振膜、发声装置及音频设备制造方法及图纸

技术编号:40342174 阅读:3 留言:0更新日期:2024-02-09 14:29
本申请提出一种振膜、发声装置及音频设备。所述振膜包括第一振膜层和设于所述第一振膜层外周的第二振膜层,所述第一振膜层用于振动产生中频声音和高频声音,所述第二振膜层用于振动产生低频声音。本申请通过将适于产生中频(200Hz~5KHz)和高频(5KHz~40KHz)声音的第一振膜层和适于产生低频(10Hz~200Hz)声音的第二振膜层结合,使得振膜既能保证高频声音的清脆透亮、宽广清晰,防止出现尖锐异音,还能保证低频声音的低失真性(高还原),还能使振膜具有刚性强、质量轻、加工性和可靠性较高等优点。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及音频发声,尤其涉及一种振膜、包括该振膜的发声装置以及包括该发声装置的音频设备。


技术介绍

1、发声装置(例如,扬声器等)是一种把电信号转变为声信号的换能器件,音频电能通过电磁、压电或静电效应,使发声装置的振膜振动并与周围的空气产生共振(共鸣)而发出声音。因此,振膜是发生装置的重要组成部件。

2、现在市场上应用的振膜材料主要有有机材料(例如,聚丙烯pp、聚对苯二甲酸乙二醇酯pet、聚萘二甲酸乙二醇酯pen等)和金属材料(例如,铝、钛)等。但是,上述材料制成的振膜有的刚性不佳太软,有的质量(密度)大,易造成低音不足且高频尖锐异音。


技术实现思路

1、有鉴于此,本申请提出一种振膜以解决上述问题中的至少一个。

2、另,还有必要提出一种包括上述振膜的发声生装置和包括该发声装置的音频设备。

3、本申请一实施方式提供一种振膜,其包括第一振膜层和设于所述第一振膜层外周的第二振膜层。所述第一振膜层用于振动产生中频声音和高频声音,所述第二振膜层用于振动产生低频声音。所述低频声音的频率范围为10hz~200hz,所述中频声音的频率范围为200hz~5khz,所述高频声音的频率范围为5khz~40khz。所述第一振膜层的材质为硅晶玻璃。

4、一种实施方式中,所述第一振膜层包括第一曲面,所述第二振膜层包括第二曲面。所述第二曲面连接于所述第一曲面的外周,所述第一曲面与所述第二曲面同心设置。所述第一曲面的曲率半径为5.0mm~15.0mm,所述第二曲面的曲率半径为5.0mm~15.0mm。

5、一种实施方式中,所述第二振膜层还包括连接所述第一曲面和所述第二曲面的第一平面。所述第一平面为圆环状,所述第一平面的环宽为0.2mm~3.0mm。

6、一种实施方式中,所述第一振膜层还包括连接于所述第一曲面外周的第一平面以及连接于所述第一平面外周的第三曲面。所述第二曲面连接于所述第三曲面的外周,所述第三曲面与所述第一曲面同心设置。所述第一平面为圆环状,所述第一平面的环宽0.2mm~3.0mm。

7、一种实施方式中,所述第二振膜层还包括第二平面,所述第二平面连接于所述第二曲面的外周。所述第二平面为圆环状,所述第二平面的环宽为0.2mm~3.0mm。

8、一种实施方式中,所述第一曲面的高度为1.0mm~5.0mm,所述第二曲面的高度为1.5mm~7.0mm。

9、一种实施方式中,所述第一振膜层沿着由中心向外的方向依次包括第一曲面、第一平面、第三曲面和第四曲面。所述第二振膜层包括第二平面,所述第二平面连接于所述第四曲面的外周,所述第一曲面、所述第三曲面和所述第四曲面同心设置。

10、一种实施方式中,所述第一振膜层为平面形状,所述第二振膜层为曲面形状。

11、本申请一实施方式提供一种发声装置,其包括如上所述的振膜,所述振膜的厚度为10μm~200μm。

12、本申请一实施方式提供一种音频设备,其包括如上所述的发声装置。

13、本申请通过将适于产生中频(200hz~5khz)和高频(5khz~40khz)声音的第一振膜层和适于产生低频(10hz~200hz)声音的第二振膜层结合,使得振膜既能保证高频声音的清脆透亮、宽广清晰,防止出现尖锐异音,还能保证低频声音的低失真性(高还原),还能使振膜具有刚性强、质量轻、加工性和可靠性较高等优点。

