【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体集成电路领域，尤其涉及一种迟滞电路和控制器。
技术介绍
1、在模拟集成电路系统中，当逻辑控制模块内部输入电压上升或下降至一定值时，输出逻辑信号发生翻转控制关断或开启其他电路模块，此时对应的输入电压即为翻转阈值。如图1所示，在逻辑控制模块的电路设计中，通常需要设计一定的迟滞，使得高翻转阈值vh与低翻转阈值vl存在一定差值，即，vh与vl存在一定的迟滞电压差，vin在vh或vl附近发生微小扰动时，vout仍能保持稳定。
2、在现有技术中，通常会利用逻辑信号控制mos管(metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor，金氧半场效晶体管)的开关通断状态，从而改变内部电路串入电阻阻值或改变下拉nmos晶体管/上拉pmos晶体管的个数，从而改变翻转阈值vh与vl，形成一定的迟滞电压。
3、然而，传统的迟滞电路为了实现宽范围迟滞电压，需要引入较多的电阻或mos管。如果不采用较多的电阻或mos管，调整翻转阈值来实现宽范围迟滞电压阈值的手段较复杂。
技术实现思路
1、有鉴于此，本专利技术实施例所解决的技术问题之一在于提供一种迟滞电路和控制器，用以克服迟滞电压阈值电压调整较复杂的问题。
2、根据本专利技术实施例的第一方面，本专利技术实施例提供一种迟滞电路。所述迟滞电路包括：检测模块，根据多个预设电压区间检测输入电压所在的当前电压区间；转换模块，与所述检测模块连接，所述转换模块包括第一支路和第
3、在本专利技术的另一实现方式中，所述多个预设电压区间包括第一电压区间、第二电压区间和第三电压区间，所述第一电压区间、所述第二电压区间和所述第三电压区间形成连续的电压区间。在所述当前电压区间从所述第一电压区间变为所述第二电压区间，或者从所述第二电压区间变为所述第一电压区间时，所述第一电平信号的电平状态变动，所述第二电平信号的电平状态保持。在所述当前电压区间从所述第二电压区间变为所述第三电压区间，或者从所述第三电压区间变为所述第二电压区间时，所述第一电平信号的电平状态保持，所述第二电平信号的电平状态变动。
4、在本专利技术的另一实现方式中，所述检测模块包括第五场效应管、第六场效应管、第七场效应管、第八场效应管、第九场效应管和第二电阻。所述第五场效应管的栅极连接到漏极，并且连接到所述第六场效应管的栅极，所述第六场效应管的漏极连接到所述第一支路的一端，所述第八场效应管的漏极连接到所述第二支路的一端，所述第一支路的另一端和所述第二支路的另一端连接到所述逻辑运算模块。所述第五场效应管的源极连接至所述第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端接地；所述第六场效应管的源极电连接至所述第九场效应管的源极，用于接收所述输入电压；所述第九场效应管的栅极电连接至参考电压。在所述第九场效应管关断且所述第六场效应管导通时，所述输入电压处于所述第一电压区间。在所述第九场效应管关断且所述第六场效应管关断时，所述输入电压处于所述第二电压区间。在所述第九场效应管接通且所述第六场效应管关断时，所述输入电压处于所述第三电压区间。所述第五场效应管的漏极、所述第六场效应管的漏极和所述第八场效应管的漏极连接到偏置高压。所述第九场效应管的漏极电连接至所述第七场效应管的漏极、所述第七场效应管的栅极和所述第八场效应管的栅极；所述第七场效应管的源极接地，所述第八场效应管的源极接地。
5、在本专利技术的另一实现方式中，迟滞电路还包括偏置模块，所述偏置模块包括恒流源、第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管。所述第一场效应管、所述第二场效应管、所述第三场效应管、所述第四场效应管的源极电连接至供电电压，所述第一场效应管、所述第二场效应管、所述第三场效应管、所述第四场效应管的栅极电连接至所述第一场效应管的漏极；所述第一场效应管的漏极电连接至所述恒流源的一端，所述恒流源的另一端接地。所述第二场效应管的漏极电连接至所述第五场效应管的栅极、所述第五场效应管的漏极和所述第六场效应管的栅极；所述第三场效应管的漏极电连接至所述第六场效应管的漏极和所述第一支路的一端；所述第四场效应管的漏极电连接至所述第八场效应管的漏极和所述第二支路的一端。
