一种样品表面超痕量杂质的激光剥蚀质谱的检测方法及检测装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种样品表面超痕量杂质的激光剥蚀质谱的检测方法及检测装置，所述检测方法包括：准备标样；送入样品池；预设总剥蚀次数为N，标样剥蚀次数之和为N<subgt;0</subgt;，N<subgt;0</subgt;≥100，N≥KN<subgt;0</subgt;，K≥2；对待测样品进行飞秒激光剥蚀质谱检测；进行混合激光剥蚀，匀化后质谱检测；获取加标检测曲线；计算待测元素含量。本发明专利技术可以省去复杂的样品前处理过程，极大缩短了分析时间，减少了前处理过程中引入的污染对分析结果的影响，并且通过超大批量的激光剥蚀和匀化实现对待测样品的在气溶胶体系中高稀释倍率的精确加标，从而可以使用较易获取的标样即可实现对半导体等高纯度样品表面的超痕量杂质的定量检测。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于激光剥蚀，尤其涉及一种样品表面超痕量杂质的激光剥蚀质谱的检测方法及检测装置。

技术介绍

1、激光剥蚀电感耦合等离子体质谱法(la-icp-ms)是一种固体直接进样，原位、微区、元素分析技术。随着激光剥蚀系统的逐步成熟，la-icp-ms被广泛应用于地质、环境、考古、材料等领域。激光剥蚀电感耦合等离子体质谱(la-icp-ms)利用激光器发出激光束，使用物镜使激光聚焦样品特定区域，利用脉冲激光的能量把固体样品直接剥蚀成微小的颗粒，与载气形成气溶胶，然后通过电感耦合等离子体源(icp)将颗粒等离子化后，进入质谱进行元素检测。

2、标准加入法，又名标准增量法或直线外推法，是一种被广泛使用的检验仪器准确度的测试方法。当难以找到与待测样品基体相近的标样时，采用标准加入法是一钟非常有效的方法。

3、半导体工业飞速发展，以硅和锗等为代表的第一代半导体，奠定微电子产业基础；以砷化镓和磷化铟等化合物半导体为代表的第二代半导体，奠定信息产业基础；以碳化硅、氮化镓、氧化锌以及金刚石等宽禁带化合物半导体为代表的第三代半导体，支撑战略性新兴产业本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种样品表面超痕量杂质的激光剥蚀质谱的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，在步骤S2后还包括：分别获取待测样品、第一标样和第二标样的剥蚀区域对应的振镜模块参数。

3.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，步骤S1还包括：预估待测样品中对应的待测元素的含量范围为Xa～Xb，所述第一标样中对应的待测元素的含量为X1，第二标样中对应的待测元素的含量为X2，且X1<X2；

4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述待测样品为半导体晶圆或者半导体芯片。

5.一种样品表面超痕量杂质的...

【技术特征摘要】

1.一种样品表面超痕量杂质的激光剥蚀质谱的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，在步骤s2后还包括：分别获取待测样品、第一标样和第二标样的剥蚀区域对应的振镜模块参数。

3.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，步骤s1还包括：预估待测样品中对应的待测元素的含量范围为xa～xb，所述第一标样中对应的待测元素的含量为x1，第二标样中对应的待测元素的含量为x2，且x1<x2；

4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述待测样品为半导体晶圆或者半导体芯片。

5.一种样品表面超痕量杂质的激光剥蚀质谱的检测装置，其特征在于，使用如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡勇刚，陈国荣，刘旭兰，王辉，顾霁晨，
申请(专利权)人：上海凯来仪器有限公司，
类型：发明
国别省市：