【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电力电子，具体涉及一种高边采样电路及电源系统。
技术介绍
1、在电气领域，相对于低边电流采样，高边电流采样可以检测偶然短路引起的高负载电流，并且不增加接地路径中的电阻。因此，高边电流采样得以广泛的应用。但是，在设计高边电流采样电路时，为了满足采样需求往往会选择高压管，一方面这会使采样电路占用的面积过大，另一方面还会在高压管关断时产生较大的漏电电流。同时，现有技术中高边电流采样电路也并未考虑到在差模电压过大和共模电压跳变时，对采样电路进行保护，防止采样电路发生损害而无法正常工作。
技术实现思路
1、为了解决现有技术中的高边采样电路存在上述多种问题，本专利技术提出一种高边采样电路及电源系统，高边采样电路包括：
2、采样开关模块，包括第一开关单元和第二开关单元，所述第一开关单元导通时第一采样输出端连接第二采样端、第二采样输出端连接第一采样端，所述第二开关单元导通时第一采样输出端连接第一采样端、第二采样输出端连接第二采样端；
3、驱动模块，提供驱动电压以驱动所...
【技术保护点】
1.一种高边采样电路，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的高边采样电路，其特征在于，还包括第二保护模块，用于在所述第一采样端和所述第二采样端之间的共模电压发生跳变时，控制所述驱动电压与所述共模电压成正相关变化。
3.如权利要求1所述的高边采样电路，其特征在于，所述驱动模块包括第一充放电单元和第二充放电单元，所述第一充放电单元的输入端连接所述第一采样端、输出端连接所述第一开关单元的控制端，所述第二充放电单元的输入端连接所述第二采样端、输出端连接所述第二开关单元的控制端。
4.如权利要求1所述的高边采样电路，其特征在于，所述第一保...
【技术特征摘要】
1.一种高边采样电路，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的高边采样电路，其特征在于，还包括第二保护模块，用于在所述第一采样端和所述第二采样端之间的共模电压发生跳变时，控制所述驱动电压与所述共模电压成正相关变化。
3.如权利要求1所述的高边采样电路，其特征在于，所述驱动模块包括第一充放电单元和第二充放电单元，所述第一充放电单元的输入端连接所述第一采样端、输出端连接所述第一开关单元的控制端，所述第二充放电单元的输入端连接所述第二采样端、输出端连接所述第二开关单元的控制端。
4.如权利要求1所述的高边采样电路，其特征在于，所述第一保护模块包括低压选择单元、超压保护单元，所述低压选择单元的输出端连接所述超压保护单元，
5.如权利要求2所述的高边采样电路，其特征在于，所述第二保护模块包括第一跳变保护单元和第二跳变保护单元，
6.如权利要求4所述高边采样电路，其特征在于，所述低压选择单元包括连接所述第一采样端和低压节点的第一选择路径、连接所述第二采样端和低压节点的第二选择路径，所述低压选择单元与所述超压保护单元的连接点为所述低压节点，
7.如权利要求4所述的高边采样电路，其特征在于，所述超压保护单元包括第一驱动路径、第二驱动路径、第一下拉路径和第二下拉路径，所述低压选择单元与所述超压保护单元的连接点为低压节点，
8.如权利要求6所述的高边采样电路，其特征在于，所述第一选择路径包括第一mos管，所述第二选择路径包括第二mos管，所述第一mos管的栅极连接所述第二采样端、漏极连接所述第一采样端、源极连接所述低压节点，所述第二mos管的栅极连接所述第一采样端、漏极连接所述第二采样端、源极连接所述低压节点，所述第一mos管和所述第二mos管为高压管。
9.如权利要求7所述的高边采样电路，其特征在于，所述第一驱动路径包括第三mos管、第一下拉路径包括第五mos管，第二驱动路径包括第四mos管、第二下拉路径包括第六mos管，所述第三mos管的栅极和漏极连接所述第一采样端、源极连接所述低压节点，所述第五mos管的栅极连接所述第三mos管的源极、源极连接所述低压节点、漏极连接所述驱动模块的输出端，所述第四mos管的栅极和漏极连接所述第二采样端、源极连接所述低压节点，所述第六mos管的栅极连接所述第四mos管的源极、源极连接所述低压节点、漏极连接所述驱动模块的输出端，所述第五mos管和所述第六mos管为高压管。
10.如权利要求5所述的高边采样电路，其特征在于，所述第一跳变保护单元包括第七mos管和第八mos管，所述第七mos管中体二极管的正极连接所述第一采样端、负极连接所述驱动模块中第一充放电单元的输出端，所述第八mos...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴浩东，王家辉，
申请(专利权)人：杰华特微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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