【技术实现步骤摘要】
本技术涉及电子，特别涉及一种驱动电路及开关电源。
技术介绍
1、n沟道mosfet和igbt等开关管的导通特性为栅极与源极的电位差达到其导通阈值，才能实现有效的导通控制。对于电路中的高端开关管，导通后其源极电压会波动，导致栅极电位需要跟随源极电压的波动而波动才能获得栅源电压差为固定电压值的驱动控制信号。目前，针对高端开关管，一般采取的驱动方案为电容自举驱动法。
2、电容自举驱动法通常采用一个具有pwm输出功能的芯片，产生固定频率和占空比的pwm信号，利用电容的充放电特性以及二极管的单向导通特性，通过二极管的导通对电容充电进行自举升压，实现持续的高压驱动，此种方法电路结构简单，其电路原理图请参见图1，其中的驱动模块即为具有pwm输出功能的芯片。
3、从图1可以看出，其中驱动模块的vs引脚连接至mos管q1的源极，即图1中的a节点，该连接为浮地连接，a节点的电压会随电源电压波动，使得mos管q1的栅源电压随a节点的电压变化而变化，为了让mos管q1的栅源电压始终稳定，因此图1中增加了自举二极管d2和自举电容c2，通过...
【技术保护点】
1.一种驱动电路，用于驱动开关电源电路中的开关管，所述开关电源电路为稳压输出的开关电源电路，所述开关电源电路包括一传输功率的电感，所述开关管包括控制端、第一端和第二端，所述开关管在其控制端与第二端的电位差达到一正阈值电压时才导通，所述开关管在所述开关电源电路中位于高端，且其第二端在所述开关电源电路中的连接关系为无法被拉低，其特征在于，所述驱动电路包括：充电绕组、单向导通器件、储能器件和驱动模块；所述单向导通器件包括第一端和第二端，所述单向导通器件导通时电流从其第一端流向第二端；所述驱动模块包括HI引脚、VB引脚、HO引脚和VS引脚，所述HO引脚用于连接所述开关管的控制...
【技术特征摘要】
1.一种驱动电路，用于驱动开关电源电路中的开关管，所述开关电源电路为稳压输出的开关电源电路，所述开关电源电路包括一传输功率的电感，所述开关管包括控制端、第一端和第二端，所述开关管在其控制端与第二端的电位差达到一正阈值电压时才导通，所述开关管在所述开关电源电路中位于高端，且其第二端在所述开关电源电路中的连接关系为无法被拉低，其特征在于，所述驱动电路包括：充电绕组、单向导通器件、储能器件和驱动模块；所述单向导通器件包括第一端和第二端，所述单向导通器件导通时电流从其第一端流向第二端；所述驱动模块包括hi引脚、vb引脚、ho引脚和vs引脚，所述ho引脚用于连接所述开关管的控制端，所述vs引脚用于连接开关管的第二端，所述hi引脚输入的驱动信号为高电平时，所述vb引脚会连接到所述ho引脚；所述充电绕组b端连接所述单向导通器件的第一端，所述单向导通器件的第二端同时连接所述储能器件一端和所述vb引脚，所述储能器件另一端同时连接所述vs引脚和所述充电绕组a端，所述充电绕组通过磁芯与所述电感正激感应耦合。
2.根据权利要求1所述驱动电路，其特征在于：所述单向导通器件为二极管d2，所述二极管d2的阳极为所述单向导通器件的第一端，所述二极管的阴极为所述单向导通器件的第二端；和/或所述储能器件为电容c2。
3.根据权利要求1所述驱动电路，其特征在于：所述驱动电路还包括限流器件，所述限流器件连接在所述充电绕组另一端和所述单向导通器件的第一端之间，或者连接在所述单向导通器件的第一端和所述储能器件另一端与所述vb引脚的连接点之间，所述限流器件用于限制所述储能器件的充电电流。
4.根据权利要求3所述驱动电路，其特征在于：所述限流器件为电阻r1。
5.根据权利要求1所述驱动电路，其特征在于，所述驱动电路还包括驱动电压调节电路，所述驱动电压调节电路一端连接所述vs引脚，所述驱动电压调节电路另一端连接所述vb引脚，用于在所述hi引脚输入的驱动信号为高电平时，调节所述ho引脚与所述vs引脚的电位差。
6.根据权利要求5所述驱动电路，其特征在于：所述驱动电压调节电路包括稳压二极管d3和电容c3，所述稳压二极管d3的阳极和所述电容c3一端连接在一起为所述驱动电压调节...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴佳，吕鑫，
申请(专利权)人：广州金升阳科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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