【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及射频微波，具体涉及硅基氮化镓宽阻带高选择性片上带通滤波器及其制备方法。
技术介绍
1、gan属于iii族氮化物，具有出色的击穿能力、更高的电子密度及速度、耐高温和耐辐射等优势，基于gan的电子器件在微波雷达，卫星通信，5g通信有非常大的优势。无源功能块是射频收发器前端不可或缺的部分，它们通常占据相当大的芯片/模块面积。芯片互连是集总元件器件中不希望的寄生损耗的常见原因，这会降低整体rf性能。因此，在不断增长的行业趋势中，需要提高集成水平，并且由于集成无源器件比具有更高带宽、更紧凑尺寸和更高可靠性的标准分立无源器件具有优势，因此对在硅基gan同时集成无源器件和有源器件的需求越来越大。由于gan有源器件工艺，如：hemt，仍在开发中，因此不适合复杂的工艺来制造无源器件。通过将单平面共面波导滤波器嵌入单个单片微波集成电路中，不需要通孔工艺，显著降低了互连损耗，为电子设备提供了更小的占地面积和更低的能耗。成为在片上系统中实现无源器件的最合适的技术之一，近些年来，共面波导结构受到了越来越多学者的关注，利用该结构设计微波滤波器也变得更
【技术保护点】
1.硅基氮化镓宽阻带高选择性片上带通滤波器，其特征在于，包括单平面共面波导金属部分和嵌套在单平面共面波导金属部分上的非金属部分，且都布置在同一层的金属平面中；
2.根据权利要求1所述的硅基氮化镓宽阻带高选择性片上带通滤波器，其特征在于，仅水平平移后三个单端接地传输线谐振器(103)能重合，经过水平平移后，两侧的单端接地传输线谐振器(103)完全重合，两侧的单端接地传输线谐振器(103)的开路端和中间的单端接地传输线谐振器(103)短路端重合，两侧的单端接地传输线谐振器(103)的短路端和中间的单端接地传输线谐振器(103)的开路端重合；两侧的单端接地传输线...
【技术特征摘要】
1.硅基氮化镓宽阻带高选择性片上带通滤波器，其特征在于，包括单平面共面波导金属部分和嵌套在单平面共面波导金属部分上的非金属部分，且都布置在同一层的金属平面中；
2.根据权利要求1所述的硅基氮化镓宽阻带高选择性片上带通滤波器，其特征在于，仅水平平移后三个单端接地传输线谐振器(103)能重合，经过水平平移后，两侧的单端接地传输线谐振器(103)完全重合，两侧的单端接地传输线谐振器(103)的开路端和中间的单端接地传输线谐振器(103)短路端重合，两侧的单端接地传输线谐振器(103)的短路端和中间的单端接地传输线谐振器(103)的开路端重合；两侧的单端接地传输线谐振器(103)关于中间的单端接地传输线谐振器(103)对称。
3.根据权利要求1所述的硅基氮化镓宽阻带高选择性片上带通滤波器，其特征在于，馈电抽头(105)比耦合馈电结构(102)短；
4.根据权利要求1所述的硅基氮化镓宽阻带高选择性片上带通滤波器，其特征在于，所述开槽缝隙(203)呈矩形，其一短边边与位于单端接地传输线谐振器(103)的接地端的短边重合；开槽前后单端接地传输线谐振器(103)均为对称图型，即开槽缝隙(203)与单端接地传输线谐振器(103)的对称轴为同一条。
5.根据权利要求1所述的硅基氮化镓宽阻带高选择性片上...
【专利技术属性】
技术研发人员：王洪，关广豪，
申请(专利权)人：中山市华南理工大学现代产业技术研究院，
类型：发明
国别省市：
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