【技术实现步骤摘要】
本申请涉及薄膜制备，特别是涉及一种薄膜制备方法、太阳能电池、光伏组件和光伏系统。
技术介绍
1、随着半导体技术的不断发展，人们对于半导体器件的性能要求也在不断提升。其中，钝化是一种能够显著提升器件性能的技术。例如，在太阳能电池中，通过形成钝化层可以大大提升太阳能电池的光电转换效率。但是，为了形成具有较佳钝化效果的钝化层，会一定程度上影响器件的制备效率，从而导致器件的产能不足。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够平衡薄膜的钝化效果和制备效率的薄膜制备方法、太阳能电池、光伏组件和光伏系统。
2、第一方面，本申请提供了一种薄膜制备方法，所述制备方法包括：
3、采用第一制备工艺于基片的一侧表面形成第一钝化层；
4、采用第二制备工艺于所述第一钝化层远离所述基片一侧的表面形成第二钝化层，所述第二钝化层和所述第一钝化层的材质相同；
5、其中，所述第一制备工艺的制备速率小于所述第二制备工艺的制备速率，且所述第一钝化层的钝化效果优于所述第二钝化层的钝化效果。
6、在其中一个实施例中，所述第一钝化层的氢含量小于所述第二钝化层的氢含量；和/或
7、所述第一钝化层的负电荷密度大于所述第二钝化层的负电荷密度。
8、在其中一个实施例中，所述第一钝化层的第一厚度小于所述第二钝化层的第二厚度。
9、在其中一个实施例中，所述第一钝化层的第一厚度为2nm～6nm。
10、在其中一个实
11、在其中一个实施例中，所述采用第一制备工艺于基片的一侧表面形成第一钝化层，包括：
12、于所述基片所在的反应腔室内通入第一前驱体；
13、经过第一预设时间后排出所述反应腔室内的所述第一前驱体，并通入第二前驱体，所述第二前驱体用于与所述第一前驱体反应生成所述第一钝化层；
14、经过第二预设时间后排出所述反应腔室内的所述第二前驱体；
15、重复执行上述步骤直至所述第一钝化层的厚度达到所述第一厚度。
16、在其中一个实施例中，采用第一制备工艺于基片的一侧表面形成第一钝化层，包括：
17、控制所述基片移动以依次经过第一前驱体的第一喷流区域、隔离气体的第二喷流区域和第二前驱体的第三喷流区域；所述第二前驱体用于与所述第一前驱体反应生成所述第一钝化层，所述隔离气体用于间隔以抑制所述第一前驱体和所述第二前驱体于所述基片表面以外区域的反应；
18、重复执行上述步骤直至所述第一钝化层的厚度达到所述第一厚度。
19、在其中一个实施例中，所述采用第一制备工艺于基片的一侧表面形成第一钝化层，包括：
20、控制所述基片移动以依次经过第一前驱体的第一喷流区域、排气区域和第二前驱体的第三喷流区域；所述第二前驱体用于与所述第一前驱体反应生成所述第一钝化层；
21、重复执行上述步骤直至所述第一钝化层的厚度达到所述第一厚度。
22、在其中一个实施例中，所述采用第一制备工艺于基片的一侧表面形成第一钝化层，包括：
23、控制所述基片移动以依次经过第一前驱体的第一喷流区域和第二前驱体的第三喷流区域；所述第二前驱体用于与所述第一前驱体反应生成所述第一钝化层；所述第一喷流区域与所述第三喷流区域之间的距离根据所述第一前驱体和所述第二前驱体的喷出流量和/或喷出压力确定；
24、重复执行上述步骤直至所述第一钝化层的厚度达到所述第一厚度。
25、在其中一个实施例中，所述采用第一制备工艺于基片的一侧表面形成第一钝化层时，所述第一钝化层还形成于所述基片的周侧表面。
26、在其中一个实施例中，所述第二制备工艺包括等离子体增强化学气相沉积或交替实施的等离子体增强化学气相沉积与原子层沉积。
27、在其中一个实施例中，所述第一钝化层和所述第二钝化层的材质均为氧化铝。
28、第二方面，本申请提供了一种太阳能电池，包括基片和采用如上述的制备方法制备形成的第一钝化层和第二钝化层。
29、第三方面，本申请提供了一种太阳能电池，包括：
30、基片；
31、第一钝化层，设于所述基片的表面；
32、第二钝化层，设于所述第一钝化层远离所述基片一侧的表面，所述第二钝化层和所述第一钝化层的材质相同；
33、其中，所述第一钝化层的氢含量小于所述第二钝化层的氢含量；和/或所述第一钝化层的负电荷密度大于所述第二钝化层的负电荷密度。
34、在其中一个实施例中，所述第一钝化层的第一厚度小于所述第二钝化层的第二厚度。
35、在其中一个实施例中，所述第一钝化层的第一厚度为2nm～6nm。
36、在其中一个实施例中，所述第一钝化层还设于所述基片的周侧表面。
37、在其中一个实施例中，所述第一钝化层和所述第二钝化层的材质均为氧化铝。
38、第四方面，本申请提供了一种光伏组件，包括电池串，所述电池串由多个如上述的太阳能电池连接而成。
39、第五方面，本申请提供了一种光伏系统，其特征在于，包括上述的光伏组件。
