基于1/n模的微型低损耗硅基扇形基片集成波导结构制造技术

本发明专利技术公开了一种基于1/n模的微型低损耗硅基扇形基片集成波导结构，包括从上至下依次设置的上金属层、硅基板和金属底板；硅基板中设有TSV结构，上金属层和金属底板通过TSV结构实现上下连接，形成扇形基片集成波导结构；扇形基片集成波导结构具有m个扇形金属谐振腔；m个扇形金属谐振腔是利用至少一条耦合槽线将扇形基片集成波导结构进行分割得到的；耦合槽线用以实现相邻扇形金属谐振腔间的耦合；其中，m表示滤波器阶数，m≥2，n＝360°/θ，θ为扇形金属谐振腔的圆心角。该结构实现了宽通带和双通带特性的无源器件，在不降低器件性能的同时降低了其面积。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于基片集成波导，具体涉及基于1/n模的微型低损耗硅基扇形基片集成波导结构。

技术介绍

1、基片集成波导(substrate integrated waveguide，siw)技术由于其能够在平面级别的介质基板上像金属波导那样传输信号，保证信号低辐射损耗的传输，因此能够接替矩形波导和平面传输线结构继续推动者微波电路系统的发展。随着工艺的不断发展，siw可以和大部分通信系统元件集成在一个基板上且不用通过额外工艺制造特定器件进行过度，从而降低信号传输过程中的损耗，扼制寄生现象。

2、使用siw技术制造的无源器件不同于使用元器件制造的滤波器，使用元器件制造的无源器件可以通过改变元器件参数实现其性能参数(通带和损耗等)的可调，而使用siw技术制造的无源器件只能通过改变其结构参数来调整其性能参数，因此为了获取高性能，现有的使用siw技术制造的无源器件往往面积较大，不利于通信系统的小型化集成。

技术实现思路

1、为了解决现有技术中所存在的上述问题，本专利技术提供了基于1/n模的微型低损耗硅基扇形基片本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于1/n模的微型低损耗硅基扇形基片集成波导结构，其特征在于，包括从上至下依次设置的上金属层、硅基板和金属底板；

2.根据权利要求1所述的基于1/n模的微型低损耗硅基扇形基片集成波导结构，其特征在于，所述上金属层还包括：输入馈线和输出馈线；

3.根据权利要求2所述的基于1/n模的微型低损耗硅基扇形基片集成波导结构，其特征在于，所述输入馈电口和所述输出馈电口的开口位置位于所述扇形基片集成波导结构在其工作模式下的电场最强处。

4.根据权利要求1所述的基于1/n模的微型低损耗硅基扇形基片集成波导结构，其特征在于，所述TSV结构包括：用于实现所述m个扇...

【技术特征摘要】

1.一种基于1/n模的微型低损耗硅基扇形基片集成波导结构，其特征在于，包括从上至下依次设置的上金属层、硅基板和金属底板；

2.根据权利要求1所述的基于1/n模的微型低损耗硅基扇形基片集成波导结构，其特征在于，所述上金属层还包括：输入馈线和输出馈线；

3.根据权利要求2所述的基于1/n模的微型低损耗硅基扇形基片集成波导结构，其特征在于，所述输入馈电口和所述输出馈电口的开口位置位于所述扇形基片集成波导结构在其工作模式下的电场最强处。

4.根据权利要求1所述的基于1/n模的微型低损耗硅基扇形基片集成波导结构，其特征在于，所述tsv结构包括：用于实现所述m个扇形金属谐振腔最外围腔壁的tsv，以及用于引入通带外传输零点的微扰tsv。

5.根据权利要求4所述的基于1/n模的微型低损耗硅基扇形基片集成波导结构，其特征在于，所述微扰tsv包括多个，多个微扰tsv关于所述扇形基片集成波导结构的中心轴对称分布。

6.根据权利要求5所述的基于1/n模的微型低损耗硅基扇形基片集成波导结构，其特征在于，用于设...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓贤，范晨晖，朱樟明，刘诺，张谦，张涛，卢启军，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：