【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子材料领域，特别是涉及一种电子元件的电镀方法以及电子器件。
技术介绍
1、在电子器件制造过程中，对表面贴装器件（smd结构件）等电子器件的镀覆是提高产品耐腐蚀性和导电性的重要步骤。然而，传统的电镀工艺存在一个问题，由于一般器件的焊接工艺要求，其侧边与表面可能有焊料残留，包含但不限于银铜焊料，此类焊料对电镀效果产生影响，有造成起泡与盐雾失效问题的风险。此外表面焊料及其他杂质在高温使用时容易导致产品表面起泡起皮，降低产品质量和可靠性。而采用传统镀镍金工艺难以去除相应的表面脏污以及焊料，同时也难以与器件表面形成较好的结合强度，从而使其在高温下出现起泡和起皮等现象，进而导致表面失效的问题。
2、此外由于电子元件的材质不同，对于其的电镀方式需要采用相互影响较小的方案进行，一般可伐合金材料仅采用酸性或碱性镍进行电镀，但电镀后其表面又可能因为氧化原因造成异色等问题。
3、不仅如此，部分复杂电子器件中各部分为不导通结构，因此由于使用挂具进行电镀后表面容易产生漏镀，需要采用二次电镀，且二次电镀后的电子器件表面仍容易产生如色差等缺陷。
技术实现思路
1、基于此，为了提高含有可伐合金部件的电子元件的电镀后的器件性能，有必要提供一种电子元件的电镀方法以及电子器件。
2、本申请的一实施例提供了一种电子元件的电镀方法，所述电子元件包括至少一个合金部件，所述合金部件包括可伐合金部件，所述电镀方法包括以下步骤：
3、去除氧化物、去除表面焊料、微刻蚀、
4、其中，使用强酸水溶液去除所述氧化物，所述强酸水溶液中的强酸包括硫酸以及盐酸中的一种或两种；
5、依次使用第一清洗液以及第二清洗液去除表面焊料，所述第一清洗液以及所述第二清洗液各自独立地包括过氧化氢硫酸、盐酸以及焊料清洗液中的一种或多种；
6、使用刻蚀液进行微刻蚀，所述刻蚀液包括硫酸以及过硫酸盐中的一种或两种。
7、在其中一个实施例中，所述电子元件包括至少两个不接触的所述合金部件，不接触的所述合金部件间通过导电夹具进行连接。
8、在其中一个实施例中，所述强酸水溶液中强酸的质量百分数为3%~20%。在去除氧化物之前还包括除油的步骤。
9、在其中一个实施例中，所述第一清洗液包括40 g/l ~80g/l的所述焊料清洗液，所述第二清洗液包括质量比为（8~10）：（5~6）的硫酸和盐酸。
10、在其中一个实施例中，所述微刻蚀的温度为35℃~55℃，所述刻蚀液的组成包括质量比为（3~7）: （3~7）的硫酸以及所述过硫酸盐。
11、在其中一个实施例中，所述镀镍之前还包括预镀镍的步骤，所述预镀镍的条件包括：在第一电镀液中、4a/dm2~9a/dm2的电流密度下处理100s~300s，所述第一电镀液包括20g/l~60g/l的氯化镍。
12、在其中一个实施例中，所述镀镍的条件包括：在第二电镀液中、0.5a/dm2~1a/dm2的电流密度下处理200s~400s，所述第二电镀液包括氨基磺酸镍以及硫酸镍中的一种或两种。
13、在其中一个实施例中，所述镀镍之后以及所述镀金之前还包括预镀金的步骤，所述预镀金的条件包括：在第三电镀液中、1a/dm2~10a/dm2的电流密度下处理30s~70s，所述第三电镀液包括0.1g/l~4g/l的氰化亚金以及亚硫酸金盐中的一种或两种。
14、在其中一个实施例中，所述镀金处理包括：在第四电镀液中、0.1a/dm2~4a/dm2的电流密度下处理200s~400s，所述第四电镀液包括1g/l~6g/l的氰化亚金以及亚硫酸金盐中的一种或两种。
15、本申请还提供一种电子器件，包括按照如上述的电镀方法制得的电子元件。
16、本申请的一实施例提供的电子元件的电镀方法，对于含有可伐合金的电子元件针对其存在的焊料残留以及含有的可伐材料设计了相应的电镀工艺，有效提高可伐合金部分的镀覆效果，增强了电子元件表面与镀层的附着力和耐腐蚀性，减少焊料残留对于器件性能的影响，如减少烘烤与盐雾条件下电子元件下的起泡问题。
