【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于纳米材料,具体涉及一种高纯度铜纳米线及其制备方法。
技术介绍
1、铜纳米线不仅具有银优良的导电性,由于纳米级别的尺寸效应,还具有优异的透光性和耐曲挠性,且其价格远远低于金和银等贵金属,是制备柔性电子器件理想的电极材料。
2、目前,利用水热还原法合成铜纳米线的方法多采用难溶于水的hda(angew.chem.2011,123,10748-10752)、oda(中国专利cn108695014b)、oa等长链烷基胺为封端剂,吸附在合成的铜纳米线表面的长链烷基胺难以去除,影响铜纳米线的导电性。在现有技术中,通过在水溶剂中加入醇类作为助溶剂来提高铜胺络合物的溶解度(中国专利cn115464133a),其成本相对较高。
3、且在制备铜纳米线的过程中,由于不能控制成核的速率和晶种类型,会产生铜纳米颗粒或纳米立方体等副产物,造成产物的产率降低和团聚。制备的铜纳米线在应用前需要采用正己烷、氯仿等有机溶剂对其进行纯化(multiphase separation or coppernanowires.chem.commu
...【技术保护点】
1.一种高纯度铜纳米线的合成方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的高纯度铜纳米线的合成方法,其特征在于,步骤(1)中,所述混合溶液中,铜离子与十六烷基胺的摩尔比为1:(4~8),铜离子与葡萄糖的摩尔比为1:(2~4)。
3.根据权利要求1所述的高纯度铜纳米线的合成方法,其特征在于,步骤(1)中,所述的铜源为硫酸铜、硝酸铜、氯化铜、醋酸铜、乙酰丙酮铜和羧酸铜中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的高纯度铜纳米线的合成方法,其特征在于,步骤(1)中,搅拌时间为2~5小时。
5.根据权利要求1所述的高纯度
...【技术特征摘要】
1.一种高纯度铜纳米线的合成方法,其特征在于,包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的高纯度铜纳米线的合成方法,其特征在于,步骤(1)中,所述混合溶液中,铜离子与十六烷基胺的摩尔比为1:(4~8),铜离子与葡萄糖的摩尔比为1:(2~4)。
3.根据权利要求1所述的高纯度铜纳米线的合成方法,其特征在于,步骤(1)中,所述的铜源为硫酸铜、硝酸铜、氯化铜、醋酸铜、乙酰丙酮铜和羧酸铜中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的高纯度铜纳米线的合成方法,其特征在于,步骤(1)中,搅拌时间为2~5小时。
5.根据权利要求1所述的高纯度铜纳米线的合成方法,其特征在于,步骤(2)中,所述混合物悬浊液中,十六烷基胺与椰油酰胺...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘健,林晓婷,苏舟,王洁,李美馨,
申请(专利权)人:西安理工大学,
类型:发明
国别省市:
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