一种低温混响室及其构建方法技术

一种低温混响室及其构建方法，所述的一种低温混响室，包括四面墙体以及屋顶，所述的墙体的结构为：外部框架层内设置框架层连接构件，外部框架层的后端设置金属内壁，框架层连接构件与金属内壁之间设置放置空腔，所述的放置空腔内设置至少一个液氮气囊，四面墙体内的液氮气囊之间设置连接管；本发明专利技术进行液氮填充，降低混响室内壁金属温度，提高其电导率，增强内壁金属反射性能，减小损耗，从而达到提高归一化场强，增大混响室品质因数，极大的改善了混响室在低频段和高频段处的性能，本发明专利技术的低温混响室在构建峰值场测试环境方面有很大的优势，为混响室技术在电磁兼容领域推广起到重要促进作用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电磁兼容，尤其涉及一种低温混响室及其构建方法

技术介绍

1、近年来，混响室技术以其低成本、高场强、全向多径辐射等优势，在电磁兼容领域以及空口测试领域的应用越来越广泛，也被一些国家标准或行业标准所接受。在电磁兼容领域，受限于峰值场生成技术，混响室内高归一化场强的特点愈发受到重视。很多无法在传统电波暗室中构建的高场强电磁环境，可以在混响室中得到实现；目前，混响室虽然具有较高的归一化场强，能够在较小的输入功率下，在测试区域内产生较高的测试场强。但也存在一些制约混响室技术发展的情况存在，如混响室低频受限，混响室有最低可用频率的限制，进行外部射频电磁环境试验时，标准要求起始频率为10khz，但混响室的最低可用频率大都集中于100mhz-1ghz之间。这就使得利用混响室进行外部射频电磁环境试验时只能进行较高频段的测试，而低于混响室最低可用频率处，则需要在电波暗室或开阔场进行。另一项制约是高频处，混响室内电磁波损耗增大，归一化场强降低，相同的输入功率产生的电场强度会降低数十甚至上百倍，这也使得混响室在高频段26ghz-40ghz进行电磁环境试验时会面临和电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低温混响室，包括四面墙体以及屋顶，其特征在于：所述的墙体的结构为：外部框架层(1)内设置框架层连接构件(2)，外部框架层(1)的后端设置金属内壁(5)，框架层连接构件(2)与金属内壁(5)之间设置放置空腔(3)，所述的放置空腔(3)内设置至少一个液氮气囊(4)，四面墙体内的液氮气囊(4)之间设置连接管。

2.根据权利要求1所述的一种低温混响室，其特征在于：所述的液氮气囊(4)工作时，选择全幅全充、全幅半充、半幅全充、半幅半充其中的一种或一种以上的组合。

3.一种如权1所述的低温混响室的构建方法，其特征在于：

【技术特征摘要】

1.一种低温混响室，包括四面墙体以及屋顶，其特征在于：所述的墙体的结构为：外部框架层(1)内设置框架层连接构件(2)，外部框架层(1)的后端设置金属内壁(5)，框架层连接构件(2)与金属内壁(5)之间设置放置空腔(3)，所述的放置空腔(3)内设置至少一个液氮气囊(4)，四...

【专利技术属性】
技术研发人员：贾锐，郭浩，王川川，耿利飞，李新峰，庞礴，白昊，赵闯，
申请(专利权)人：中国人民解放军六三八九二部队，
类型：发明
国别省市：