【技术实现步骤摘要】
本技术涉及全桥逆变模块，尤其涉及一种高功率的全桥逆变模块。
技术介绍
1、在现有技术中，半桥逆变模块一般直接采用单向开关实现逆变，而在半桥逆变模块的应用当中，半桥逆变模块的体积受到多个单向开关的限制而尺寸恒定，因此在空间受限的场景下应用较为困难，同时单向开关而实现的逆变会引起在逆变器的容错能力和可靠性上稍显不足，因此对于电感电压峰值的降低能力无法得到提升，从而造成开关过程中出现一定的能量损耗和emi噪声。
技术实现思路
1、针对现有技术的不足，本技术提供了一种高功率的全桥逆变模块，解决了传统全桥逆变模块体积大且容易出现一定的能量损耗和emi噪声的技术问题。
2、为解决上述技术问题，本技术提供了如下技术方案：一种高功率的全桥逆变模块，包括：
3、功率半导体模块，所述功率半导体模块由四个相互串并联的功率半导体器件组成；
4、保护模块，所述保护模块用于在直流电源启动或关闭时，防止电流瞬间突增，避免四个功率半导体器件受损或击穿；
5、控制模块，所述控制模块用于分别控制四个功率半导体器件的导通和截止状态以实现对电路的准确控制；
6、驱动模块，所述驱动模块用于控制和驱动四个功率半导体器件；
7、散热器，所述散热器用于对四个功率半导体器件进行散热。
8、进一步地，所述功率半导体器件为igbt开关管。
9、进一步地，所述功率半导体器件为mosfet开关管。
10、进一步地，所述驱动模块的数量
11、进一步地，所述功率半导体模块包括依次串联的电容c1、功率半导体器件q3和功率半导体器件q4，在功率半导体器件q3的发射极和功率半导体器件q4的集电极之间并联有相互串联的功率半导体器件q2和功率半导体器件q1，在功率半导体器件q1的发射极和功率半导体器件q3的集电极之间并联有电阻r1。
12、借由上述技术方案，本技术提供了一种高功率的全桥逆变模块，至少具备以下有益效果：
13、1、本技术具有更高的功率密度，体积更小，更适合在空间受限的电路中应用。其次，它采用了多电平逆变技术，使得输出波形更加接近正弦波，减小了谐波含量，能有效地降低电网电压谐波污染，同时也减少了电机的损耗和噪声。此外，全桥逆变模块具有更好的动态响应特性，能对负载变化更快速地响应，从而提高了电路的可靠性和稳定性。
14、2、本技术所提供的全桥逆变模块采用了四个开关管，利用它们的交替开关实现输出电压的正反向切换，从而实现逆变。这种设计不仅增加了逆变器的容错能力和可靠性，而且还可以实现多电平逆变控制，使输出波形更加接近正弦波。同时，由于全桥逆变模块采用了交替开关，可以降低电感电压峰值，并减缓开关速度，从而减小开关过程中的能量损耗和emi噪声。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种高功率的全桥逆变模块，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种高功率的全桥逆变模块，其特征在于：所述功率半导体器件为IGBT开关管。
3.根据权利要求1所述的一种高功率的全桥逆变模块，其特征在于：所述功率半导体器件为MOSFET开关管。
4.根据权利要求1所述的一种高功率的全桥逆变模块，其特征在于：所述驱动模块(4)的数量为四个，四个驱动模块(4)分别用于驱动四个IGBT开关管或MOSFET开关管。
5.根据权利要求1所述的一种高功率的全桥逆变模块，其特征在于：所述功率半导体模块(1)包括依次串联的电容C1、功率半导体器件Q3和功率半导体器件Q4，在功率半导体器件Q3的发射极和功率半导体器件Q4的集电极之间并联有相互串联的功率半导体器件Q2和功率半导体器件Q1，在功率半导体器件Q1的发射极和功率半导体器件Q3的集电极之间并联有电阻R1。
【技术特征摘要】
1.一种高功率的全桥逆变模块，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种高功率的全桥逆变模块，其特征在于：所述功率半导体器件为igbt开关管。
3.根据权利要求1所述的一种高功率的全桥逆变模块，其特征在于：所述功率半导体器件为mosfet开关管。
4.根据权利要求1所述的一种高功率的全桥逆变模块，其特征在于：所述驱动模块(4)的数量为四个，四个驱动模块(4)分别...
【专利技术属性】
技术研发人员：戴勇军，刘澳澳，胡文平，徐井雄，
申请(专利权)人：武汉智瑞捷电气技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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