6、在本专利技术的另一实现方式中，所述逻辑运算模块包括第一反相器、第二反相器、第三反相器以及由第一或非门和第二或非门组成的触发器；所述第一反相器的输入端连接到所述第一支路的另一端，用于接收所述第一电平信号，所述第二反相器的输入端连接到所述第二支路的另一端，用于接收所述第二电平信号；所述第一反相器的输出端连接至所述第一或非门的第一输入端，所述第一或非门的第二输入端电连接至所述第二或非门的输出端，所述第二反相器的输出端电连接至所述第二或非门的第一输入端，所述第一或非门的输出端电连接至所述第二或非门的第二输入端和所述第三反相器的输入端，所述第三反相器输出端用于输出所述输出电平信号。
7、在本专利技术的另一实现方式中，所述偏置模块还包括：第三电阻、第十场效应管和第四反相器，所述第三电阻的一端电连接至第二电阻的另一端，所述第三电阻的另一端接地；所述第十场效应管的漏极与所述第三电阻的一端电连接，所述第十场效应管的源极接地；所述第四反相器的输入端与所述第一反相器的输出端电连接，所述第四反相器的输出端与所述第十场效应管的栅极电连接。
8、在本专利技术的另一实现方式中，所述逻辑运算电路还包括：第十一场效应管和第十二场效应管；所述第十一场效应管的漏极与所述第二反相器的输入端电连接，所述第十一场效应管的栅极与所述第八场效应管的栅极电连接，所述第十一场效应管的源极与所述第十二场效应管的漏极电连接；所述第十二场效应管的源极接地，所述第十二场效应管的栅极与所述第二反相器的输出端电连接。
9、在本专利技术的另一实现方式中，所述逻辑运算模块包括第一反相器、第二反相器、第三反相器以及由第一与非门和第二与非门组成的触发器；所述第一反相器的输入端连接到所述第一支路，用于接收所述第一电平信号，所述第二反相器的输入端连接到所述第二支路，用于接收所述本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种迟滞电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的迟滞电路，其特征在于，所述多个预设电压区间包括第一电压区间、第二电压区间和第三电压区间，其中，所述第一电压区间、所述第二电压区间和所述第三电压区间形成连续的电压区间，
3.根据权利要求2所述的迟滞电路，其特征在于，所述检测模块包括第五场效应管、第六场效应管、第七场效应管、第八场效应管、第九场效应管和第二电阻；
4.根据权利要求3所述的迟滞电路，其特征在于，还包括偏置模块，所述偏置模块包括恒流源、第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管；
5.根据权利要求4所述的迟滞电路，其特征在于，所述偏置模块还包括：第三电阻、第十场效应管和第四反相器，所述第三电阻的一端电连接至所述第二电阻的另一端，所述第三电阻的另一端接地；
6.根据权利要求4所述的迟滞电路，其特征在于，所述逻辑运算模块包括第一反相器、第二反相器、第三反相器以及由第一与非门和第二与非门组成的触发器；
7.根据权利要求6所述的迟滞电路，其特征在于，所述逻辑运算电路还包括：第十一场效应
8.根据权利要求4所述的迟滞电路，其特征在于，所述第一场效应管、所述第二场效应管、所述第三场效应管、所述第四场效应管、所述第九场效应管均为P型场效应管，并且所述第五场效应管、所述第六场效应管、所述第七场效应管、所述第八场效应管均为N型场效应管。
9.根据权利要求4所述的迟滞电路，其特征在于，所述逻辑运算模块包括第一反相器、第二反相器、第三反相器以及由第一或非门和第二或非门组成的触发器；
10.一种控制器，其特征在于，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种迟滞电路，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的迟滞电路，其特征在于，所述多个预设电压区间包括第一电压区间、第二电压区间和第三电压区间，其中，所述第一电压区间、所述第二电压区间和所述第三电压区间形成连续的电压区间，
3.根据权利要求2所述的迟滞电路，其特征在于，所述检测模块包括第五场效应管、第六场效应管、第七场效应管、第八场效应管、第九场效应管和第二电阻；
4.根据权利要求3所述的迟滞电路，其特征在于，还包括偏置模块，所述偏置模块包括恒流源、第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管；
5.根据权利要求4所述的迟滞电路，其特征在于，所述偏置模块还包括：第三电阻、第十场效应管和第四反相器，所述第三电阻的一端电连接至所述第二电阻的另一端，所述第三电阻的另一端接地...
【专利技术属性】
技术研发人员：王绪瑞，
申请(专利权)人：上海艾为电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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