同轴电缆屏蔽制造技术

同轴电缆屏蔽，在一个实施例中，一种同轴电缆包括中心导体、绝缘体、带以及护套。带限定了第一和第二边缘部分，每个边缘部分毗接内部部分。第一边缘部分的厚度小于内部部分的厚度。绝缘体包围中心导体。带被缠绕在绝缘体周围以使得第一边缘部分与第二边缘部分重叠。护套包围带。

【技术实现步骤摘要】
同轴电缆屏蔽
技术介绍
典型的同轴电缆包括射频(RF)屏蔽。一通用类型的屏蔽为在高频范围内衰减干 扰电磁场的导电带。首先参考图形1A，公开了现有技术的同轴电缆100。如图IA中公开的那样，同轴 电缆100在两端与连接器150端接，现在参考图1B，现有技术的同轴电缆100通常包括由绝 缘体104包围的中心导体102，带106纵向地缠绕在绝缘体周围，编织物108包围带106，并 且护套110包围编织层108。现在参考图1C，带106包围绝缘体104，并且通常用来限制高频电磁场126进入 到中心导体102以及从中心导体102发出。带106为叠层带，包括第一铝层112、聚合物层 114、第二铝层116以及聚合物粘结剂层118。带106还限定了第一边缘部分120，当带106 围绕绝缘体104的纵向纵向地缠绕时，第一边缘部分120与第二边缘部分124重叠，结果形 成与中心导体102平行延伸的重叠层。继续参考图1C，并且也参考图1D，公开了现有技术的同轴电缆100的带106的普 遍问题。特别地，虽然第一和第二铝层112和116通常在屏蔽频率在一个趋肤深度的频率之 上的高频电磁场126方面是有效的，但是由于聚合物层114和聚合物粘结剂层118由绝缘 体材料形成，所以层114和118在屏蔽电磁场126方面是无效的。结果，来自中心导体102 的一些高频电磁场126，例如大于大约50MHz的电磁场，通过穿过聚合物粘结剂层118的重 叠缝隙128而发出现有技术的同轴电缆100。同样地，虽然第二铝层116通常在屏蔽频率在一个趋肤深度的频率之上的高频电 磁场126方面是有效的，但是来自中心导体102的高频电磁场126的一小部分能穿透第二 铝层116。这导致来自中心导体102的一些高频电磁场126，通过穿过聚合物层114的重叠 缝隙130而发出现有技术的同轴电缆100。这些发出现有技术的同轴电缆100的高频电磁 场126产生对周围电气设备(未示出)有害的干扰。一些来自周围电气设备(未示出)的 高频电磁场也能穿过重叠缝隙128和130进入到现有技术的同轴电缆100，因此对通过中心 导体102的数据信号产生有害的干扰。现在参考图1E，公开了另一种现有技术的同轴电缆100'。同轴电缆100'除了包 括螺旋形缠绕的带106'以外，与同轴电缆100相同。如图IE所公开的那样，带106'也定 义了第一边缘部分，当带106'螺旋地缠绕在绝缘体104周围时，第一边缘部分120与第二 边缘部分重叠，结果形成以螺旋结构围绕绝缘体104的重叠。如同带106，带106'允许一 些高频电磁场通过穿过一个或多个重叠缝隙进入/发出同轴电缆100'。这些高频电磁场 产生对周围电气设备(未示出)和穿过中心导体102的数据信号有害的干扰。
技术实现思路
通常，本专利技术的实施例涉及到同轴电缆屏蔽。一些实施例在制造同轴电缆期间减 少或去掉在带的重叠层处的重叠缝隙。在同轴电缆中，重叠缝隙的这种减少或去除导致干 扰性高频电磁场的屏蔽的均勻性增大。在一个实施例中，同轴电缆包括中心导体、绝缘体、带以及护套。带限定了第一和 第二边缘部分，每个边缘部分毗接内部部分。第一边缘部分的厚度小于内部部分的厚度。绝 缘体包围中心导体。带围绕绝缘体缠绕以使得第一边缘部分与该第二边缘部分重叠。护套 包围带。在另一个实施例中，一种用于制造同轴电缆的方法包括多个步骤。电缆包括带，带 限定了第一和第二边缘部分，每个边缘部分毗接内部部分。首先，第一边缘部分被压缩，以 使得第一边缘部分的厚度小于内部部分的厚度。接着，带(其包围中心导体)纵向地缠绕 在绝缘体周围，以使得第一边缘部分与第二边缘部分重叠。最后，用护套包围带。在再一个实施例中，一种用于制造同轴电缆的方法包括多个步骤。首先，围绕中心 导体挤压成绝缘体。其次，限定了第一和第二边缘部分、各个边缘部分毗接内部部分的带被 加热并穿过一对滚筒以分别压缩第一和第二边缘部分，以使得第一和第二边缘部分的每一 个的厚度都小于内部部分的厚度。然后，带纵向地缠绕在绝缘体周围，以使得第一边缘部分 与该第二边缘部分彼此重叠。接着，用编织物包围带。最后，围绕编织物挤压成护套。此