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1.一种电子元件的电镀方法，其特征在于，所述电子元件包括至少一个合金部件，所述合金部件包括可伐合金部件，所述电镀方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的电子元件的电镀方法，其特征在于，所述电子元件包括至少两个不接触的所述合金部件，不接触的所述合金部件间通过导电夹具进行连接。
3.如权利要求1所述的电子元件的电镀方法，其特征在于，所述强酸水溶液中强酸的质量百分数为3%~20%。
4.如权利要求1所述的电子元件的电镀方法，其特征在于，所述第一清洗液包括40 g/L~80g/L的所述焊料清洗液，所述第二清洗液包括质量比为（8~10）：（5~6）的硫酸和盐酸。
5.如权利要求1所述的电子元件的电镀方法，其特征在于，所述微刻蚀的温度为35℃~55℃，所述刻蚀液的组成包括质量比为（3~7）: （3~7）的硫酸以及所述过硫酸盐。
6.如权利要求1所述的电子元件的电镀方法，其特征在于，所述镀镍之前还包括预镀镍的步骤，所述预镀镍的条件包括：在第一电镀液中、4A/dm2~9A/dm2的电流密度下处理100s~300s，所述第一电镀液包括2
7.如权利要求1所述的电子元件的电镀方法，其特征在于，所述镀镍的条件包括：在第二电镀液中、0.5A/dm2~1A/dm2的电流密度下处理200s~400s，所述第二电镀液包括氨基磺酸镍以及硫酸镍中的一种或两种。
8.如权利要求1所述的电子元件的电镀方法，其特征在于，所述镀镍之后以及所述镀金之前还包括预镀金的步骤，所述预镀金的条件包括：在第三电镀液中、1A/dm2~10A/dm2的电流密度下处理30s~70s，所述第三电镀液包括0.1g/L~4g/L的氰化亚金以及亚硫酸金盐中的一种或两种。
9.如权利要求1~8任一项所述的电子元件的电镀方法，其特征在于，所述镀金处理包括：在第四电镀液中、0.1A/dm2~4A/dm2的电流密度下处理200s~400s，所述第四电镀液包括1g/L~6g/L的氰化亚金以及亚硫酸金盐中的一种或两种。
10.一种电子器件，其特征在于，包括按照如权利要求1~9任一项所述的电镀方法制得的电子元件。
...【技术特征摘要】
1.一种电子元件的电镀方法，其特征在于，所述电子元件包括至少一个合金部件，所述合金部件包括可伐合金部件，所述电镀方法包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的电子元件的电镀方法，其特征在于，所述电子元件包括至少两个不接触的所述合金部件，不接触的所述合金部件间通过导电夹具进行连接。
3.如权利要求1所述的电子元件的电镀方法，其特征在于，所述强酸水溶液中强酸的质量百分数为3%~20%。
4.如权利要求1所述的电子元件的电镀方法，其特征在于，所述第一清洗液包括40 g/l~80g/l的所述焊料清洗液，所述第二清洗液包括质量比为（8~10）：（5~6）的硫酸和盐酸。
5.如权利要求1所述的电子元件的电镀方法，其特征在于，所述微刻蚀的温度为35℃~55℃，所述刻蚀液的组成包括质量比为（3~7）: （3~7）的硫酸以及所述过硫酸盐。
6.如权利要求1所述的电子元件的电镀方法，其特征在于，所述镀镍之前还包括预镀镍的步骤，所述预镀镍的条件包括：在第一电镀液中、4a/dm2~9a/dm2的电流密度下处...
【专利技术属性】
技术研发人员：王骤翼，徐俊，
申请(专利权)人：佛山华智新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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