40、上述薄膜制备方法、太阳能电池、光伏组件和光伏系统，薄膜制备方法采用第一制备工艺于基片的一侧表面形成第一钝化层，并采用第二制备工艺于第一钝化层远离所述基片一侧的表面形成第二钝化层。其中，第二钝化层和第一钝化层具有相同的材质，以使材质统一的第一钝化层和第二钝化层更容易兼容器件中其他膜层的制备工艺。而且可以理解的是，即使材质相同，由于不同的制备工艺的成膜效果之间存在差异，第一钝化层和第二钝化层也会具有不同的钝化效果，具体地，通过设置第一钝化层的钝化效果优于第二钝化层的钝化效果，可以使靠近基片的第一钝化层对基片进行良好地钝化，以确保器件的性能。此外，由于第二制备工艺的制备速率快于第一制备工艺的制备速率，采用第二制备工艺能够快速补足钝化层的整体厚度至目标厚度，以使具有目标厚度的钝化层具有足够的可靠性。因此，本申请的薄膜制备方法能够综合第一制备工艺和第二制备工艺的优点，有效平衡了制备的薄膜的整体钝化效果和制备效率。
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1.一种薄膜制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜制备方法，其特征在于，所述第一钝化层的氢含量小于所述第二钝化层的氢含量；和/或
3.根据权利要求1所述的薄膜制备方法，其特征在于，所述第一钝化层的第一厚度小于所述第二钝化层的第二厚度。
4.根据权利要求3所述的薄膜制备方法，其特征在于，所述第一钝化层的第一厚度为2nm～6nm。
5.根据权利要求4所述的薄膜制备方法，其特征在于，第一制备工艺包括原子层沉积。
6.根据权利要求5所述的薄膜制备方法，其特征在于，所述采用第一制备工艺于基片的一侧表面形成第一钝化层，包括：
7.根据权利要求5所述的薄膜制备方法，其特征在于，采用第一制备工艺于基片的一侧表面形成第一钝化层，包括：
8.根据权利要求5所述的薄膜制备方法，其特征在于，所述采用第一制备工艺于基片的一侧表面形成第一钝化层，包括：
9.根据权利要求5所述的薄膜制备方法，其特征在于，所述采用第一制备工艺于基片的一侧表面形成第一钝化层，包括：
10.根
11.根据权利要求1所述的薄膜制备方法，其特征在于，所述第二制备工艺包括等离子体增强化学气相沉积或交替实施的等离子体增强化学气相沉积与原子层沉积。
12.根据权利要求1-11任一项所述的薄膜制备方法，其特征在于，所述第一钝化层和所述第二钝化层的材质均为氧化铝。
13.一种太阳能电池，其特征在于，包括基片和采用如权利要求1-12任一项所述的薄膜制备方法制备形成的第一钝化层和第二钝化层。
14.一种太阳能电池，其特征在于，包括：
15.根据权利要求14所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层的第一厚度小于所述第二钝化层的第二厚度。
16.根据权利要求15所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层的第一厚度为2nm～6nm。
17.根据权利要求14所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层还设于所述基片的周侧表面。
18.根据权利要求14至17任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一钝化层和所述第二钝化层的材质均为氧化铝。
19.一种光伏组件，其特征在于，包括电池串，所述电池串由多个如权利要求14～18任一项所述的太阳能电池连接而成。
20.一种光伏系统，其特征在于，包括如权利要求19所述的光伏组件。
...【技术特征摘要】
1.一种薄膜制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的薄膜制备方法，其特征在于，所述第一钝化层的氢含量小于所述第二钝化层的氢含量；和/或
3.根据权利要求1所述的薄膜制备方法，其特征在于，所述第一钝化层的第一厚度小于所述第二钝化层的第二厚度。
4.根据权利要求3所述的薄膜制备方法，其特征在于，所述第一钝化层的第一厚度为2nm～6nm。
5.根据权利要求4所述的薄膜制备方法，其特征在于，第一制备工艺包括原子层沉积。
6.根据权利要求5所述的薄膜制备方法，其特征在于，所述采用第一制备工艺于基片的一侧表面形成第一钝化层，包括：
7.根据权利要求5所述的薄膜制备方法，其特征在于，采用第一制备工艺于基片的一侧表面形成第一钝化层，包括：
8.根据权利要求5所述的薄膜制备方法，其特征在于，所述采用第一制备工艺于基片的一侧表面形成第一钝化层，包括：
9.根据权利要求5所述的薄膜制备方法，其特征在于，所述采用第一制备工艺于基片的一侧表面形成第一钝化层，包括：
10.根据权利要求1所述的薄膜制备方法，其特征在于，所述采用第一制备工艺于基片的一侧表面形成第一钝化层时，所述第一钝化层还形成于所述基片的周侧表面。
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：天合光能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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