【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体激光器，尤其涉及一种半导体激光器模组及半导体激光泵浦源。
技术介绍
1、目前，现有的单管半导体激光器大多使用阶梯结构，即芯片高低错落的放置，芯片中心并不处于同一高度。为此，其壳体具有等间距的台阶、且每个台阶上装配一个激光二极管芯片的结构特点。此类结构在装贴芯片的需要严格地加工台阶间隔与平行度，因此加工成本高。
2、而且，一方面，由于台阶存在高度差，所以芯片会产生散热不均的问题，进而影响到芯片的出光情况；另一方面，由于台阶存在不可避免的机械加工公差，光学元件的装调也会因此受到影响。同时，为满足当下工业半导体功率增加的需求，种子源的单管芯片数量也会增加，这将使台阶的间隔减小并进一步加剧壳体本就存在的散热问题。
3、针对此类问题，一些现有技术采用使用偏斜光路使光束在空间上分离，并在合束后再对光路方向进行纠正等方法来降低台阶的应用频率。
4、在大多数方案中，通常采用多个反射镜等光学偏折元件倾斜来纠正合束后的光路方向，该方法在耦合调试时对反射镜的倾斜角度要求很高，而且装调操作难度较大，通常需...
【技术保护点】
1.一种半导体激光器模组，其特征在于，包括：设置于底板平面上的转向压缩组件、合束器件和多个准直光路组，所述转向压缩组件包括竖直方向截面非对称的斜方棱镜和若干反射器件；
2.根据权利要求1所述的半导体激光器模组，其特征在于，所述斜方棱镜为潜望镜式斜方棱镜，所述潜望镜式斜方棱镜中光路传输方向上的第一反射面与入光面存在第一夹角，所述潜望镜式斜方棱镜中光路传输方向的第二反射面与出光面存在第二夹角，所述第一夹角与所述第二夹角不等；所述第一反射面与所述第二反射面在竖直方向上相对设置，所述入光面与所述出光面平行。
3.根据权利要求2所述的半导体激光器模组，其...
【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器模组，其特征在于，包括：设置于底板平面上的转向压缩组件、合束器件和多个准直光路组，所述转向压缩组件包括竖直方向截面非对称的斜方棱镜和若干反射器件；
2.根据权利要求1所述的半导体激光器模组，其特征在于，所述斜方棱镜为潜望镜式斜方棱镜，所述潜望镜式斜方棱镜中光路传输方向上的第一反射面与入光面存在第一夹角，所述潜望镜式斜方棱镜中光路传输方向的第二反射面与出光面存在第二夹角，所述第一夹角与所述第二夹角不等；所述第一反射面与所述第二反射面在竖直方向上相对设置，所述入光面与所述出光面平行。
3.根据权利要求2所述的半导体激光器模组，其特征在于，所述第一夹角与所述第二夹角的关系，基于所述目标准直光路组输出的堆叠泵浦光束与所述底板平面之间的夹角以及所述潜望镜式斜方棱镜的折射率确定。
4.根据权利要求2所述的半导体激光器模组，其特征在于，所述入光面与所述出光面均垂直于所述底板平面。
5.根据权利要求4所述的半导体激光器模组，其特征在于，所述第一夹角与所述第二夹角的关系，基于如下公式确定：
6.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋峰，吕张勇，邱小兵，李菡，李永高，李权，
申请(专利权)人：苏州创鑫激光科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。