一种宽谱近红外荧光材料及近红外光源制造技术

一种宽谱近红外荧光材料及近红外光源。该荧光材料的化学组成为：Ba<subgt;3</subgt;La<subgt;2</subgt;(Mg<subgt;1‑2x</subgt;Cr<subgt;2x</subgt;)(Nb<subgt;2‑x</subgt;Cr<subgt;x</subgt;)O<subgt;12</subgt;，其中，0＜x＜0.25。该材料以Cr<supgt;3+</supgt;为激活剂，在绿光激发下发射近红外光，发射光谱的主峰峰位大于1220nm，发射光谱的半高宽大于240nm；该荧光材料在520nm绿光激发下的量子效率大于80％，从而使该荧光材料应用于近红外光LED器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉荧光材料，尤其是涉及一种宽谱近红外荧光材料及基于该宽谱近红外荧光材料封装的近红外光源。

技术介绍

1、利用某些分子基团的特征吸收光谱与反射光谱信息，近红外光谱技术可以定量或半定量地分析出待测物中某些成分(含)量。近红外光谱技术应用广泛，在农业产品品质鉴定、食品加工工业和生物医疗等领域具有相当效用。应用近红外光谱技术的前置条件是获得可实现近红外光谱输出的近红外光源，而近红外光源输出的近红外光谱越宽，就可实现更高的分辨率和更广的检测范围。白炽灯和氙灯是常见的近红外光源，其发光都是基于热辐射原理，可发射出覆盖范围非常广的连续光谱，但能耗太高，体积偏大。传统的近红外光源也包括近红外发光二极管。但近红外发光二极管技术受国外垄断，成本高、技术不成熟；另外，单颗近红外发光二极管发射光谱的半高宽通常只有几十纳米，因此想实现宽的近红外光谱覆盖，就需要多种近红外发射波段的近红外发光二极管拼接，这必然导致所得近红外器件的可靠性降低。

2、受白光led器件结构的启发，近来出现了一种称为近红外荧光粉转换型led的近红外光源器件。这种近红外光源的发光原理是通过本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种宽谱近红外荧光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将原料混合后在空气气氛下，进行高温固相反应；所述原料包括Ba前驱体、La前驱体、Mg前驱体、Cr前驱体和Nb前驱体。

2.如权利要求1所述的一种宽谱近红外荧光材料的制备方法，其特征在于：所述Ba前驱体、La前驱体、Mg前驱体、Cr前驱体和Nb前驱体中Ba、La、Mg、Cr和Nb的摩尔比为3:2:(1-2x):3x:(2-x)，其中，0＜x＜0.25，优选地，所述x为0.05。

3.如权利要求1所述的一种宽谱近红外荧光材料的制备方法，其特征在于：所述Ba前驱体、La前驱体、Mg前驱体、Cr前驱体和Nb前...

【技术特征摘要】

1.一种宽谱近红外荧光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将原料混合后在空气气氛下，进行高温固相反应；所述原料包括ba前驱体、la前驱体、mg前驱体、cr前驱体和nb前驱体。

2.如权利要求1所述的一种宽谱近红外荧光材料的制备方法，其特征在于：所述ba前驱体、la前驱体、mg前驱体、cr前驱体和nb前驱体中ba、la、mg、cr和nb的摩尔比为3:2:(1-2x):3x:(2-x)，其中，0＜x＜0.25，优选地，所述x为0.05。

3.如权利要求1所述的一种宽谱近红外荧光材料的制备方法，其特征在于：所述ba前驱体、la前驱体、mg前驱体、cr前驱体和nb前驱体的纯度均不低于99.5％。

4.如权利要求1所述的一种宽谱近红外荧光材料的制备方法，其特征在于：所述高温固相反应的温度为1400～1600℃。

5.如权利要求1所述的一种宽谱近红外荧光材料的制备方法，其特征在于：所述高温固相反应的时间为4～10h。

6.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：周天亮，赵玉磊，王旭东，尹美，解荣军，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：