【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及芯片检测，尤其是涉及一种半导体测试探针的制备方法以及半导体测试探针。
技术介绍
1、在芯片制造工艺中，需要用检测针与芯片内的元件接触，以测试芯片的功能性。随着芯片的集成度越来越高，也要求检测针越来越细。传统的检测针的制备工艺，通常先加工成金属丝，再在金属丝的一端形成针尖。
2、dc-drop法(j.p.ibe,p.p.bey,s.l.brandow,r.a.brizzolara,journal ofvacuum science&technology avacuumsurfaces&films,1990,8(4):3570-3575.)是一种常用的针尖制备方法。dc-drop法需要先将金属丝浸入电刻蚀液中，并在阴极与阳极之间加一个恒压电源，在空气与电刻蚀液液面界面形成较细的颈部并最终断裂，金属丝的上半部分即为所需的针尖。
3、然而，dc-drop法制备针尖时，针尖形状的控制完全通过电流场实现，因此对电流场和电刻蚀液浓度较为敏感，通常一次只能够进行一根金属丝的针尖制备，而且由于静态刻蚀无法获得外轮廓可自由成形的长锥形针尖。
技术实现思路
1、基于此，有必要提供一种可以解决上述问题的半导体测试探针的制备方法。
2、此外，还有必要提供一种上述半导体测试探针的制备方法制备得到的半导体测试探针。
3、一种半导体测试探针的制备方法，使用电刻蚀设备，所述电刻蚀设备包括电刻蚀槽、直流电源、阴极、夹具、上下运动机构以及驱动装
4、用所述夹具夹持所述金属丝，使得所述金属丝竖直设置在所述电刻蚀液的上方，所述金属丝的下端与所述电刻蚀液的液面恰好接触，并且所述金属丝正对所述阴极；
5、以所述金属丝为阳极，串联所述直流电源和所述阴极并开始电刻蚀；
6、所述驱动装置驱动所述上下运动机构带动所述夹具和所述金属丝每经过时间δt后下降距离δl，直至所述金属丝下降的总距离达到长度l1，接着所述驱动装置驱动所述上下运动机构带动所述夹具和所述金属丝每经过所述时间δt后上升所述距离δl，直至所述金属丝上升的总距离达到所述长度l1，其中所述时间δt为0.1s～2s，所述δl为0.01mm～0.05mm，所述长度l1为1mm～5mm；
7、重复上述操作6次～15次，直至所述金属丝的下端电刻蚀至预设形状，取下所述金属丝，此时所述金属丝即为所需要的半导体测试探针。
8、在一个实施例中，所述电刻蚀液的溶质包括表面活性剂和碱。
9、在一个实施例中，所述表面活性剂为op-x或十二烷基磺酸盐，所述碱为koh。
10、在一个实施例中，所述电刻蚀液中，所述op-x的浓度为5v/v％～20v/v％，所述十二烷基磺酸盐的浓度为1g/l～20g/l，所述碱的浓度为0.1mol/l～1mol/l。
11、在一个实施例中，所述串联直流电源和阴极并开始电刻蚀的操作中，所述电刻蚀的电压为4v～20v，所述阴极和所述阳极之间的距离为1mm～50mm。
12、在一个实施例中，所述金属丝为直径为0.02mm～1mm的钨丝或钨铼丝。
13、在一个实施例中，所述金属丝外包裹有厚度为0.5μm～5μm的保护层，并且所述金属丝的下端长度l2的部分内未包裹所述保护层，所述长度l2为5mm～10mm。
14、在一个实施例中，所述金属丝通过如下操作制备：提供包裹有保护层的钨丝，并将所述包裹有保护层的钨丝的下端在所述长度l2的部分插入电退镀液内，以包裹有保护层的钨丝为电退镀阳极，串联电退镀直流电源和电退镀阴极，在10v～20v的电压下电退镀1min～3min后，得到所述金属丝，其中，所述保护层的材料为镍，所述电退镀液为浓度为2.3mol/l～9.4mol/l的hno3溶液。
15、在一个实施例中，所述上下运动机构包括立板、设置在所述立板上且沿着上下方向延伸的导轨、与所述导轨匹配的夹具安装架以及与所述驱动装置连接的电机转换板，所述夹具安装在所述夹具安装架上；
16、所述驱动装置包括精密伺服电机驱动器和plc控制器，所述plc控制器、所述精密伺服电机驱动器和所述电机转换板依次电连接。
17、一种半导体测试探针，所述半导体测试探针由上述的半导体测试探针的制备方法制备得到。
18、本专利技术的这种半导体测试探针的制备方法，通过控制所述金属丝的升降，来控制电刻蚀，从而在所述金属丝的下端形成针尖。
