其her过程中的吸附氢脱附过程缓慢导致其本征活性不足,二是目前的粉末型碳化钼催化剂,使用时需要将粉末电极粘附于导电基底上,而粘附剂较差的导电性会影响催化剂的性能。且高电流密度下电极的活性相容易脱落。通过优化碳化钼的电子结构可以调节其对氢的吸附能力,同时在导电基底上原位反应生长活性相可以确保活性相和基底之间较强的结合力,进而有效的防止活性位点的脱落。
3、因此,针对以上现状,迫切需要提供一种富钼型碳化钼电极的制备方法及应用,以克服当前实际应用中的不足。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种富钼型碳化钼电极的制备方法及应用,旨在解决上述
技术介绍
中的问题。
2、本专利技术是这样实现的,一种富钼型碳化钼电极的制备方法,该方法包括以下步骤:
3、步骤1:将金属钼片在空气气氛中氧化;
4、步骤2:将氧化后得到的氧化钼片埋覆于碳源中在惰性气氛下碳化;
5、步骤3:将碳化后的样品置于磁控溅射仪溅射一层金属钼
6、步骤4:将溅射后的样品在惰性气氛中进行二次热处理制得成品。
7、作为本专利技术进一步的方案:在步骤1中,氧化温度为400–600℃,氧化时长为2–6h。
8、作为本专利技术进一步的方案:在步骤2中,所述碳源包括双氰胺、三聚氰胺以及尿素。
9、作为本专利技术进一步的方案:在步骤2中,碳化的温度为800–1100℃,碳化时长为2-4h。
10、作为本专利技术进一步的方案:在步骤3中,磁控溅射时长为1-10 min。
11、作为本专利技术进一步的方案:在步骤4中,热处理温度为900-1100℃,热处理时间为1-3h。
12、作为本专利技术进一步的方案:在步骤3中,所述磁控溅射仪的功率为50-100 w。
13、一种根据上述的富钼型碳化钼电极的制备方法制备的富钼型碳化钼电极作为电解水析氢反应的电极材料在电解水析氢反应中的应用。
14、与现有技术相比,本专利技术的有益效果:
15、本专利技术以金属钼片作为原料,通过氧化-碳化-二次碳化的方式制备出了富钼型碳化钼电极,凭借钼/碳化钼异质结构两侧的电子结构优化,形成富钼型碳化钼,削弱碳化钼对“h”的过强吸附;另外,利用原位反应的方式,使活性相与基底之间具有较强的结合力,保证了大电流下的稳定性,本专利技术制备流程简单、成本低、无需粘结剂和导电剂、电极形状尺寸便于调控以及重复性好;本专利技术制备的富钼型碳化钼电极具有优异的析氢活性和优异的电化学稳定性,在1 m koh溶液中,当电流密度为10 ma cm-2、100 ma cm-2以及1000 ma cm-2时,其过电位仅为24.6 mv、126.6 mv以及451.6 mv,并且,在6 m koh中能保持15 天的稳定性。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种富钼型碳化钼电极的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的富钼型碳化钼电极的制备方法,其特征在于,在步骤1中,氧化温度为400–600℃,氧化时长为2–6 h。
3.根据权利要求1所述的富钼型碳化钼电极的制备方法,其特征在于,在步骤2中,所述碳源包括双氰胺、三聚氰胺以及尿素。
4.根据权利要求1所述的富钼型碳化钼电极的制备方法,其特征在于,在步骤2中,碳化的温度为800–1100℃,碳化时长为2-4 h。
5.根据权利要求1所述的富钼型碳化钼电极的制备方法,其特征在于,在步骤3中,磁控溅射时长为1-10 min。
6.根据权利要求1所述的富钼型碳化钼电极的制备方法,其特征在于,在步骤4中,热处理温度为900-1100℃,热处理时间为1-3 h。
7.根据权利要求1所述的富钼型碳化钼电极的制备方法,其特征在于,在步骤3中,所述磁控溅射仪的功率为50-100 W。
8.一种根据权利要求1-7任一项所述的富钼型碳化钼电极的制备方法制备的富钼型碳化钼电极作为电解水析氢反
...【技术特征摘要】
1.一种富钼型碳化钼电极的制备方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的富钼型碳化钼电极的制备方法,其特征在于,在步骤1中,氧化温度为400–600℃,氧化时长为2–6 h。
3.根据权利要求1所述的富钼型碳化钼电极的制备方法,其特征在于,在步骤2中,所述碳源包括双氰胺、三聚氰胺以及尿素。
4.根据权利要求1所述的富钼型碳化钼电极的制备方法,其特征在于,在步骤2中,碳化的温度为800–1100℃,碳化时长为2-4 h。
5.根据权利要求1所述...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。