【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示，尤其涉及一种显示面板及显示装置。
技术介绍
1、有机半导体材料较无机半导体材料具有制备成本低，可调控性好以及优良的光电性能，有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)在显示、照明等方面的光电器件中的应用方面具有较大潜力。
2、随着平面显示技术的发展，客户对显示器的稳定性要求逐步提升。近年来，oled显示器在全球发展迅猛，oled显示技术也日益精进。随着oled技术能力的提升和工艺的改进，oled显示的应用领域也逐渐在向中、大尺寸拓展。在中、大尺寸oled显示领域，显示器的稳定性要求更高，尤其是在寿命和温度稳定性方面。
3、虽然oled器件在效率和寿命方面有很大的优势，但因为中、大尺寸产品的发热严重、在压缩产品堆叠空间的模组形态下存在较大的散热问题，如果oled器件的高温稳定性不足，极易造成显示器的显示不稳定、显示效果差。
技术实现思路
1、本专利技术实施例提供一种显示面板及显示装置，能够提高发光器件层的高温稳定性，提高显示面板的显示稳定性和显示效果。
2、本专利技术实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括发光器件层，所述发光器件层包括：
3、阳极；
4、第一发光层，设置于所述阳极的一侧；
5、n型电荷生成层，设置于所述第一发光层远离所述阳极的一侧，所述n型电荷生成层包括：电子传输材料和n型掺杂材料；
6、p型电荷生成层，设置于所述n型电荷
7、第二发光层，设置于所述p型电荷生成层远离所述n型电荷生成层的一侧；
8、阴极，设置于所述第二发光层远离所述p型电荷生成层的一侧；
9、其中，所述发光器件层在预设电流密度下具有第一工作电压，所述发光器件层在所述预设电流密度下、以及第一预设温度下工作预设时间后具有第二工作电压，所述第一工作电压和所述第二工作电压的差值的绝对值为a1，a1小于或等于1v，所述第一预设温度大于或等于50℃。
10、在本专利技术的一种实施例中，所述发光器件层在所述预设电流密度下、以及第二预设温度下工作所述预设时间后具有第三工作电压，所述第一工作电压和所述第三工作电压的差值的绝对值为a2，a2小于a1，所述第二预设温度小于50℃。
11、在本专利技术的一种实施例中，所述第二工作电压大于所述第一工作电压，所述第三工作电压大于所述第一工作电压。
12、在本专利技术的一种实施例中，所述预设时间大于0，且小于或等于120h，所述预设电流密度大于或等于5ma/cm2。
13、在本专利技术的一种实施例中，所述第二工作电压与所述第一工作电压之间的差值的绝对值小于或等于0.5v。
14、在本专利技术的一种实施例中，所述第二工作电压与所述第一工作电压的差值的绝对值随所述p型掺杂材料在所述p型电荷生成层中的掺杂浓度的减小而减小。
15、在本专利技术的一种实施例中，所述发光器件层还包括设置于所述阳极和所述第一发光层之间的空穴注入层，所述空穴注入层内分布有第一掺杂材料，所述第一掺杂材料与所述p型掺杂材料不同。
16、在本专利技术的一种实施例中，所述发光器件层还包括设置于所述阳极和所述第一发光层之间的空穴注入层，所述空穴注入层内分布有第一掺杂材料，所述第一掺杂材料与所述p型掺杂材料相同，所述第一掺杂材料在所述空穴注入层中的掺杂浓度与所述p型掺杂材料在所述p型电荷生成层中的掺杂浓度不同。
17、在本专利技术的一种实施例中，所述p型掺杂材料在所述p型电荷生成层中的质量百分比含量大于或等于0.1％，且小于或等于20％。
18、在本专利技术的一种实施例中，所述发光器件层还包括设置于所述p型电荷生成层和所述第二发光层之间的第一空穴传输层，所述p型掺杂材料的最低未占据轨道能级＞-5.5ev，所述第一空穴传输层的材料的最高占据轨道能级＞
19、-6.5ev。
20、在本专利技术的一种实施例中，所述p型掺杂材料的最低未占据轨道能级和所述第一空穴传输层的材料的最高占据轨道能级之间的差值小于1ev。
21、在本专利技术的一种实施例中，所述p型掺杂材料的最红吸收峰波长大于400nm，所述p型掺杂材料的荧光发射峰波长大于500nm。
22、在本专利技术的一种实施例中，所述发光器件层还包括设置于所述n型电荷生成层和所述p型电荷生成层之间的缓冲层，且所述缓冲层的材料包括有机材料、以及金属材料中的至少一种。
23、根据本专利技术的上述目的，本专利技术实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括所述显示面板。
24、本专利技术的有益效果：本专利技术提供的显示面板中，发光器件层在大于或等于50℃的高温、以及预设电流密度下工作预设时间后，其第二工作电压与预设电流密度下的第一工作电压的差值的绝对值小于或等于1v，进而使得发光器件层在高温下具有较好的稳定性，提高了显示面板的稳定性和显示效果。
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1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括发光器件层，所述发光器件层包括：
