System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 复合铜箔制备方法和复合铜箔技术_技高网

复合铜箔制备方法和复合铜箔技术

技术编号:40360479 阅读:5 留言:0更新日期:2024-02-09 14:47
本申请提供了一种复合铜箔制备方法和复合铜箔。其中,所述复合铜箔制备方法包括:提供基材,所述基材包括正表面、以及连接所述正表面的侧表面;在所述基材的侧表面设置稳定层,其中,所述稳定层的膨胀系数小于所述基材的膨胀系数;在所述基材的正表面至少部分区域设置铜层;去除所述基材的侧表面的所述稳定层。本申请的技术方案能够减少基材的受热变形,保证复合铜箔的性能能够达到使用要求。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及复合铜箔制备,特别涉及一种复合铜箔制备方法和复合铜箔


技术介绍

1、在电池的制作中,可以通过复合铜箔替代铜箔作为电池的负极集流体,从而减少金属铜的使用量。而制作复合铜箔时,通常采用磁控溅射的工艺,这其中涉及较高的温度,复合铜箔的基材在镀膜过程中会受热变形,尤其是在边缘位置。高温容易使基材的边缘褶皱,这容易导致在镀膜时金属铜的沉积厚度不均匀,导致复合铜箔的性能达不到使用要求。


技术实现思路

1、本申请的一个目的在于提供一种复合铜箔制备方法和复合铜箔,能够减少基材的受热变形,保证复合铜箔的性能能够达到使用要求。

2、根据本申请的一个方面,本申请提供一种复合铜箔制备方法,所述复合铜箔制备方法包括:

3、提供基材,所述基材包括正表面、以及连接所述正表面的侧表面;

4、在所述基材的侧表面设置稳定层,其中,所述稳定层的膨胀系数小于所述基材的膨胀系数;

5、在所述基材的正表面至少部分区域设置铜层;

6、去除所述基材的侧表面的所述稳定层。

7、在其中一个方面,所述基材面向所述稳定层的侧表面为第一表面,所述稳定层面向所述基材的表面为第二表面,所述第一表面和所述第二表面为平面。

8、在其中一个方面,所述基材面向所述稳定层的侧表面设置若干第一凸起部,所述稳定层面向所述基材的表面设置若干第二凸起部,相邻的所述第一凸起部之间设置空位,所述第二凸起部嵌设于所述空位中。

9、在其中一个方面,所述在所述基材的侧表面设置稳定层的步骤,包括:

10、在所述基材的侧表面粘贴所述稳定层。

11、在其中一个方面,所述在所述基材的侧表面粘贴所述稳定层的步骤,包括:

12、将所述稳定层环绕所述基材粘贴设置。

13、在其中一个方面,所述基材的正表面还包括镀膜区和裁切区,所述镀膜区位于所述基材的中间,所述裁切区位于所述基材的边缘;

14、所述在所述基材的正表面至少部分区域设置铜层的步骤,包括:

15、在所述基材的镀膜区设置铜层;

16、所述去除所述基材的侧表面的所述稳定层的步骤,包括:

17、在所述裁切区内对所述基材进行裁切,以去除所述稳定层和部分所述基材的边缘。

18、在其中一个方面,所述在所述裁切区内对所述基材进行裁切的步骤,包括:

19、在所述裁切区内选定裁切线,依据所述裁切线对所述基材进行裁切,其中,所述裁切线与所述铜层的距离在20-50mm。

20、在其中一个方面,所述稳定层的厚度与所述基材的厚度相同,所述稳定层的宽度在20-50mm之间。

21、在其中一个方面,所述稳定层与所述基材的宽度比例为α,则满足:1/50≤α≤1/20。

22、为了解决上述问题,本申请还提供了一种复合铜箔,所述复合铜箔采用如上文所述的复合铜箔制备方法加工,其中,所述稳定层为聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚苯硫醚或工业化液晶聚合物其中之一。

23、本申请的技术方案中,由于稳定层的膨胀系数小于基材的膨胀系数,稳定层在受热变形时的变化小于基材。通过稳定层设置在基材的侧边,对基材的边缘能够起到稳定的作用,减少受热变形过大,从而减少基材边缘褶皱的情况,进而保证复合铜箔的性能能够达到使用要求。

24、应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的,并不能限制本申请。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种复合铜箔制备方法,其特征在于,所述复合铜箔制备方法包括:

2.根据权利要求1所述的复合铜箔制备方法,其特征在于,所述基材面向所述稳定层的侧表面为第一表面,所述稳定层面向所述基材的表面为第二表面,所述第一表面和所述第二表面为平面。

3.根据权利要求1所述的复合铜箔制备方法,其特征在于,所述基材面向所述稳定层的侧表面设置若干第一凸起部,所述稳定层面向所述基材的表面设置若干第二凸起部,相邻的所述第一凸起部之间设置空位,所述第二凸起部嵌设于所述空位中。

4.根据权利要求2或3所述的复合铜箔制备方法,其特征在于,所述在所述基材的侧表面设置稳定层的步骤,包括:

5.根据权利要求4所述的复合铜箔制备方法,其特征在于,所述在所述基材的侧表面粘贴所述稳定层的步骤,包括:

6.根据权利要求1所述的复合铜箔制备方法,其特征在于,所述基材的正表面还包括镀膜区和裁切区,所述镀膜区位于所述基材的中间,所述裁切区位于所述基材的边缘;

7.根据权利要求6所述的复合铜箔制备方法,其特征在于,所述在所述裁切区内对所述基材进行裁切的步骤,包括:

8.根据权利要求1所述的复合铜箔制备方法,其特征在于,所述稳定层的厚度与所述基材的厚度相同,所述稳定层的宽度在20-50mm之间。

9.根据权利要求1所述的复合铜箔制备方法,其特征在于,所述稳定层与所述基材的宽度比例为α,则满足:1/50≤α≤1/20。

10.一种复合铜箔,其特征在于,所述复合铜箔采用如权利要求1至9中任一项所述的复合铜箔制备方法加工,其中,所述稳定层为聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚苯硫醚或工业化液晶聚合物其中之一。

...

【技术特征摘要】

1.一种复合铜箔制备方法,其特征在于,所述复合铜箔制备方法包括:

2.根据权利要求1所述的复合铜箔制备方法,其特征在于,所述基材面向所述稳定层的侧表面为第一表面,所述稳定层面向所述基材的表面为第二表面,所述第一表面和所述第二表面为平面。

3.根据权利要求1所述的复合铜箔制备方法,其特征在于,所述基材面向所述稳定层的侧表面设置若干第一凸起部,所述稳定层面向所述基材的表面设置若干第二凸起部,相邻的所述第一凸起部之间设置空位,所述第二凸起部嵌设于所述空位中。

4.根据权利要求2或3所述的复合铜箔制备方法,其特征在于,所述在所述基材的侧表面设置稳定层的步骤,包括:

5.根据权利要求4所述的复合铜箔制备方法,其特征在于,所述在所述基材的侧表面粘贴所述稳定层的步骤,包括:

6....

【专利技术属性】
技术研发人员:金汝邓星
申请(专利权)人:深圳惠科新材料股份有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1