【技术实现步骤摘要】
本申请涉及光伏，尤其是涉及一种太阳电池的制备方法和太阳电池。
技术介绍
1、在太阳电池的生产过程中，往往需要采用激光刻蚀对硅材料层进行图案化处理，然后通过湿法刻蚀来去除激光刻蚀区域残留的硅材料层。但是，在该生产过程中，激光刻蚀可能会诱导硅材料层的非晶化，降低激光刻蚀区域残留的硅材料层的晶化率，进而导致湿法刻蚀的难度增大，使得湿法刻蚀过程中刻蚀不净的风险增大。
技术实现思路
1、基于此，有必要提供一种太阳电池的制备方法和太阳电池。所述太阳电池的制备方法能够降低湿法刻蚀过程中刻蚀不净的风险。
2、一种太阳电池的制备方法，包括如下步骤：
3、在衬底的表面制备第一硅材料层；
4、对所述第一硅材料层进行激光刻蚀，在所述第一硅材料层上形成刻蚀区域，制备激光刻蚀产品；
5、对所述激光刻蚀产品的所述刻蚀区域进行退火处理，制备退火产品；所述退火产品的所述刻蚀区域的所述第一硅材料层的晶化率大于所述激光刻蚀产品的所述刻蚀区域的所述第一硅材料层的晶化率；
6、对所述退火产品的所述刻蚀区域进行湿法刻蚀。
7、在一些实施方式中，所述退火产品的所述刻蚀区域的所述第一硅材料层的晶化率大于所述激光刻蚀产品的所述刻蚀区域的所述第一硅材料层的晶化率。
8、在一些实施方式中，所述退火产品的所述刻蚀区域的第一硅材料层的晶化率为60％～90％。
9、在一些实施方式中，所述激光刻蚀产品的所述刻蚀区域的第一硅材料层的晶化率为10％～3
10、在一些实施方式中，所述退火处理的温度为400℃～950℃。
11、在一些实施方式中，所述退火处理的时间为5min～30min。
12、在一些实施方式中，所述退火处理采用的氛围气体包括保护性气体和氧气中的至少一种。
13、在一些实施方式中，对所述退火产品的所述刻蚀区域进行湿法刻蚀之前还包括：对所述退火产品的所述刻蚀区域进行酸性刻蚀。
14、在一些实施方式中，所述酸性刻蚀使用第一刻蚀液进行刻蚀；所述第一刻蚀液包括氢氟酸。
15、在一些实施方式中，所述氢氟酸占所述第一刻蚀液的质量百分数为0.01％～2％。
16、在一些实施方式中，所述第一刻蚀液的温度为10℃～50℃。
17、在一些实施方式中，所述酸性刻蚀的时间为5s～120s。
18、在一些实施方式中，所述湿法刻蚀使用第二刻蚀液进行刻蚀；所述第二刻蚀液包括碱性溶质。
19、在一些实施方式中，所述碱性溶质包括氢氧化钾和氢氧化钠中的至少一种。
20、在一些实施方式中，所述碱性溶质占所述第二刻蚀液的质量百分数为2％～50％。
21、在一些实施方式中，所述第二刻蚀液的温度为60℃～90℃。
22、在一些实施方式中，所述湿法刻蚀的时间为100s～700s。
23、在一些实施方式中，所述第一硅材料层包括第一硅基材和掺杂于所述第一硅基材中的第一掺杂元素。
24、在一些实施方式中，所述第一硅材料层中所述第一掺杂元素的掺杂浓度为4×1019/cm3～1×1020/cm3。
25、在一些实施方式中，所述第一掺杂元素包括硼元素；所述激光刻蚀使所述硼元素在所述第一硅材料层表面的掺杂浓度增大；所述退火处理使所述硼元素在所述第一硅材料层表面的掺杂浓度降低。
26、在一些实施方式中，所述第一硅材料层的制备包括：在所述衬底的表面制备第一本征多晶硅层；对所述第一本征多晶硅层进行第一掺杂处理以将所述第一掺杂元素掺杂到所述第一本征多晶硅层。
27、在一些实施方式中，对所述退火产品的所述刻蚀区域进行湿法刻蚀之后还包括：在所述刻蚀区域制备第二硅材料层，所述第二硅材料层包括第二硅基材和掺杂于所述第二硅基材中的第二掺杂元素；所述第二掺杂元素和所述第一掺杂元素的类型相反，所述第二硅材料层和所述第一硅材料层之间存在间隙。
28、在一些实施方式中，所述第二硅材料层中所述第二掺杂元素的浓度为1×1020/cm3～6×1020/cm3。
29、在一些实施方式中，所述第二硅材料层的制备包括：在所述刻蚀区域制备第二本征多晶硅层；对所述第二本征多晶硅层进行第二掺杂处理以将所述第二掺杂元素掺杂到所述第二本征多晶硅层。
30、一种太阳电池，由所述制备方法制备而成。
31、上述太阳电池的制备方法中，在激光刻蚀之后，对激光刻蚀产品的刻蚀区域进行退火处理。通过退火处理可以提高刻蚀区域的第一硅材料层的晶化率，进而可以降低后续湿法刻蚀对刻蚀区域的刻蚀难度，有利于降低湿法刻蚀过程中刻蚀不净的风险。
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1.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述退火产品的所述刻蚀区域的第一硅材料层的晶化率为60％～90％；和/或，