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件层在所述预设电流密度下、以及第二预设温度下工作所述预设时间后具有第三工作电压，所述第一工作电压和所述第三工作电压的差值的绝对值为a2，a2小于a1，所述第二预设温度小于50℃。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二工作电压大于所述第一工作电压，所述第三工作电压大于所述第一工作电压。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述预设时间大于0，且小于或等于120h，所述预设电流密度大于或等于5mA/cm2。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二工作电压与所述第一工作电压之间的差值的绝对值小于或等于0.5V。
6.根据权利要求1至5任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第二工作电压与所述第一工作电压的差值的绝对值随所述p型掺杂材料在所述p型电荷生成层中的掺杂浓度的减小而减小。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件层
8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件层还包括设置于所述阳极和所述第一发光层之间的空穴注入层，所述空穴注入层内分布有第一掺杂材料，所述第一掺杂材料与所述p型掺杂材料相同，所述第一掺杂材料在所述空穴注入层中的掺杂浓度与所述p型掺杂材料在所述p型电荷生成层中的掺杂浓度不同。
9.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述p型掺杂材料在所述p型电荷生成层中的质量百分比含量大于或等于0.1％，且小于或等于20％。
10.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件层还包括设置于所述p型电荷生成层和所述第二发光层之间的第一空穴传输层，所述p型掺杂材料的最低未占据轨道能级＞-5.5eV，所述第一空穴传输层的材料的最高占据轨道能级＞-6.5eV。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其特征在于，所述p型掺杂材料的最低未占据轨道能级和所述第一空穴传输层的材料的最高占据轨道能级之间的差值小于1eV。
12.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述p型掺杂材料的最红吸收峰波长大于400nm，所述p型掺杂材料的荧光发射峰波长大于500nm。
13.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件层还包括设置于所述n型电荷生成层和所述p型电荷生成层之间的缓冲层，且所述缓冲层的材料包括有机材料、以及金属材料中的至少一种。
14.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求1至13任一项所述的显示面板。
...【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括发光器件层，所述发光器件层包括：
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件层在所述预设电流密度下、以及第二预设温度下工作所述预设时间后具有第三工作电压，所述第一工作电压和所述第三工作电压的差值的绝对值为a2，a2小于a1，所述第二预设温度小于50℃。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第二工作电压大于所述第一工作电压，所述第三工作电压大于所述第一工作电压。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述预设时间大于0，且小于或等于120h，所述预设电流密度大于或等于5ma/cm2。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二工作电压与所述第一工作电压之间的差值的绝对值小于或等于0.5v。
6.根据权利要求1至5任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第二工作电压与所述第一工作电压的差值的绝对值随所述p型掺杂材料在所述p型电荷生成层中的掺杂浓度的减小而减小。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件层还包括设置于所述阳极和所述第一发光层之间的空穴注入层，所述空穴注入层内分布有第一掺杂材料，所述第一掺杂材料与所述p型掺杂材料不同。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件层还包括设置于所述阳极和所述第一发...
【专利技术属性】
技术研发人员：李们在，顾宇，赵决文，吴凯龙，李朝，王俊媛，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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