一种具有反常热淬灭特性的宽谱近红外荧光材料制造技术

一种具有反常热淬灭特性的宽谱近红外荧光材料，该荧光材料的化学组成为：Ba(Mg<subgt;5‑x</subgt;Cr<subgt;x</subgt;)(Zr<subgt;3‑x</subgt;Cr<subgt;x</subgt;)O<subgt;12</subgt;，其中，0＜x≤0.1。该材料以Cr<supgt;3+</supgt;为激活剂并产生近红外光发射。在紫光400nm激发下，该反常热淬灭特性的宽谱近红外荧光材料在125℃时的发光强度是25℃时的发光强度的1.05～1.15倍，发射光谱的主峰峰位大于1205nm，发射光谱的半高宽大于205nm，量子效率大于80％。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及荧光材料领域，尤其涉及一种具有反常热淬灭特性的宽谱近红外荧光材料。

技术介绍

1、近红外光与物体作用后，会被物体中的一些分子吸收而导致强度损失，根据这一原理可实现检测和识别。例如，不同基团(如甲基、亚甲基，苯环等)或同一基团在不同化学环境中的近红外吸收波长与强度存在明显差别，通过采集基团振动的倍频和合频吸收，就能快速、高效、低成本地实现检测。

2、近红外光源是实现近红外检测的关键。近红外光源所发射的近红外光谱范围越宽、连续性越好、强度越高，则检测的灵敏度和可靠性更高。目前，最为常见的宽光谱近红外光源有氙灯和红外发光二极管。前者的效率较低、体积大、工作温度高、使用寿命短；后者光谱相对较窄，需要多颗、导通电压不同的近红外二极管拼接才能获得宽光谱发射，因此驱动电路复杂。

3、近年来出现了一种基于led芯片结合近红外荧光材料封装成近红外光源的技术方案(nir-pc led)。与传统的近红外光源相比，该方案通过led激发近红外荧光粉实现近红外光的输出，因此具有光谱调控灵活、体积小、寿命长、高效节能和全固态等优点。在led芯片性能本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有反常热淬灭特性的宽谱近红外荧光材料，其特征在于，化学通式为：Ba(Mg5-xCrx)(Zr3-xCrx)O12，其中，0＜x≤0.1；在紫光400nm激发下，所述具有反常热淬灭特性的宽谱近红外荧光材料在125℃时的发光强度是25℃时的发光强度的1.05～1.15倍，所述具有反常热淬灭特性的宽谱近红外荧光材料发射光谱的主峰峰位大于1205nm，发射光谱的半高宽大于205nm；所述具有反常热淬灭特性的宽谱近红外荧光材料在400nm紫光激发下的量子效率大于80％。

2.如权利要求1所述的一种具有反常热淬灭特性的宽谱近红外荧光材料，其特征在于：所述x为0.05。

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【技术特征摘要】

1.一种具有反常热淬灭特性的宽谱近红外荧光材料，其特征在于，化学通式为：ba(mg5-xcrx)(zr3-xcrx)o12，其中，0＜x≤0.1；在紫光400nm激发下，所述具有反常热淬灭特性的宽谱近红外荧光材料在125℃时的发光强度是25℃时的发光强度的1.05～1.15倍，所述具有反常热淬灭特性的宽谱近红外荧光材料发射光谱的主峰峰位大于1205nm，发射光谱的半高宽大于205nm；所述具有反常热淬灭特性的宽谱近红外荧光材料在400nm紫光激发下的量子效率大于80％。

2.如权利要求1所述的一种具有反常热淬灭特性的宽谱近红外荧光材料，其特征在于：所述x为0.05。

3.如权利要求1～2中任一项所述的一种具有反常热淬灭特性的宽谱近红外荧光材料的制备方法，其特征在于，包含如下步骤：将ba前驱体、mg前驱体、cr前驱体和zr前驱体混合，在空气气氛下，进行高温固相反应，得到一种具有反常热淬灭特性的宽谱近红外荧光材料。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于：所述ba前驱体、mg前驱体、cr前驱体和zr前驱体中ba、mg、cr和zr的摩尔比为1:(5...

【专利技术属性】
技术研发人员：周天亮，王旭东，赵玉磊，尹美，解荣军，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：