LDO电路制造技术

本发明专利技术实施例涉及集成电路领域，公开了一种LDO电路，包括：LDO主体电路与过冲钳位电路。LDO主体电路包括运算放大器，第一NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第一电容、第二电容、第一电阻、第二电阻和第三电阻；过冲钳位电路包括第二NMOS管；第二NMOS管的源极连接第二参考电压，栅极与漏极分别连接于第二电阻的两侧，其中漏极连接于第二电容与第二电阻之间的连接节点；运算放大器的输出端的最大电压大于第二参考电压与第二NMOS管的阈值电压之和。本发明专利技术的LDO电路能够在满足运算放大器低功耗设计的同时，能够极大地减小电路产生的过冲电压，保护电路元件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路领域，特别涉及一种ldo电路。

技术介绍

1、ldo(low dropout regulator，低压差线性稳压器)，具有成本低，噪音低，静态电流小，等突出优点。并且，ldo需要的外接元件也很少，通常只需要一两个旁路电容，因此目前在集成电路领域得到了广泛的应用。

2、但是，由于ldo架构中需要一个较大电容来提供主极点所需电容，且在ldo上电使输出电压达到目标电压的过程中，电容也在不断充电。在输出电压达到目标电压不需要继续升压后，被不断充电的电容由于无法快速回落到正常工作电压，会持续向输出端输出过大电流，导致ldo电路的输出很大的过冲电压。

技术实现思路

1、本专利技术实施方式的目的在于提供一种ldo电路，能够满足运算放大器低功耗设计的同时，能够极大地减小电路产生的过冲电压，保护电路元件。

2、为解决上述技术问题，本专利技术的实施方式提供了一种ldo电路，ldo主体电路与过冲钳位电路；

3、所述ldo主体电路包括运算放大器，第一nmos管、第一pmos管本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种LDO电路，其特征在于，包括：LDO主体电路与过冲钳位电路；

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第二参考电压为由电源出发流经电流镜与第四电阻到地的电流在所述第四电阻上产生的固定电压。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第二参考电压为由电源出发流经电流镜与第三NMOS管到地的电流在所述第三NMOS管的漏极产生的固定电压。

4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第二参考电压为由电源出发流经电流镜与第三PMOS管到地的电流在所述第三PMOS管的源极产生的固定电压。

【技术特征摘要】

1.一种ldo电路，其特征在于，包括：ldo主体电路与过冲钳位电路；

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述第二参考电压为由电源出发流经电流镜与第四电阻到地的电流在所述第四电阻上产生的固定电压。

3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈海峰，张耀国，夏波，聂波，倪瑞铭，赵维强，
申请(专利权)人：基合半导体宁波有限公司，
类型：发明
国别省市：