【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体温控设备领域,具体而言,涉及一种温控系统及其控制方法。
技术介绍
1、半导体温控设备用以为半导体集成电路刻蚀工艺设备提供快速、精准、稳定的温度输出,以保证集成电路的精准制造,是半导体产业上游支撑环节中的重要设备之一。
2、目前,用于控制刻蚀设备工艺腔的温控设备的制冷系统主要采用蒸发器结合电加热器的方式,通过调节pid(proportion integration differentiation,比例积分微分)算法的参数实现温度的控制,一方面蒸发器结合电加热器的方式会造成一定温度损失,从而增加耗功;
3、另一方面,由于pid算法的控制具有一定延迟性,对参数调节的要求十分高,对于大的温度变化很难实时响应,保证供给温度的稳定。
技术实现思路
1、本专利技术的目的包括,例如,提供了一种温控系统及其控制方法,其能够降低负载流出的载冷剂的温度波动范围,提高控温精度。
2、本专利技术的实施例可以这样实现:
3、本专利技术一方面提供了一种
...【技术保护点】
1.一种温控系统,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的温控系统,其特征在于,所述气水换热装置(130)包括气液换热腔(131)和容置于所述气液换热腔(131)内的盘管(132);
3.根据权利要求2所述的温控系统,其特征在于,所述制冷系统(100)包括涡流管(120);
4.根据权利要求3所述的温控系统,其特征在于,所述制冷系统(100)还包括与所述涡流管(120)相连通的喷射器(140),所述喷射器(140)包括热气流进口、冷气流进口和中温中压气体出口;
5.根据权利要求4所述的温控系统,其特征在于,所述制冷系
...【技术特征摘要】
1.一种温控系统,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的温控系统,其特征在于,所述气水换热装置(130)包括气液换热腔(131)和容置于所述气液换热腔(131)内的盘管(132);
3.根据权利要求2所述的温控系统,其特征在于,所述制冷系统(100)包括涡流管(120);
4.根据权利要求3所述的温控系统,其特征在于,所述制冷系统(100)还包括与所述涡流管(120)相连通的喷射器(140),所述喷射器(140)包括热气流进口、冷气流进口和中温中压气体出口;
5.根据权利要求4所述的温控系统,其特征在于,所述制冷系统(100)还包括压缩机(110)、冷凝器(150)和第一电子膨胀阀(160);
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【专利技术属性】
技术研发人员:张伟明,文志程,
申请(专利权)人:上海盛剑半导体科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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