一种显示面板的制备方法及显示面板技术

本申请提供一种显示面板的制备方法及显示面板，先形成沟道层，在沟道层上形成初始欧姆接触层，然后形成覆盖初始欧姆接触层的牺牲层，并形成覆盖部分所述牺牲层的光阻，光阻具有对应所述初始欧姆接触层上方的端部。接着对光阻和暴露的部分牺牲层进行等离子工艺，使牺牲层暴露的表面变质成为掩模层，且光阻的表面被灰化形成与掩模层间隔的第一间隙。最后，基于第一间隙对初始欧姆接触进行刻蚀，以形成贯穿初始欧姆接触层的第二间隙，第二间隙暴露出的部分沟道层为沟道层的沟道，之后去除牺牲层和所述光阻。本申请通过等离子体工艺形成特征尺寸非常小的第一间隙，进而能形成长度非常小的沟道，因此可大幅提升沟道层中沟道的电流通过能力。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及显示，尤其涉及一种显示面板的制备方法及显示面板。

技术介绍

1、随着市场的需求变化，面板逐渐向高解析度、窄方向发展，像素的尺寸越来越小，产品的设计&驱动留给工艺的工艺窗口越来越小，对薄膜晶体管(thin film transistor,tft)结构和工艺提出更高的器件要求。

2、大尺寸高端显示器的驱动背板大多为非晶硅薄膜晶体管或氧化物薄膜晶体管，由于曝光机解析度限制(解析度大于2um)，晶体管沟道宽度最小为约4um，极大限制了沟道的电流通过能力。

技术实现思路

1、本申请的目的在于提供一种显示面板的制备方法及显示面板，旨在提升沟道层中沟道的电流通过能力。

2、一方面，本申请提供一种显示面板的制备方法，所述显示面板的制备方法至少包括：

3、形成沟道层；

4、在所述沟道层上形成初始欧姆接触层；

5、形成覆盖所述初始欧姆接触层的牺牲层；

6、形成覆盖部分所述牺牲层的光阻，所述光阻具有对应所述初始欧姆接触层上方的端部；

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【技术保护点】

1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述显示面板的制备方法至少包括：

2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述沟道的长度等于所述第二间隙靠近所述沟道层的一端在第一方向的宽度，所述第一方向平行于所述沟道层。

3.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述第二间隙靠近所述沟道层的一端在所述第一方向的宽度小于1微米。

4.根据权利要求3所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述第二间隙靠近所述沟道层的一端在所述第一方向的宽度为100～300纳米。

5.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述显...

【技术特征摘要】

1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，所述显示面板的制备方法至少包括：

2.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述沟道的长度等于所述第二间隙靠近所述沟道层的一端在第一方向的宽度，所述第一方向平行于所述沟道层。

3.根据权利要求2所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述第二间隙靠近所述沟道层的一端在所述第一方向的宽度小于1微米。

4.根据权利要求3所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述第二间隙靠近所述沟道层的一端在所述第一方向的宽度为100～300纳米。

5.根据权利要求1所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述显示面板的制备方法还包括：

6.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢马才，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：