System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 显示模组及其制作方法、移动终端技术_技高网

显示模组及其制作方法、移动终端技术

技术编号:40350653 阅读:5 留言:0更新日期:2024-02-09 14:34
本申请公开了一种显示模组及其制作方法、移动终端,该显示模组包括基底、驱动电路层、覆晶薄膜以及信号走线层,驱动电路层设置于基底的一侧,覆晶薄膜设置于基底远离驱动电路层的一侧,信号走线层的一端与驱动电路层连接,信号走线层的另一端与覆晶薄膜连接;其中,信号走线层包括多条扇出走线,扇出走线位于基底远离驱动电路层的一侧,显示模组还包括牺牲层,牺牲层用于吸收和/或反射激光,牺牲层至少位于扇出走线和基底之间,且多条扇出走线在牺牲层上的正投影位于牺牲层内,从而能够省去现有显示模组在制作背面制程前,在基底的正面需增加光阻对驱动电路层进行保护的过程,简化了显示模组的工艺流程。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示领域,特别是涉及一种显示模组及其制作方法、移动终端


技术介绍

1、随着电子技术的发展,如手机、平板电脑等电子设备已经成为人们日常生活和工作中不可或缺的一部分,常规显示模组需通过覆晶薄膜或者柔性电路板绑定(bonding)等模组工艺将显示模组所需驱动信号输入到面内,出于绑定工艺的限制,显示模组设计上通常需要先通过扇出区将面内信号线进行收束,将其集中到一小块绑定区上,再将覆晶薄膜或者柔性电路板绑定在该区域,在玻璃基板的边缘之间形成电性连接区,从而使得边框区宽度通常较大。

2、目前,为了减少边框,在现有显示产品中,常用解决方法是将扇出走线和绑定端子制作在显示模组的基底的背面,上述方法需要在显示模组的基底的正面和背面均设置信号走线,一方面增加了背面绑定制程,导致光罩制程增加,进而增加了制作成本以及制程时间;另一方面,显示装置在制作背面制程前,在基底的正面需增加光阻对显示电路进行保护,以防止在基底远离显示电路的一侧通过镭射雕刻方式制作走线时,激光透过走线而照射至显示电路上,导致显示电路出现划伤现象而发生劣化,同时基底还需进行翻面动作,导致显示模组的制备流程繁琐。


技术实现思路

1、本申请实施例提供了一种显示模组及其制作方法、移动终端,用以缓解相关技术中的不足。

2、为了实现上述效果,本申请提供的技术方案如下:

3、本申请实施例提供一种显示模组,包括:

4、基底;

5、驱动电路层,设置于所述基底的一侧;

>6、覆晶薄膜,设置于所述基底远离所述驱动电路层的一侧;

7、信号走线层,所述信号走线层的一端与所述驱动电路层连接,所述信号走线层的另一端与所述覆晶薄膜连接;

8、其中,所述信号走线层包括多条扇出走线,所述扇出走线位于所述基底远离所述驱动电路层的一侧,所述显示模组还包括牺牲层,所述牺牲层用于吸收和/或反射激光,所述牺牲层至少位于所述扇出走线和所述基底之间,且所述多条扇出走线在所述牺牲层上的正投影位于所述牺牲层内。

9、在本申请实施例所提供的显示模组中,所述牺牲层包括反射层,所述反射层为金属反射层、无机反射层或者有机反射层中的一种,所述反射层用于反射透过所述信号走线层而照射至所述驱动电路层的激光。

10、在本申请实施例所提供的显示模组中,所述牺牲层包括金属反射层和绝缘层,所述金属反射层位于所述绝缘层和所述信号走线层之间,所述金属反射层在所述绝缘层上的正投影位于所述绝缘层内,所述多条扇出走线在所述金属反射层上的正投影位于所述金属反射层内。

11、在本申请实施例所提供的显示模组中,所述信号走线层的厚度大于或等于1000纳米,且小于或等于1500纳米;所述反射层的厚度大于或等于200纳米,且小于或等于400纳米;所述绝缘层的厚度大于或等于500纳米,且小于或等于1000纳米。

12、在本申请实施例所提供的显示模组中,所述牺牲层包括无机反射层,所述无机反射层位于所述基底和所述信号走线层之间;所述多条扇出走线在所述无机反射层上的正投影位于所述无机反射层内。

13、在本申请实施例所提供的显示模组中,所述反射层靠近所述基底的一侧设有粗糙结构,所述粗糙结构的形状为锯齿形、波浪形及凹凸型中的一种或多种。

14、在本申请实施例所提供的显示模组中,所述牺牲层包括相互连接的第一牺牲子层和第二牺牲子层,所述第一牺牲子层位于所述基底远离所述驱动电路层的一侧,所述第二牺牲子层由所述第一牺牲子层的一端向远离所述覆晶薄膜的方向延伸,且所述第二牺牲子层覆盖部分所述基底的侧面。

15、在本申请实施例所提供的显示模组中,所述牺牲层包括吸光层,所述吸光层用于吸收透过所述信号走线层而照射至所述驱动电路层的激光,且所述吸光层对激光的吸收效率大于所述基底对激光的吸收效率。

