【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，具体而言，本申请涉及一种显示装置及其制造方法。
技术介绍
1、qd-oled显示装置(量子点显示装置)具有纯净色彩、更广色域、宽视角、超高对比度、快响应速度的高质量特性。因此，qd-oled显示装置备受关注。
2、相关技术中，qd-oled显示装置通常包括发光元件和量子点色转换层，其中，发光元件可以为boled(蓝色光源)，量子点色转换层将部分boled发出的蓝光分别转换成红色和绿色，即可实现全彩显示。受制于boled的效率问题，量子点色转换层的光转换效率较低，导致qd-oled显示装置色域较差。
技术实现思路
1、本申请针对现有方式的缺点，提出一种显示装置及其制造方法，用以解决现有技术存在的发光元件所发出的光线的利用率较低，导致显示装置的光转换效率较低，显示装置的色域较差的技术问题。
2、第一个方面，本申请实施例提供了一种显示装置，包括：第一基板，包括层叠设置的发光层和光散射层，所述发光层包括至少一个发光元件，所述光散射层包括设置于所述发光元件的出光侧的多个凸起结构、以及覆盖所述凸起结构的覆盖层，所述覆盖层的材料的折射率大于所述凸起结构的材料的折射率；第二基板，设置于所述光散射层远离所述发光元件的一侧。
3、第二个方面，本申请实施例提供了一种如上述显示装置的制造方法，包括：在第一基板的发光层的出光侧制备多个凸起结构，所述发光层包括至少一个发光元件；在所述凸起结构远离所述发光层的一侧制备覆盖层，所述覆盖层的材料的折射率大于所述凸起
4、本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：
5、通过在第一基板内设置光散射层，光散射层包括设置于发光元件的出光侧的多个凸起结构、以及覆盖凸起结构的覆盖层，覆盖层的材料的折射率大于凸起结构的材料的折射率，即，通过在发光元件与第二基板之间，增设低折射率的凸起结构和高折射率的覆盖层作为折射率的过渡，避免了第一基板与第二基板之间的折射率差过大、导致光线的透射率较低的问题。
6、并且，沿发光元件发出的光线的传播方向(光路方向)，依次设置的低折射率的凸起结构和高折射率的覆盖层，避免了光线从光密介质到光疏介质过程中发生全反射、而造成的光损耗，提高了发光元件所发出的光线的利用率(光取出的比例)，进而提高显示装置的光转换效率，改善显示装置的色域。
7、本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
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1.一种显示装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述覆盖层的材料的折射率与所述凸起结构的材料的折射率之间的差值范围为0.2-1。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述覆盖层的材料为金属氧化物；
4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述覆盖层的材料为氧化铝，氧化镁，氧化锌，氧化锆，二氧化钛，氧化铟锌或氧化铝锌中的任一者或其任意组合。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，任意相邻两个所述凸起结构的间距范围为10纳米至200纳米；
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第二基板包括阻挡层、以及设置于所述阻挡层远离所述第一基板一侧的量子点色转换层；
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述填充层的材料的折射率与所述阻挡层的材料的折射率之间的差值为0.01-0.3；
8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第二基板包括阻挡层、以及设置于所述阻挡层远离所述第一基板一侧的量子点色转换层，以及设置于所述阻挡层和所
9.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述凸透镜的半径范围为20微米至100微米；
10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一基板还包括设置于所述发光层远离所述光散射层一侧的薄膜晶体管层，所述发光层用于发出第三颜色光；
11.一种如权利要求1至10中任一所述显示装置的制造方法，其特征在于，包括：
12.根据权利要求11所述的显示装置的制造方法，其特征在于，所述将所述第二基板贴合于所述覆盖层上，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种显示装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述覆盖层的材料的折射率与所述凸起结构的材料的折射率之间的差值范围为0.2-1。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述覆盖层的材料为金属氧化物；
4.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述覆盖层的材料为氧化铝，氧化镁，氧化锌，氧化锆，二氧化钛，氧化铟锌或氧化铝锌中的任一者或其任意组合。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，任意相邻两个所述凸起结构的间距范围为10纳米至200纳米；
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第二基板包括阻挡层、以及设置于所述阻挡层远离所述第一基板一侧的量子点色转换层；
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙孟娜，闫华杰，张娟，康亮亮，焦志强，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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