一种高比容低压化成箔制备方法和系统技术方案

本申请提供一种高比容低压化成箔制备方法和系统。所述制备方法包括如下步骤：提供铝箔，所述铝箔具有腐蚀表面层；对所述铝箔进行初级化成处理；在初级化成处理后对所述铝箔进行酸处理。所述制备系统包括依次设置的初级化成槽和酸处理槽；所述初级化成槽用于对铝箔进行初级化成处理；所述酸处理槽用于对初级化成处理后的铝箔进行酸处理。所述高比容低压化成箔制备方法通过在初次化成后进行酸处理，可以对初次化成铝箔表面进行除灰处理，清洁铝箔表面，解决腐蚀孔堵塞问题，提高了产品比容。所提供的高比容低压化成箔制备系统结构简单，便于改造实现，实现高比容低压化成铝箔的高质高效生产。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及化成铝箔制备，具体涉及一种高比容低压化成箔制备方法和系统。

技术介绍

1、随着汽车、电子消费产品等市场的不断发展，铝电解电容器对长寿命和小型化的要求越来越高，因此也对电容器的核心原料铝箔提出了更高要求。

2、因应市场的需求，高比容低压化成铝箔的需求量大幅增加。对于低压化成产出高比容化成箔的制备过程而言，将高纯度铝箔通过电蚀腐蚀对使原箔扩大表面积,提升腐蚀箔电容量的常用的有效手段，而在化成制程上，提升腐蚀箔可化成面积是提升容量增加率的方法之一。

3、目前，提升腐蚀箔可化成面积主要通过改进化成次数、化成液组分或者化成参数控制等方式进行改进，但由于环保节能、生产成本等因素的限制，这类改进方案往往难以得到产业化的落实。

技术实现思路

1、为了克服上述现有技术的缺陷，本申请提供一种高比容低压化成箔制备方法和系统，通过对制备过程进行改进，改善铝箔化成后比容特性散差大的问题,而且可提升化成箔比容,满足客户对高比容化成箔质与量的需求。

2、第一方面，本申请提供一种高比容低压化成箔本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高比容低压化成箔制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的高比容低压化成箔制备方法，其特征在于：所述酸处理的处理液控制温度为（40-70）℃，处理时间为5-20 min。

3.根据权利要求1所述的高比容低压化成箔制备方法，其特征在于：所述酸处理后对所述铝箔依次进行二级化成、三级化成和四级化成处理，所述二级化成、所述三级化成和所述四级化成采用的化成液均为（5-20）mol/L的己二酸铵水溶液。

4.根据权利要求3所述的高比容低压化成箔制备方法，其特征在于：所述初级化成、所述二级化成、所述三级化成和所述四级化成的控制温度为60-...

【技术特征摘要】

1.一种高比容低压化成箔制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的高比容低压化成箔制备方法，其特征在于：所述酸处理的处理液控制温度为（40-70）℃，处理时间为5-20 min。

3.根据权利要求1所述的高比容低压化成箔制备方法，其特征在于：所述酸处理后对所述铝箔依次进行二级化成、三级化成和四级化成处理，所述二级化成、所述三级化成和所述四级化成采用的化成液均为（5-20）mol/l的己二酸铵水溶液。

4.根据权利要求3所述的高比容低压化成箔制备方法，其特征在于：所述初级化成、所述二级化成、所述三级化成和所述四级化成的控制温度为60-85℃。

5.根据权利要求3所述的高比容低压化成箔制备方法，其特征在于：对所述铝箔进行所述二级化成后再对所述铝箔进行第一馈电处理，所述第一馈电处理为将经过所述二级化成后的铝箔置于馈电液中进行补电处理；

6.根据权利要求5所述的高比容低压化成箔制备方法，其特征在于：所述第一馈电处理和所述第二馈电处理的馈电液为（5-15）mo...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚志宏，韦思成，
申请(专利权)人：立敦电子科技惠州有限公司，
类型：发明
国别省市：