【技术实现步骤摘要】
本公开实施例涉及半导体制造，尤其涉及一种晶圆的缺陷类型检测方法、装置、设备及计算机存储介质。
技术介绍
1、在集成电路制造的过程中，在每个工艺流程中都有可能在晶圆上形成缺陷。随着半导体工艺的发展，半导体器件越来越趋向于小型化，晶圆上的缺陷在半导体工艺中的影响越来越大，因此在集成电路制造的过程中，需要对晶圆进行缺陷检测。
2、现有技术中的缺陷检测方法，只能够检测出晶圆是否存在缺陷，无法直接判定检测到的晶圆的缺陷类型。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例期望提供晶圆的缺陷类型检测方法、装置、设备及计算机存储介质；能够准确识别晶圆的缺陷类型。
2、本公开实施例的技术方案是这样实现的：
3、第一方面，本公开实施例提供了一种晶圆的缺陷类型检测方法，包括：
4、获取缺陷晶圆的目标高度图中的第一初始像素点的nano值，并将所述nano值最大的第一初始像素点作为目标像素点，其中，所述第一初始像素点的nano值用于表征所述第一初始像素点预设区域内的高度差
5本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种晶圆的缺陷类型检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述确定所述初始高度图中的第二初始像素点的Nano值，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取缺陷晶圆的目标高度图中的第一初始像素点的Nano值，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述缺陷图像的几何参数确定所述缺陷晶圆的缺陷类型，包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述几何参数包括所述缺陷图形的长、宽以
<...【技术特征摘要】
1.一种晶圆的缺陷类型检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述确定所述初始高度图中的第二初始像素点的nano值，包括：
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取缺陷晶圆的目标高度图中的第一初始像素点的nano值，包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述缺陷图像的几何参数确定所述缺陷晶圆的缺陷类型，包括：
6.根据权利要求1所述的方法，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：周淼，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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