芯片清洗用二氧化碳的伴冷系统及输送系统技术方案

本发明专利技术提供一种芯片清洗用二氧化碳的伴冷系统及输送系统，该芯片清洗用二氧化碳的伴冷系统包括原料储罐、第一输送管路、缓冲储罐、隔膜泵和冷冻机，原料储罐、第一输送管路和缓冲储罐依次连通，第一输送管路用于输送液态二氧化碳，隔膜泵位于原料储罐和缓冲储罐之间的第一输送管路上，原料储罐与隔膜泵之间的第一输送管路的至少一段为伴冷管路，伴冷管路包括液体输送管和位于液体输送管外的制冷剂管路，制冷剂管路连通冷冻机，液体输送管内输送液态二氧化碳，制冷剂管路内流动乙二醇制冷剂。本发明专利技术提供的芯片清洗用二氧化碳的伴冷系统及输送系统可保证隔膜泵能够及时启动，确保二氧化碳供应的稳定性和连续性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于芯片清洗，具体涉及一种芯片清洗用二氧化碳的伴冷系统及输送系统。

技术介绍

1、清洗工艺是贯穿整个半导体制造的重要环节，是影响半导体器件性能以及良率的重要因素之一。在芯片制造过程中，任何的沾污都可能影响半导体器件的性能，甚至引起失效。因此，几乎在芯片制造的每一道工序前后，都需要进行清洗工艺，去除表面的污染物，保证晶圆表面的洁净度。

2、由于集成电路特征尺寸的逐渐减小，器件结构会要求更高的纵横比，常规湿法清洗由于表面张力很难进入晶圆深沟槽结构内部，不能满足更细线条工艺要求和高深宽比结构，直接影响沟槽内的污染物去除效果；常规湿法刻蚀各向异性差、结构坍塌严重、深沟槽刻蚀效果不明显；而等离子体干法刻蚀则存在刻蚀速率慢、光刻胶脱落和粘附、结构损伤、废气处理等一系列问题。

3、超临界二氧化碳清洗可以很好的解决这些问题，二氧化碳在7.39mpa，31℃时可达到超临界态，其具有密度大，溶解能力强，传质速率高的特点。同时还具有储量丰富、便宜易得、无毒、惰性以及容易回收和循环利用等特点。超临界二氧化碳作为弱极性溶剂，对非极性有机化合物有极强本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.芯片清洗用二氧化碳的伴冷系统，其特征在于，包括原料储罐、第一输送管路、缓冲储罐、隔膜泵和冷冻机，所述原料储罐、第一输送管路和缓冲储罐依次连通，所述第一输送管路用于输送液态二氧化碳，所述隔膜泵位于所述原料储罐和缓冲储罐之间的第一输送管路上，所述原料储罐与隔膜泵之间的第一输送管路的工作压力大于所述隔膜泵与缓冲储罐之间的第一输送管路的工作压力，所述原料储罐与隔膜泵之间的第一输送管路的工作压力波动不超过±3 barg，所述隔膜泵与缓冲储罐之间的第一输送管路的工作压力波动不超过±3 barg，所述原料储罐与隔膜泵之间的第一输送管路的至少一段为伴冷管路，所述伴冷管路中靠近所述隔膜泵处的液态二氧化...

【技术特征摘要】

1.芯片清洗用二氧化碳的伴冷系统，其特征在于，包括原料储罐、第一输送管路、缓冲储罐、隔膜泵和冷冻机，所述原料储罐、第一输送管路和缓冲储罐依次连通，所述第一输送管路用于输送液态二氧化碳，所述隔膜泵位于所述原料储罐和缓冲储罐之间的第一输送管路上，所述原料储罐与隔膜泵之间的第一输送管路的工作压力大于所述隔膜泵与缓冲储罐之间的第一输送管路的工作压力，所述原料储罐与隔膜泵之间的第一输送管路的工作压力波动不超过±3 barg，所述隔膜泵与缓冲储罐之间的第一输送管路的工作压力波动不超过±3 barg，所述原料储罐与隔膜泵之间的第一输送管路的至少一段为伴冷管路，所述伴冷管路中靠近所述隔膜泵处的液态二氧化碳温度控制在-24℃至-26℃，所述伴冷管路包括液体输送管和位于所述液体输送管外的制冷剂管路，所述制冷剂管路连通冷冻机，所述液体输送管内输送液态二氧化碳，所述制冷剂管路内流动乙二醇制冷剂。

2.如权利要求1所述的芯片清洗用二氧化碳的伴冷系统，其特征在于，所述原料储罐入口的液态二氧化碳温度在-19℃至-22℃。

3.如权利要求1所述的芯片清洗用二氧化碳的伴冷系统，其特征在于，所述乙二醇制冷剂选用乙二醇溶液，其包括乙二醇和水，所述乙二醇和水的比例为1：（1.21-1.23）。

4.如权利要求1所述的芯片清洗用二氧化碳的伴冷系统，其特征在于，所述伴冷管路还包括冷管绝热层和冷管保护套，所述冷管绝热层绕于所述液体输送管外，所述冷管保护套环绕于所述冷管绝热层外，所述冷管保护套为不锈钢保护套，所述制冷剂管路采用铜管。

5.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓韬，许高坡，钟小禹，
申请(专利权)人：广州广钢气体能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：