【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种环形共振腔元件(ring resonator)，尤其是涉及一种可于宽频波段(broadband；或称broad wavelength band)下具有高均一性的光输出表现的环形共振腔元件；还涉及一种环形共振腔元件的设计系统，尤其是涉及一种用以设计得到上述环形共振腔元件的配置参数的设计系统。
技术介绍
1、环形共振腔元件(或称微环形共振腔元件(micro-ring resonator,mrr))在高密度体积化的光学系统中是相当重要的基本元件。通常而言，环形共振腔元件是由封闭型波导及长直型波导所组成，上述两波导彼此靠近设置以进行光耦合，并使光子自长直型波导耦合至封闭型波导。上述封闭型波导的尺寸目前已多被制作为小至微米级的维度，以与集成电路进行整合并在同一芯片中而实现高密度的光电集成电路。
技术实现思路
1、有鉴于此，一些实施例提出一种宽频环形共振腔元件，其包含第一波导及第二波导。第一波导为封闭环，该封闭环具有第一耦合段，该第一耦合段具有第一宽度及第一半径。第二波导包含依序相连...
【技术保护点】
1.一种宽频环形共振腔元件，包含：
2.如权利要求1所述的宽频环形共振腔元件，其中该第二耦合段与该第一耦合段具有耦合角度并相距耦合间隙。
3.如权利要求2所述的宽频环形共振腔元件，其中该耦合间隙为150纳米至250纳米。
4.如权利要求1或2所述的宽频环形共振腔元件，其中该宽频段所对应的入射光波长段为1250纳米至1370纳米。
5.如权利要求1或2所述的宽频环形共振腔元件，其中实质相近的该耦合效率的该宽频段所对应的入射光波长段为1280纳米至1330纳米。
6.如权利要求1或2所述的宽频环形共振腔元件，其中...
【技术特征摘要】
1.一种宽频环形共振腔元件，包含：
2.如权利要求1所述的宽频环形共振腔元件，其中该第二耦合段与该第一耦合段具有耦合角度并相距耦合间隙。
3.如权利要求2所述的宽频环形共振腔元件，其中该耦合间隙为150纳米至250纳米。
4.如权利要求1或2所述的宽频环形共振腔元件，其中该宽频段所对应的入射光波长段为1250纳米至1370纳米。
5.如权利要求1或2所述的宽频环形共振腔元件，其中实质相近的该耦合效率的该宽频段所对应的入射光波长段为1280纳米至1330纳米。
6.如权利要求1或2所述的宽频环形共振腔元件，其中该第二半径是根据式1的半径与有效折射率关系式而得：
7.如权利要求1或2所述的宽频环形共振腔元件，其中该第一宽度为470纳米至600纳米。
8.如权利要求1或2所述的宽频环形共振腔元件，其中该第二宽度为300纳米至400纳米。
9.如权利要求1或2所述的宽频环形共振腔元件，其中实质相近的该耦合效率位于0％至85％的范围内。
10.如权利要求1或2所述的宽频环形共振腔元件，其中实质相近的该耦合效率位于85％至100％的范围内。
11.如权利要求1或2所述的宽频环形共振腔元件，其中实质相近的该耦合效率是通过调整该耦合角度及该第一宽度中之一而得。
12.如权利要求1或2所述的宽频环形共振腔元件，其中实质相近的该耦合效率是通过调整该第一宽度而得。
13.如权利要求12所述的宽频环形共振腔元件，其中该第一宽度具有宽度调整量...
【专利技术属性】
技术研发人员：洪勇智，吴承轩，
申请(专利权)人：纬创资通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。