【技术实现步骤摘要】
本申请属于数据存储，具体涉及一种数据存储方法、数据存储装置和电子设备。
技术介绍
1、在相关技术中，通用闪存存储器(universal flash storage，ufs)技术从单层单元(single level cell，slc)到多层单元(multi level cell，mlc)，又到三层单元(triplelevel cell，tlc)，再到四层单元(quad level cell，qlc)进行不断演进，使得闪存(nand)在物理上相同的单位面积下，存储的二进制比特(bit)位随之变化为1个、2个、3个、4个，这样，使得演进后的nand在单位面积下能够存储越来越多的数据，在相同容量的情况下演进后的nand的生产成本越来越低。
2、但是，随着单位面积下存储的数据越来越多，在相同的电压阈值情况下，slc nand存储1个bit位来表示0和1，只需要2个档位判断；而mlc nand存储2个bit来区分识别00/01/10/11四种数据，只需要4个档位判别存储数据；依此类推，tlc nand存储3个bit(对应数据为000/0...
【技术保护点】
1.一种数据存储方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一存储空间包括第一存储区域和第二存储区域，所述第一存储区域的单位存储数据量小于所述第二存储区域的单位存储数据量，所述第一存储空间的空闲存储容量为所述第一存储区域的空闲存储容量；
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述第一数据存储至所述第一存储空间的时刻为第一时刻；所述方法还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一存储空间包括至少一个存储区域，所述...
【技术特征摘要】
1.一种数据存储方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一存储空间包括第一存储区域和第二存储区域，所述第一存储区域的单位存储数据量小于所述第二存储区域的单位存储数据量，所述第一存储空间的空闲存储容量为所述第一存储区域的空闲存储容量；
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述第一数据存储至所述第一存储空间的时刻为第一时刻；所述方法还包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一存储空间包括至少一个存储区域，所述第二存储空间包括至少一个存储区域，所述单位存储数据量为每个存储区域的存储数据量；
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一存储空间的存储区域包括以下至少一种：单层单元slc存储区域、多层单元mlc存储区域、三层单元tlc存储区域。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二存储空间的存储区域为多层单元qlc存储区域。
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘磊，
申请(专利权)人：维沃移动通信有限公司，
类型：发明
国别省市：
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