【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体处理设备，尤其涉及一种半导体处理设备及其气体分配装置和气体调节方法。
技术介绍
1、在半导体处理设备中，包含至少一个反应腔，通过气体管路将来自气体源的反应气体引入反应腔中对基片进行处理。一方面，反应腔上设置多个进气口，来自同一个气体管路的反应气体通过等分限流孔平均分配至不同的进气口，由于等分限流孔存在公差，会导致不同进气口的气体流量产生差异。另一方面，当半导体处理设备包含多个反应腔时，通常多个反应腔共用一个抽气装置，而抽气装置不稳定会导致不同反应腔内的气体流量产生差异。上述两方面均会导致反应腔内气体分布不均匀，影响对基片的处理。
2、这里的陈述仅提供与本专利技术有关的
技术介绍
，而并不必然地构成现有技术。
技术实现思路
1、本专利技术提供一种半导体处理设备及其气体分配装置和气体调节方法，使每个反应腔中的每个进气口的气体流量都达到预期的标准，同时实现了对调节气体分配器前的进气端和任意一个主管路的气流精细调节，消除了反应腔之间的气体流量分布差异，使反应腔中的气体分布更加均衡，令半导体制程的结果更加符合预期效果。
2、为了达到上述目的，本专利技术提供一种气体分配装置，其用于半导体处理设备，所述半导体处理设备包含至少一个反应腔，所述反应腔包含至少两个进气口，所述气体分配装置包含：
3、主气体分配管路，其包含至少一个气体分配器，所述气体分配器的进气端与至少一个主气体源连通，所述气体分配器的出气端通过主管路与所述进气口连通，所述主管路的个数
4、至少两个调节气体分配管路，每个所述调节气体分配管路的进气端连通至调节气体源，每个所述调节气体分配管路包含两个一级分支，其中一个一级分支通过一个第一调节阀门与所述气体分配器的进气端连通，另一个一级分支的出气端包含多个二级分支，每个二级分支分别连通至一个所述主管路，且每个二级分支上设置一个第二调节阀门。
5、一方面，所述主管路的个数等于所述进气口的个数。
6、所述调节气体分配管路的个数等于所述主管路的个数。
7、所述半导体处理设备包含两个反应腔，每个反应腔中均包含两个进气口；
8、所述主气体分配管路包含：两个气体分配器和四个主管路，所述气体分配器的进气端与两个主气体源连通，每个所述气体分配器具有两个出气端，每个所述出气端分别通过一个主管路与每个所述进气口连通；
9、所述气体分配装置包含四个调节气体分配管路，每个所述调节气体分配管路包含四个二级分支。
10、另一方面，所述进气口的个数大于所述主管路的个数，所述主管路至少包含一个主管路分支，每个所述主管路分支对应连通到一个所述进气口。
11、所述气体分配装置还包含：分支调节气体分配管路，每个所述分支调节气体分配管路的进气端连通至调节气体源，每个所述分支调节气体分配管路包含多个进气分支，每个所述进气分支分别连通至一个所述主管路分支，所述分支调节气体分配管路用于微调进气分支的流量。
12、所述半导体处理设备包含两个反应腔，每个反应腔中均包含三个进气口；
13、所述主气体分配管路包含：一个气体分配器和四个主管路，所述气体分配器的进气端与两个主气体源连通，所述气体分配器具有四个出气端，每个所述出气端分别通过一个主管路与至少一个所述进气口连通；
14、所述气体分配装置包含四个调节气体分配管路和两个分支调节气体分配管路，每个所述调节气体分配管路包含四个二级分支，每个所述分支调节气体分配管路包含三个进气分支。
15、所述进气分支上设置一个第三调节阀门。
16、连通至同一个所述主管路的至少两个进气口分别位于所述反应腔的顶壁和侧壁。
17、连通至同一个所述主管路的至少两个进气口同时位于所述反应腔的顶壁。
18、连通至同一个所述主管路的至少两个进气口同时位于所述反应腔的侧壁。
19、本专利技术还提供一种半导体处理设备，包含：至少一个反应腔，所述反应腔包含至少两个进气口；
20、所述的气体分配装置。
21、所述反应腔的个数为一个，至少两个进气口位于同一个反应腔上。
22、所述反应腔的个数为多个，至少两个进气口分别位于同一个反应腔上。
23、所述半导体处理设备还包含抽气装置，两个所述反应腔共用一个所述抽气装置。
24、所述反应腔上的进气口均位于所述反应腔的顶壁。
25、所述反应腔上的进气口均位于所述反应腔的侧壁。
26、所述反应腔上的进气口分别位于所述反应腔的顶壁和侧壁。
27、所述进气口上具有等分限流孔。
28、本专利技术还提供一种利用述的气体分配装置进行的气体调节方法，将一个调节气体分配管路中与所述气体分配器的进气端连通的一级分支上的第一调节阀门开启，同时将另一个调节气体分配管路中与任意一个待调节的主管路连通的二级分支上的第二调节阀门开启，实现了同时对调节气体分配器的进气端和任意一个主管路的气流精细调节。
29、与现有技术相比，本专利技术技术方案至少具有如下有益效果：
30、本专利技术提供一种用于半导体处理设备的气体分配装置，通过相互之间独立设置的调节气体分配管路来微调每一个输送反应气体至反应腔的主管路中的气体流量，同时实现了对调节气体分配器前的进气端和任意一个主管路的气流精细调节，并进一步通过相互之间独立设置的分支调节气体分配管路来微调反应腔上的每一个进气口的气体流量，抵消由于等分限流孔的尺寸公差和共用抽气装置带来的气体流量偏差，从而使每个反应腔中的每个进气口的气体流量都达到预期的标准，消除反应腔之间的气体流量分布差异，使反应腔中的气体分布更加均衡，令半导体制程的结果更加符合预期效果。
