【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，具体涉及一种光刻胶图案化方法、显示面板及显示装置。
技术介绍
1、随着新型显示技术的快速发展，器件的高度集成化成为了未来显示科技的新增长点。不论是lcd(liquid crystal display，液晶显示器)、oled(organicelectroluminesence display，有机发光显示器)或microled显示，现有的驱动电路控制系统或信号传输系统等都是集成在pcb(printed circuit board，印制线路板)或cof(chip on film，覆晶薄膜)的“芯片”上，再bonding连接到玻璃基面板上。若将外挂芯片系统集成在玻璃面板上，则可以很大程度上节省材料成本。因此，开发玻璃基集成电路(ic)意义重大。
2、但是对于玻璃基集成电路中纳米级的线路而言，由于涉及到较高的光刻分辨率和基板的地形因素等，可能会导致光刻图案出现一些不良线宽问题。传统的不良线宽修复可以采用激光镭射工艺，但是激光的光斑一般为微米级，且加上光斑附近的热影响区域后，故难以实现纳米级线宽的修复。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种光刻胶图案化方法、显示面板及显示装置，通过使用聚焦离子束等对光刻胶图案的凸起部分进行二次加工，以切除边缘多余光刻胶进行纳米级线宽的修复。
2、第一方面，本申请实施例提供一种光刻胶图案化方法，包括：
3、提供玻璃基板；
4、在所述玻璃基板上涂布光刻胶层；
5、将所述光刻胶层图案化形
6、若所述光刻胶图案中目标走线的边缘凸起，则通过聚焦离子束对所述目标走线的凸起区域进行切割，得到图案化光刻胶。
7、在一些实施例中，所述在所述玻璃基板上涂布光刻胶层之前，还包括：
8、在所述玻璃基板上制备待刻蚀膜层；
9、在所述待刻蚀膜层上涂布光刻胶层；
10、所述若所述光刻胶图案中目标走线的边缘凸起，则通过聚焦离子束对所述目标走线的凸起区域进行切割，得到图案化光刻胶之后，还包括：
11、根据所述图案化光刻胶对所述待刻蚀膜层进行刻蚀处理，使其图案化；
12、剥离所述图案化光刻胶，得到图案化的面板膜层结构。
13、在一些实施例中，所述将所述光刻胶层图案化形成光刻胶图案，包括：
14、通过预设掩膜版对所述光刻胶层进行曝光显影形成光刻胶图案，所述预设掩膜版上设有至少一掩膜图案。
15、在一些实施例中，所述若所述光刻胶图案中目标走线的边缘凸起，则通过聚焦离子束对所述目标走线的凸起区域进行切割，得到图案化光刻胶，包括：
16、检测所述光刻胶图案的走线，并与所述掩膜图案进行比对；
17、若所述光刻胶图案中所述目标走线中至少部分区域的线宽大于所述掩膜图案中对应走线的线宽，根据所述掩膜图案通过聚焦离子束对所述目标走线的凸起区域进行切割，得到图案化光刻胶。
18、在一些实施例中，所述检测所述光刻胶图案的走线，并与所述掩膜图案进行比对，包括：
19、以所述玻璃基板的中心点为参考点，检测所述光刻胶图案的走线的边缘位置信息；
20、将所述光刻胶图案各走线的边缘位置信息和所述掩膜图案中对应走线的边缘信息进行比对。
21、在一些实施例中，所述若所述光刻胶图案中所述目标走线中至少部分区域的线宽大于所述掩膜图案中对应走线的线宽，根据所述掩膜图案通过聚焦离子束对所述目标走线的凸起区域进行切割，得到图案化光刻胶，包括：
22、若所述光刻胶图案中所述目标走线中至少部分区域的线宽大于所述掩膜图案中对应走线的线宽，根据所述目标走线的边缘位置信息和所述掩膜图案中对应走线的边缘信息，确定所述目标走线的凸起区域的边缘位置信息；
23、根据所述凸起区域的边缘位置信息确定所述聚焦离子束的离子束参数；
24、通过所述离子束参数对应的聚焦离子束对所述目标走线的凸起区域进行切割，得到图案化光刻胶。
25、在一些实施例中，所述检测所述光刻胶图案，并与所述掩膜图案进行比对之后，还包括：
26、若所述光刻胶图案中所述目标走线中至少部分区域的线宽小于所述掩膜图案中对应走线的线宽，则去除所述光刻胶图案；
27、再次在所述玻璃基板上涂布新的光刻胶层，并使所述新的光刻胶层图案化。
28、在一些实施例中，所述检测所述光刻胶图案，并与所述掩膜图案进行比对之后，还包括：
29、若所述光刻胶图案中各走线的线宽与所述掩膜图案中对应走线的线宽均相同，则确定所述光刻胶图案为图案化光刻胶。
30、第二方面，本申请提供一种显示面板，采用上述任一项所述的光刻胶图案化方法制作形成。
31、第三方面，本申请提供一种显示装置，包括上述所述的显示面板。
32、本申请实施例提供的光刻胶图案化方法、显示面板及显示装置，在检测到光刻胶图案中目标走线的边缘凸起时，通过使用聚焦离子束等对其进行二次加工，以切除边缘多余光刻胶，对玻璃基板上高精度区域的不良线宽进行纳米级线宽的修复。
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1.一种光刻胶图案化方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的光刻胶图案化方法，其特征在于，所述在所述玻璃基板上涂布光刻胶层之前，还包括：
3.如权利要求1所述的光刻胶图案化方法，其特征在于，所述将所述光刻胶层图案化形成光刻胶图案，包括：
4.如权利要求3所述的光刻胶图案化方法，其特征在于，所述若所述光刻胶图案中目标走线的边缘凸起，则通过聚焦离子束对所述目标走线的凸起区域进行切割，得到图案化光刻胶，包括：
5.如权利要求4所述的光刻胶图案化方法，其特征在于，所述检测所述光刻胶图案的走线，并与所述掩膜图案进行比对，包括：
6.如权利要求5所述的光刻胶图案化方法，其特征在于，所述若所述光刻胶图案中所述目标走线中至少部分区域的线宽大于所述掩膜图案中对应走线的线宽，根据所述掩膜图案通过聚焦离子束对所述目标走线的凸起区域进行切割，得到图案化光刻胶，包括：
7.如权利要求4所述的光刻胶图案化方法，其特征在于，所述检测所述光刻胶图案，并与所述掩膜图案进行比对之后，还包括：
8.如权利要求4所述的光刻胶图案
9.一种显示面板，其特征在于，采用如权利要求1-8任一项所述的光刻胶图案化方法制作形成。
10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的显示面板。
...【技术特征摘要】
1.一种光刻胶图案化方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的光刻胶图案化方法，其特征在于，所述在所述玻璃基板上涂布光刻胶层之前，还包括：
3.如权利要求1所述的光刻胶图案化方法，其特征在于，所述将所述光刻胶层图案化形成光刻胶图案，包括：
4.如权利要求3所述的光刻胶图案化方法，其特征在于，所述若所述光刻胶图案中目标走线的边缘凸起，则通过聚焦离子束对所述目标走线的凸起区域进行切割，得到图案化光刻胶，包括：
5.如权利要求4所述的光刻胶图案化方法，其特征在于，所述检测所述光刻胶图案的走线，并与所述掩膜图案进行比对，包括：
6.如权利要求5所述的光刻胶图案化方...
【专利技术属性】
技术研发人员：段淼，朱钦富，李林霜，陈黎暄，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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