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【技术保护点】

1.一种振膜,其特征在于,包括第一振膜层和设于所述第一振膜层外周的第二振膜层,所述第一振膜层用于振动产生中频声音和高频声音,所述第二振膜层用于振动产生低频声音,所述低频声音的频率范围为10Hz~200Hz,所述中频声音的频率范围为200Hz~5KHz,所述高频声音的频率范围为5KHz~40KHz,所述第一振膜层的材质包括硅晶玻璃。

2.如权利要求1所述的振膜,其特征在于,所述第一振膜层包括第一曲面,所述第二振膜层包括第二曲面,所述第二曲面连接于所述第一曲面的外周,所述第一曲面与所述第二曲面同心设置,所述第一曲面的曲率半径为5.0mm~15.0mm,所述第二曲面的曲率半径为5.0mm~15.0mm。

3.如权利要求2所述的振膜,其特征在于,所述第二振膜层还包括连接所述第一曲面和所述第二曲面的第一平面,所述第一平面为圆环状,所述第一平面的环宽为0.2mm~.3.0mm。

4.如权利要求2所述的振膜,其特征在于,所述第一振膜层还包括连接于所述第一曲面外周的第一平面以及连接于所述第一平面外周的第三曲面,所述第二曲面连接于所述第三曲面的外周;所述第三曲面与所述第一曲面同心设置,所述第一平面为圆环状,所述第一平面的环宽为0.2mm~3.0mm。

5.如权利要求3或4所述的振膜,其特征在于,所述第二振膜层还包括第二平面,所述第二平面连接于所述第二曲面的外周,所述第二平面为圆环状,所述第二平面的环宽为0.2mm~3.0mm。

6.如权利要求2所述的振膜,其特征在于,所述第一曲面的高度为1.0mm~5.0mm,所述第二曲面的高度为1.5mm~7.0mm。

7.如权利要求1所述的振膜,其特征在于,所述第一振膜层沿着由中心向外的方向依次包括第一曲面、第一平面、第三曲面和第四曲面,所述第二振膜层包括第二平面,所述第二平面连接于所述第四曲面的外周,所述第一曲面、所述第三曲面和所述第四曲面同心设置。

8.如权利要求1所述的振膜,其特征在于,所述第一振膜层为平面状,所述第二振膜层为曲面状。

9.一种发声装置,其特征在于,包括如权利要求1至8任一项所述的振膜,所述振膜的厚度为10μm~200μm。

10.一种音频设备,其特征在于,包括如权利要求9所述的发声装置。

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【技术特征摘要】

1.一种振膜,其特征在于,包括第一振膜层和设于所述第一振膜层外周的第二振膜层,所述第一振膜层用于振动产生中频声音和高频声音,所述第二振膜层用于振动产生低频声音,所述低频声音的频率范围为10hz~200hz,所述中频声音的频率范围为200hz~5khz,所述高频声音的频率范围为5khz~40khz,所述第一振膜层的材质包括硅晶玻璃。

2.如权利要求1所述的振膜,其特征在于,所述第一振膜层包括第一曲面,所述第二振膜层包括第二曲面,所述第二曲面连接于所述第一曲面的外周,所述第一曲面与所述第二曲面同心设置,所述第一曲面的曲率半径为5.0mm~15.0mm,所述第二曲面的曲率半径为5.0mm~15.0mm。

3.如权利要求2所述的振膜,其特征在于,所述第二振膜层还包括连接所述第一曲面和所述第二曲面的第一平面,所述第一平面为圆环状,所述第一平面的环宽为0.2mm~.3.0mm。

4.如权利要求2所述的振膜,其特征在于,所述第一振膜层还包括连接于所述第一曲面外周的第一平面以及连接于所述第一平面外周的第三曲面,所述第二曲面连接于所述第三曲面的外周;所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:温增丰温建凯黄俊翰曾仲贤
申请(专利权)人:泉声电子股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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