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1.一种气体分配装置，其用于半导体处理设备，所述半导体处理设备包含至少一个反应腔，所述反应腔包含至少两个进气口，其特征在于，所述气体分配装置包含：
2.如权利要求1所述的气体分配装置，其特征在于，所述主管路的个数等于所述进气口的个数。
3.如权利要求2所述的气体分配装置，其特征在于，所述调节气体分配管路的个数等于所述主管路的个数。
4.如权利要求3所述的气体分配装置，其特征在于，所述半导体处理设备包含两个反应腔，每个反应腔中均包含两个进气口；
5.如权利要求1所述的气体分配装置，其特征在于，所述进气口的个数大于所述主管路的个数，所述主管路至少包含一个主管路分支，每个所述主管路分支对应连通到一个所述进气口。
6.如权利要求5所述的气体分配装置，其特征在于，所述气体分配装置还包含：分支调节气体分配管路，每个所述分支调节气体分配管路的进气端连通至调节气体源，每个所述分支调节气体分配管路包含多个进气分支，每个所述进气分支分别连通至一个所述主管路分支，所述分支调节气体分配管路用于微调进气分支的流量。
7.如权利要求6所
8.如权利要求7所述的气体分配装置，其特征在于，所述进气分支上设置一个第三调节阀门。
9.如权利要求7所述的气体分配装置，其特征在于，连通至同一个所述主管路的至少两个进气口分别位于所述反应腔的顶壁和侧壁，或者，连通至同一个所述主管路的至少两个进气口同时位于所述反应腔的顶壁，或者，连通至同一个所述主管路的至少两个进气口同时位于所述反应腔的侧壁。
10.一种半导体处理设备，其特征在于，包含：至少一个反应腔，所述反应腔包含至少两个进气口，以及如权利要求1-9中任一项所述的气体分配装置。
11.如权利要求10所述的半导体处理设备，其特征在于，所述反应腔的个数为一个，至少两个进气口位于同一个反应腔上。
12.如权利要求10所述的半导体处理设备，其特征在于，所述反应腔的个数为多个，至少两个进气口分别位于不同的反应腔上。
13.如权利要求12所述的半导体处理设备，其特征在于，所述半导体处理设备还包含抽气装置，两个所述反应腔共用一个所述抽气装置。
14.如权利要求11或12所述的半导体处理设备，其特征在于，所述反应腔上的进气口均位于所述反应腔的顶壁。
15.如权利要求11或12所述的半导体处理设备，其特征在于，所述反应腔上的进气口均位于所述反应腔的侧壁。
16.如权利要求11或12所述的半导体处理设备，其特征在于，所述反应腔上的进气口分别位于所述反应腔的顶壁和侧壁。
17.如权利要求14所述的半导体处理设备，其特征在于，所述进气口上具有等分限流孔。
18.一种利用如权利要求1-9中任一项所述的气体分配装置进行的气体调节方法，其特征在于，包括：将一个调节气体分配管路中与所述气体分配器的进气端连通的一级分支上的第一调节阀门开启；将另一个调节气体分配管路中与任意一个待调节的主管路连通的二级分支上的第二调节阀门开启，实现了同时对调节气体分配器的进气端和任意一个主管路的气流精细调节。
...【技术特征摘要】
1.一种气体分配装置，其用于半导体处理设备，所述半导体处理设备包含至少一个反应腔，所述反应腔包含至少两个进气口，其特征在于，所述气体分配装置包含：
2.如权利要求1所述的气体分配装置，其特征在于，所述主管路的个数等于所述进气口的个数。
3.如权利要求2所述的气体分配装置，其特征在于，所述调节气体分配管路的个数等于所述主管路的个数。
4.如权利要求3所述的气体分配装置，其特征在于，所述半导体处理设备包含两个反应腔，每个反应腔中均包含两个进气口；
5.如权利要求1所述的气体分配装置，其特征在于，所述进气口的个数大于所述主管路的个数，所述主管路至少包含一个主管路分支，每个所述主管路分支对应连通到一个所述进气口。
6.如权利要求5所述的气体分配装置，其特征在于，所述气体分配装置还包含：分支调节气体分配管路，每个所述分支调节气体分配管路的进气端连通至调节气体源，每个所述分支调节气体分配管路包含多个进气分支，每个所述进气分支分别连通至一个所述主管路分支，所述分支调节气体分配管路用于微调进气分支的流量。
7.如权利要求6所述的气体分配装置，其特征在于，所述半导体处理设备包含两个反应腔，每个反应腔中均包含三个进气口；
8.如权利要求7所述的气体分配装置，其特征在于，所述进气分支上设置一个第三调节阀门。
9.如权利要求7所述的气体分配装置，其特征在于，连通至同一个所述主管路的至少两个进气口分别位于所述反应腔的顶壁和侧壁，或者，连通至同一个所述主管路的至少两个进气口同时位于所述反应腔的顶壁，或者，连通至同一...
【专利技术属性】
技术研发人员：连增迪，吴狄，王恒阳，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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