16、本申请实施例还提供一种显示模组的制作方法,包括以下步骤:

17、提供一基底,在所述基底上形成驱动电路层;

18、在所述基底远离所述驱动电路层的一侧形成牺牲层,所述牺牲层用于吸收和/或反射激光;

19、在所述牺牲层远离所述基底的一侧形成信号走线层,所述信号走线层的一端与所述驱动电路层连接,其中,所述信号走线层包括多条扇出走线,所述扇出走线位于所述基底远离所述驱动电路层的一侧,且所述多条扇出走线在所述牺牲层上的正投影位于所述牺牲层内;

20、提供一覆晶薄膜,所述覆晶薄膜设置于所述基底远离所述驱动电路层的一侧,所述覆晶薄膜与所述信号走线的另一端连接。

21、本申请实施例还提供一种移动终端,所述移动终端包括终端主体和上述任一所述的显示模组,所述终端主体与所述显示模组组合为一体。

22、本申请实施例的有益效果:本申请实施例通过设置所述信号走线层包括多条扇出走线,所述多条扇出走线位于所述基底远离所述驱动电路层的一侧,所述显示模组还包括牺牲层,所述牺牲层至少位于所述多条扇出走线和所述基底之间,且所述多条扇出走线在所述牺牲层上的正投影位于所述牺牲层内,所述牺牲层用于吸收/或反射透过所述扇出走线而照射至所述驱动电路层的激光,以避免在所述基底远离所述驱动电路层的一侧通过镭射雕刻方式制作所述扇出走线时,激光透过所述扇出走线而照射至所述驱动电路层上,导致所述驱动电路层出现划伤现象而发生劣化,进而提高所述显示模组的良率。

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【技术保护点】

1.一种显示模组,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,所述牺牲层包括反射层,所述反射层为金属反射层、无机反射层或者有机反射层中的一种,所述反射层用于反射透过所述信号走线层而照射至所述驱动电路层的激光。

3.根据权利要求2所述的显示模组,其特征在于,所述牺牲层包括金属反射层和绝缘层,所述金属反射层位于所述绝缘层和所述信号走线层之间,所述金属反射层在所述绝缘层上的正投影位于所述绝缘层内,所述多条扇出走线在所述金属反射层上的正投影位于所述金属反射层内。

4.根据权利要求3所述的显示模组,其特征在于,所述信号走线层的厚度大于或等于1000纳米,且小于或等于1500纳米;所述反射层的厚度大于或等于200纳米,且小于或等于400纳米;所述绝缘层的厚度大于或等于500纳米,且小于或等于1000纳米。

5.根据权利要求2所述的显示模组,其特征在于,所述牺牲层包括无机反射层,所述无机反射层位于所述基底和所述信号走线层之间;所述多条扇出走线在所述无机反射层上的正投影位于所述无机反射层内。

6.根据权利要求2所述的显示模组,其特征在于,所述反射层靠近所述基底的一侧设有粗糙结构,所述粗糙结构的形状为锯齿形、波浪形及凹凸型中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,所述牺牲层包括相互连接的第一牺牲子层和第二牺牲子层,所述第一牺牲子层位于所述基底远离所述驱动电路层的一侧,所述第二牺牲子层由所述第一牺牲子层的一端向远离所述覆晶薄膜的方向延伸,且所述第二牺牲子层覆盖部分所述基底的侧面。

8.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,所述牺牲层包括吸光层,所述吸光层用于吸收透过所述信号走线层而照射至所述驱动电路层的激光,且所述吸光层对激光的吸收效率大于所述基底对激光的吸收效率。

9.一种显示模组的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:

10.一种移动终端,其特征在于,所述移动终端包括终端主体和如权利要求1-8中任一权利要求所述的显示模组,所述终端主体与所述显示模组组合为一体。

...

【技术特征摘要】

1.一种显示模组,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的显示模组,其特征在于,所述牺牲层包括反射层,所述反射层为金属反射层、无机反射层或者有机反射层中的一种,所述反射层用于反射透过所述信号走线层而照射至所述驱动电路层的激光。

3.根据权利要求2所述的显示模组,其特征在于,所述牺牲层包括金属反射层和绝缘层,所述金属反射层位于所述绝缘层和所述信号走线层之间,所述金属反射层在所述绝缘层上的正投影位于所述绝缘层内,所述多条扇出走线在所述金属反射层上的正投影位于所述金属反射层内。

4.根据权利要求3所述的显示模组,其特征在于,所述信号走线层的厚度大于或等于1000纳米,且小于或等于1500纳米;所述反射层的厚度大于或等于200纳米,且小于或等于400纳米;所述绝缘层的厚度大于或等于500纳米,且小于或等于1000纳米。

5.根据权利要求2所述的显示模组,其特征在于,所述牺牲层包括无机反射层,所述无机反射层位于所述基底和所述信号走线层之间;所述多条扇出走线在所...

【专利技术属性】
技术研发人员:向昌明赵锐张伟基严尚飞
申请(专利权)人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:

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