一种芯片镀膜制程中组件的清洗再生及贵金属回收方法技术

本发明专利技术涉及一种芯片镀膜制程中组件的清洗再生及贵金属回收方法，包括如下步骤：1)将组件浸于酸性药水中，辅以超声波震荡，在加热处理一段时间后，将组件取出，并得到溶液A；2)将组件浸于碱性药水中，辅以超声波震荡，在加热处理一段时间后，将组件取出，并得到溶液B；3)将组件浸于去离子水中且在超声波震荡下清洗，烘干，完成组件再生；4)将溶液A和溶液B混合后，加热，加入锌丝置换，控制电位在‑180mv以下，保温反应，过滤得到含贵金属粉末。通过该方法组件不会变形损坏，完全可再生利用，溶液中残留的贵金属含量低于1ppm以下，贵金属回收率99％以上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及贵金属回收，具体涉及一种芯片镀膜制程中组件的清洗再生及贵金属回收方法。

技术介绍

1、目前，在led芯片的蒸镀成膜制程中，蒸镀机真空腔腔体内的金属材料被加热熔融气化成材料蒸汽，沉积在晶圆上，在这个过程中，放置晶圆的镀锅和周围的防着板上累积的金属材料薄膜越来越厚，对腔体的气氛造成不利影响，并且薄膜过厚也会有脱落的风险。在蒸镀成膜制程中，一般将铝-锡-铬-钛-铂-金这几种金属薄膜材料一层一层蒸镀成膜，一直循环到设备维护，此时蒸镀机的组件防着板和镀锅上一般都会覆盖很厚的金属膜层，膜层中金和铂的质量占比甚至能达到90％以上，因此膜层具有很高的回收价值。综上，防着板和镀锅需要定期清洗再生，并且对膜层中的贵金属进行回收是有必要的。

2、然而对覆盖有金属膜层的组件防着板和镀锅的清洗难度非常大，反应活性低的金铂膜层会将活性高的铝锡膜层覆盖，而铝锡膜层厚度薄，一般只有0.1-0.5μm，金铂膜层厚度却有5-10μm，使该金属膜层难以被清洗剥落下来。

3、目前，防着板与镀锅的清洗再生及贵金属回收方法普遍有两种方式，一种是采用酸性药水如含盐本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种芯片镀膜制程中组件的清洗再生及贵金属回收方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的芯片镀膜制程中组件的清洗再生及贵金属回收方法，其特征在于，所述酸性药水包括如下重量百分比组分：硫酸钾1-5％，氯化钠1-3％，硝酸钾3-5％，不锈钢钝化剂0.5-1％，PH稳定剂1-5％，水余量。

3.根据权利要求1所述的芯片镀膜制程中组件的清洗再生及贵金属回收方法，其特征在于，所述碱性药水包括如下组分：氢氧化钾3-8g/L，碘化钾3-12g/L，十二烷基肌氨酸钠0.5-3g/L，脱金促进剂8-15g/L。

4.根据权利要求1所述的芯片镀膜制程中组...

【技术特征摘要】

1.一种芯片镀膜制程中组件的清洗再生及贵金属回收方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的芯片镀膜制程中组件的清洗再生及贵金属回收方法，其特征在于，所述酸性药水包括如下重量百分比组分：硫酸钾1-5％，氯化钠1-3％，硝酸钾3-5％，不锈钢钝化剂0.5-1％，ph稳定剂1-5％，水余量。

3.根据权利要求1所述的芯片镀膜制程中组件的清洗再生及贵金属回收方法，其特征在于，所述碱性药水包括如下组分：氢氧化钾3-8g/l，碘化钾3-12g/l，十二烷基肌氨酸钠0.5-3g/l，脱金促进剂8-15g/l。

4.根据权利要求1所述的芯片镀膜制程中组件的清洗再生及贵金属回收方法，其特征在于，步骤1)中的超声波频率为130khz，步骤2)中的超声波频率为130khz，步骤3)中的超声波频率为26-52khz。

5.根据权利要求1所述的芯片镀膜制程中组件的清洗再生及贵金属回...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱振华，蒋发权，何天阳，黄世盛，张俊锋，侯美丹，谭明亮，杨智康，刘贤荣，
申请(专利权)人：励福江门环保科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：