【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及线圈模组，尤其涉及一种纳米晶叠层结构及其制备方法、线圈模组。
技术介绍
1、纳米晶叠层结构具有隔磁屏蔽的作用，可以为磁通量提供一个低阻抗通道，聚拢向外发散的磁力线，减少对周围金属物体的影响，防止产生涡流，造成能量损耗或信号干扰等问题。另外，纳米晶叠层结构还能够提高耦合系数，提升磁电转化效率；从而在使用较少匝数的线圈时即可实现更高电感，可以降低线圈电阻，进而可以减少发热带来的差的使用效果和能量损失。基于上述优势，纳米晶叠层结构在线圈模组
中有着重要的应用。
2、然而，现有的纳米晶叠层结构的形状不易控制，即不易塑形，限制了纳米晶叠层结构的进一步应用。
技术实现思路
1、本专利技术提供了一种纳米晶叠层结构及其制备方法、线圈模组，以使得纳米晶叠层结构能够塑形，且不会影响纳米晶叠层结构的电气性能。
2、根据本专利技术的一方面，提供了一种纳米晶叠层结构，所述纳米晶叠层结构包括多层纳米晶层；
3、所述纳米晶叠层结构还包括至少一层可塑性材料层，所述可...
【技术保护点】
1.一种纳米晶叠层结构，其特征在于，所述纳米晶叠层结构包括多层纳米晶层；
2.根据权利要求1所述的纳米晶叠层结构，其特征在于，所述纳米晶叠层结构包括一层所述可塑性材料层，位于所述可塑性材料层两侧的纳米晶层的数量相同。
3.根据权利要求1所述的纳米晶叠层结构，其特征在于，所述纳米晶叠层结构包括至少两层所述可塑性材料层；任意相邻两层所述可塑性材料层之间的所述纳米晶层的数量相同。
4.根据权利要求1所述的纳米晶叠层结构，其特征在于，每层所述纳米晶层的厚度相同，所述可塑性材料层的厚度大于所述纳米晶层的厚度。
5.根据权利要求4所...
【技术特征摘要】
1.一种纳米晶叠层结构，其特征在于，所述纳米晶叠层结构包括多层纳米晶层；
2.根据权利要求1所述的纳米晶叠层结构，其特征在于，所述纳米晶叠层结构包括一层所述可塑性材料层，位于所述可塑性材料层两侧的纳米晶层的数量相同。
3.根据权利要求1所述的纳米晶叠层结构，其特征在于，所述纳米晶叠层结构包括至少两层所述可塑性材料层；任意相邻两层所述可塑性材料层之间的所述纳米晶层的数量相同。
4.根据权利要求1所述的纳米晶叠层结构，其特征在于，每层所述纳米晶层的厚度相同，所述可塑性材料层的厚度大于所述纳米晶层的厚度。
5.根据权利要求4所述的纳米晶叠层结构，其特征在于，所述可塑性材料层的厚度小于或等于0.05毫米。
6.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈实，
申请(专利权)人：昆山联滔电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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