技术实现思路
用来以简单形式介绍概念的选择，这些概念将在下面详细说明中更进 一步地描述。此
技术实现思路
不是用来确定请求保护主题的主要特征或基本特征，也不是用来 帮助确定请求保护主题的范围。此外，应当理解，前述的一般说明及其后本专利技术的详细说明 都是示例性的和说明性的，是用来提供要求保护的本专利技术的进一步的说明。附图说明根据下列结合附图给出的示例性实施例的详细说明，本专利技术的示例性实施例的各 方面将变得显而易见，其中图IA为与两个典型连接器端接的现有技术示例的同轴电缆的透视图；图IB为图IA的现有技术的同轴电缆的部分的透视图，该透视图中切掉了现有技 术的同轴电缆的各个层的部分；图IC为图IB的现有技术的同轴电缆的截面图；图ID为图IC的截面图的部分的放大视图；图IE为另一个现有技术的同轴电缆的部分的透视图，该透视图中切掉了现有技 术的同轴电缆各层的部分；图2A为带有示例的压缩带层的第一示例的同轴电缆的部分的透视图，该透视图 中切掉了该示例同轴电缆各个层的一部分；图2B为图2A的示例的同轴电缆的截面图 图2C为图2B的截面图的部分的放大视图；图2D为在作为图2A-2C的示例同轴电缆的层的示例压缩带的绝缘之前的图2A-2C 的示例压缩带的部分透视图；图2E为图2D的示例压缩带的截面图；图3A为具有两个示例压缩带层的第二示例同轴电缆的部分的透视图，该透视图 中切掉了第二示例同轴电缆各层的部分；图3B为图3A的第二示例同轴电缆的截面图；图4A为具有两个示例压缩带层的第三示例同轴电缆的部分的透视图，该透视图中切掉了第三示例同轴电缆各层的部分；图4B为图4A的第三示例同轴电缆的截面图；图5A为具有示例压缩带层的示例通信同轴电缆的部分的透视图，该透视图中切 掉了该示例通信同轴电缆各层的部分；图5B为图5A的示例通信同轴电缆的截面图；以及图6为一种用于制造图2A的示例同轴电缆的示例方法的流程图。具体实施例方式本专利技术的示例实施例涉及同轴电缆屏蔽。在下面一些示例实施例的详细说明中， 现在将详细地参考本专利技术的具体实施例，在附图中图示的示例。只要可能，在所有图中相同 或相似的部件将用同样的附图标记指示。这些实施例被描述得足够详细以使得本领域技术 人员能实现本专利技术。可以使用其他的实施例并且可以进行结构、逻辑与电上的变化而不脱 离本专利技术的范围。此外，应当理解本专利技术的各种实施例虽然不同，但并不一定相互排斥。例 如在一个实施例中描述的特定特点、结构或特征可以包括在其他实施例中。因此，下面的 详细说明并不具有限定意义，并且本专利技术的范围仅由所附的权利要求以及该权利要求授予 权利的等同物的全部范围限定。I.第一示例同轴电缆现在参考图2A，公开了第一示例同轴电缆200。示例同轴电缆200可以是任何类 型的同轴电缆，包括但不限于50欧姆和75欧姆同轴电缆。同轴电缆200通常包括由绝缘 体204包围的中心导体202、被纵向地缠绕绝缘体周围的带206、包围带206的编织物208， 以及包围编织物208的护套210。如本文使用的，短语"由...包围"表示内层通常由外本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种同轴电缆，包括：由绝缘体包围的中心导体；带，其限定第一边缘部分和第二边缘部分，各个边缘部分毗接内部部分，第一边缘部分的厚度小于内部部分的厚度，带被缠绕在绝缘体周围以使得第一边缘部分与第二边缘部分重叠；以及包围带的护套。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：AJ阿马托，
申请(专利权)人：约翰梅扎林瓜联合有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]