19、与传统的检测针的制备方法相比，本专利技术的这种半导体测试探针的制备方法可以一次性完成多根金属丝的针尖的制备，使得最终制得的半导体测试探针的成本大幅降低。
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1.一种半导体测试探针的制备方法，其特征在于，使用电刻蚀设备，所述电刻蚀设备包括电刻蚀槽、直流电源、阴极、夹具、上下运动机构以及驱动装置，所述电刻蚀槽内承载有电刻蚀液，所述阴极设置在所述电刻蚀槽的底部，所述驱动装置用于驱动所述上下运动机构带动所述夹具上下运动；包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体测试探针的制备方法，其特征在于，所述电刻蚀液的溶质包括表面活性剂和碱。
3.根据权利要求2所述的半导体测试探针的制备方法，其特征在于，所述表面活性剂为OP-x或十二烷基磺酸盐，所述碱为KOH。
4.根据权利要求3所述的半导体测试探针的制备方法，其特征在于，所述电刻蚀液中，所述OP-x的浓度为5V/V％～20V/V％，所述十二烷基磺酸盐的浓度为1g/L～20g/L，所述碱的浓度为0.1mol/L～1mol/L。
5.根据权利要求3所述的半导体测试探针的制备方法，其特征在于，所述串联直流电源和阴极并开始电刻蚀的操作中，所述电刻蚀的电压为4V～20V，所述阴极和所述阳极之间的距离为1mm～100mm。
6.根据权利要求1～5中
7.根据权利要求6所述的半导体测试探针的制备方法，其特征在于，所述金属丝外包裹有厚度为0.5μm～5μm的保护层，并且所述金属丝的下端长度L2的部分内未包裹所述保护层，所述长度L2为4mm～10mm。
8.根据权利要求7所述的半导体测试探针的制备方法，其特征在于，所述金属丝通过如下操作制备：提供包裹有保护层的钨丝，并将所述包裹有保护层的钨丝的下端在所述长度L2的部分插入电退镀液内，以包裹有保护层的钨丝或钨铼丝为电退镀阳极，串联电退镀直流电源和电退镀阴极，在10V～20V的电压下电退镀1min～3min后，得到所述金属丝，其中，所述保护层的材料为镍，所述电退镀液为浓度为2.3mol/L～9.4mol/L的HNO3溶液。
9.根据权利要求6所述的半导体测试探针的制备方法，其特征在于，所述上下运动机构包括立板、设置在所述立板上且沿着上下方向延伸的导轨、与所述导轨匹配的夹具安装架以及与所述驱动装置连接的电机转换板，所述夹具安装在所述夹具安装架上；
10.一种半导体测试探针，其特征在于，所述半导体测试探针由权利要求1～9中任意一项所述的半导体测试探针的制备方法制备得到。
...【技术特征摘要】
1.一种半导体测试探针的制备方法，其特征在于，使用电刻蚀设备，所述电刻蚀设备包括电刻蚀槽、直流电源、阴极、夹具、上下运动机构以及驱动装置，所述电刻蚀槽内承载有电刻蚀液，所述阴极设置在所述电刻蚀槽的底部，所述驱动装置用于驱动所述上下运动机构带动所述夹具上下运动；包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体测试探针的制备方法，其特征在于，所述电刻蚀液的溶质包括表面活性剂和碱。
3.根据权利要求2所述的半导体测试探针的制备方法，其特征在于，所述表面活性剂为op-x或十二烷基磺酸盐，所述碱为koh。
4.根据权利要求3所述的半导体测试探针的制备方法，其特征在于，所述电刻蚀液中，所述op-x的浓度为5v/v％～20v/v％，所述十二烷基磺酸盐的浓度为1g/l～20g/l，所述碱的浓度为0.1mol/l～1mol/l。
5.根据权利要求3所述的半导体测试探针的制备方法，其特征在于，所述串联直流电源和阴极并开始电刻蚀的操作中，所述电刻蚀的电压为4v～20v，所述阴极和所述阳极之间的距离为1mm～100mm。
6.根据权利要求1～5中任意一项所述的半导体测试探针的制备方法，其特征在于，所述金属丝为直径...
【专利技术属性】
技术研发人员：言超，
申请(专利权)人：深圳市超铼半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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