【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及数据库，尤其涉及三相智慧用电终端flash历史数据记录的管理方法。
技术介绍
1、mcu开发的很多系统，需要保存历史数据。如环保采集器，油烟采集器，水文采集器等。mcu本身一般没有文件系统，移植文件系统过于庞大，占内存，flash很大，开销大。三相智慧用电终端所以需要开发一套对flash保存历史数据的操作函数，简化对历史数据的保存，查询或删除。
2、但是flash已经写过数据的区域重新写数据必须擦除，而flash的擦除是按块擦除的，即每擦一次就需要写一次数据，因为擦除的时间比较长，从而导致写历史数据的效率降低。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供三相智慧用电终端flash历史数据记录的管理方法，旨在解决现有的历史数据记录效率低的问题。
2、为实现上述目的，本专利技术提供了三相智慧用电终端flash历史数据记录的管理方法，包括以下步骤：
3、存储数据写入储存模块，所述储存模块进行判断，若无空闲位置，则系统模块对管理模块进行读取，得到存储数据结构；
4、基于所述存储数据结构对历史数据进行提取，得到读取数据；
5、将所述读取数据提取至变量空间，得到有效历史数据；
6、基于所述存储数据结构擦除所述有效历史数据中的无效数据的块内所有数据，得到空白存储模块；
7、所述系统模块将所述有效数据和所述存储存数据写入所述空白存储模块，得到存储数据。
8、其中，所述基于所述存储数据结构对
9、系统模块对管理模块定位，得到定位数据；
10、对所述定位数据进行搜索，得到读取数据。
11、其中，所述基于所述存储数据结构擦除所述效历史数据中的无效数据，得到空白存储模块的具体方式为：
12、所述系统模块基于所述存储数据结构对所述效历史数据中的无效数据进行标记，得到标记无效数据；
13、对所述标记无效数据进行删除，得到空白存储模块。
14、其中，所述系统模块的型号为mcu主控制器，管理模块的型号为e2prom模块，所述存储模块的型号为flash模块。
15、其中，所述存储模块的块大小空间为4k空间、8k空间和16k空间中的任意一种。
16、本专利技术的三相智慧用电终端flash历史数据记录的管理方法，存储数据写入储存模块，所述储存模块进行判断，如有空闲位置，直接把数据写入空闲位置，标记有效数据标志flag＝0xfe,写历史记录完成；若无空闲位置，则系统模块对管理模块进行读取，得到存储数据结构；基于所述存储数据结构对历史数据进行提取，得到读取数据；将所述读取数据提取至变量空间，得到有效历史数据；基于所述存储数据结构擦除所述有效历史数据中的无效数据的块内所有数据，得到空白存储模块；所述系统模块将所述有效数据和所述存储存数据写入所述空白存储模块，得到存储数据，采用本方法减少对所述存储模块的擦除次数，同时增加写历史数据的效率，从而解决现有的历史数据记录效率低的问题。
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1.三相智慧用电终端FLASH历史数据记录的管理方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的三相智慧用电终端FLASH历史数据记录的管理方法，其特征在于，
3.如权利要求2所述的三相智慧用电终端FLASH历史数据记录的管理方法，其特征在于，
4.如权利要求3所述的三相智慧用电终端FLASH历史数据记录的管理方法，其特征在于，
5.如权利要求4所述的三相智慧用电终端FLASH历史数据记录的管理方法，其特征在于，
【技术特征摘要】
1.三相智慧用电终端flash历史数据记录的管理方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的三相智慧用电终端flash历史数据记录的管理方法，其特征在于，
3.如权利要求2所述的三相智慧用电终端fla...
【专利技术属性】
技术研发人员：樊森江，张宇，许丰寿，刘惠，李文丹，余转丽，
申请(专利权)人：浙江万胜智能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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