3.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述退火处理的温度为400℃～950℃；和/或，
4.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，对所述退火产品的所述刻蚀区域进行湿法刻蚀之前还包括：
5.根据权利要求4所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述酸性刻蚀使用第一刻蚀液进行刻蚀；所述第一刻蚀液包括氢氟酸。
6.根据权利要求5所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述氢氟酸占所述第一刻蚀液的质量百分数为0.01％～2％；和/或，
7.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述湿法刻蚀使用第二刻蚀液进行刻蚀；所述第二刻蚀液包括碱性溶质。
8.根据权利要求7所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述碱性溶质包括氢氧化钾和氢氧化钠中的至少一种；和/或，
9.根据权利要
10.根据权利要求9所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述第一硅材料层中所述第一掺杂元素的掺杂浓度为4×1019/cm3～1×1020/cm3。
11.根据权利要求10所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述第一掺杂元素包括硼元素；所述激光刻蚀使所述硼元素在所述第一硅材料层表面的掺杂浓度增大；所述退火处理使所述硼元素在所述第一硅材料层表面的掺杂浓度降低。
12.根据权利要求9所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述第一硅材料层的制备包括：
13.根据权利要求9所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，对所述退火产品的所述刻蚀区域进行湿法刻蚀之后还包括：
14.根据权利要求13所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述第二硅材料层中所述第二掺杂元素的浓度为1×1020/cm3～6×1020/cm3。
15.根据权利要求13所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述第二硅材料层的制备包括：
16.一种太阳电池，其特征在于，由权利要求1～15中任一项所述的制备方法制备而成。
...【技术特征摘要】
1.一种太阳电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述退火产品的所述刻蚀区域的第一硅材料层的晶化率为60％～90％；和/或，
3.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述退火处理的温度为400℃～950℃；和/或，
4.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，对所述退火产品的所述刻蚀区域进行湿法刻蚀之前还包括：
5.根据权利要求4所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述酸性刻蚀使用第一刻蚀液进行刻蚀；所述第一刻蚀液包括氢氟酸。
6.根据权利要求5所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述氢氟酸占所述第一刻蚀液的质量百分数为0.01％～2％；和/或，
7.根据权利要求1所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述湿法刻蚀使用第二刻蚀液进行刻蚀；所述第二刻蚀液包括碱性溶质。
8.根据权利要求7所述的太阳电池的制备方法，其特征在于，所述碱性溶质包括氢氧化钾和氢氧化钠中的至少一种；和/或，
9.根据权利要求1～8中任一项所述的太阳电池的制备方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：侯乾坤，邢国强，张鹏，邓明璋，甘芹，孟夏杰，
申请(专利权)人：通威太阳能成都有限公司，
类型：发明
国别省市：
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