Nb3Sn铜比测量方法、装置、计算机设备和存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术属于超导材料测量技术领域，涉及Nb<subgt;3</subgt;Sn铜比测量方法、装置、计算机设备和存储介质。本发明专利技术提供了一种基于电阻的外稳定型Nb<subgt;3</subgt;Sn超导线铜比的测量方法，获取外稳定型Nb<subgt;3</subgt;Sn超导线的电阻、外稳定基体无氧铜的电阻、无氧铜的电阻率、超导区的电阻、超导区的电阻率、测量长度和外稳定型Nb<subgt;3</subgt;Sn超导线的截面积，确定外稳定型Nb<subgt;3</subgt;Sn超导线的铜比。本发明专利技术解决了现有外稳定型Nb<subgt;3</subgt;Sn超导线铜比测量技术中，存在损坏样品、测试效率低和化学试剂污染等问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于超导材料测量，涉及nb3sn铜比测量方法、装置、计算机设备和存储介质。

技术介绍

1、nb3sn超导线是目前应用最广泛的超导体之一，在大型粒子加速器及超导储能系统(smes)，磁约束核聚变装置(tokamak)等多个领域有着极其广泛的应用。铜比是nb3sn超导线的重要性能指标，在验收时必须准确测量nb3sn超导线的铜比。

2、在复合超导体中，铜与超导体的体积比主要用以计算超导线材的临界电流密度。目前对于nb3sn超导线铜比的测量采用铜质量法，其利用nb3sn超导线中铜可溶解于酸而超导区不溶于于酸的特性，测量样品质量后，将其浸泡在硝酸溶液中使铜溶解，随后测量剩余的超导区的质量，用铜及芯丝的质量分别除以各自密度把质量比转换成体积比。铜质量法存在损坏样品、测试效率低和化学试剂污染等问题。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，解决铜质量法存在损坏样品、测试效率低和化学试剂污染等问题。

2、基于上述目的，本专利技术提供了nb3sn铜比测量方法、装置、计算机设备本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于电阻的外稳定型Nb3Sn超导线铜比的测量方法，所述外稳定型Nb3Sn超导线由外稳定基体无氧铜和超导区构成，所述超导区为钽阻隔层及以内的所有组分，其特征在于，包括：获取外稳定型Nb3Sn超导线的电阻、外稳定基体无氧铜的电阻、无氧铜的电阻率、超导区的电阻、超导区的电阻率、测量长度和外稳定型Nb3Sn超导线的截面积，确定外稳定型Nb3Sn超导线的铜比。

2.根据权利要求1所述的基于电阻的外稳定型Nb3Sn超导线铜比的测量方法，其特征在于，通过公式一确定外稳定型Nb3Sn超导线的铜比；

3.根据权利要求1所述的基于电阻的外稳定型Nb3Sn超导线铜比的测量方法，...

【技术特征摘要】

1.一种基于电阻的外稳定型nb3sn超导线铜比的测量方法，所述外稳定型nb3sn超导线由外稳定基体无氧铜和超导区构成，所述超导区为钽阻隔层及以内的所有组分，其特征在于，包括：获取外稳定型nb3sn超导线的电阻、外稳定基体无氧铜的电阻、无氧铜的电阻率、超导区的电阻、超导区的电阻率、测量长度和外稳定型nb3sn超导线的截面积，确定外稳定型nb3sn超导线的铜比。

2.根据权利要求1所述的基于电阻的外稳定型nb3sn超导线铜比的测量方法，其特征在于，通过公式一确定外稳定型nb3sn超导线的铜比；

3.根据权利要求1所述的基于电阻的外稳定型nb3sn超导线铜比的测量方法，其特征在于，获取外稳定基体无氧铜在第一温度下的电阻率、外稳定基体无氧铜电阻率在第一温度范围下的温度系数和测量时的温度，确定无氧铜的电阻率，所述第一温度在第一温度范围中。

4.根据权利要求1所述的基于电阻的外稳定型nb3sn超导线铜比的测量方法，其特征在于，获取超导区在第二温度下的电阻率、超导区电阻率在第二温度范围下的温度系数和测量时...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭强，王菲菲，王蒙，郭建华，董茂胜，刘彪彪，刘向宏，冯勇，
申请(专利权)人：西安聚能超导线材科技有限公司，
类型：发明
国别省市：