【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电子，具体涉及一种兼容高低刷的电路和驱动方法。
技术介绍
1、随着针对显示屏刷新率要求的日趋严苛，目前市面上的有机发光二极管(oled)产品刷新频率不再局限于60hz，对于静态画面，为了节省功耗会降低刷新频率；而针对动态画面，为了让人眼看起来更加流畅会增大刷新频率，现有技术中的补偿电路无法满足高低刷新频率的要求。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于，提供一种兼容高低刷的新型电路，解决以上技术问题；
2、本专利技术的目的还在于，提供一种兼容高低刷的新型电路的驱动方法，解决以上技术问题。
3、本专利技术所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现：
4、一种兼容高低刷的新型电路，包括，
5、第一晶体管(t1)，所述第一晶体管(t1)可控制地连接于一信号输入端(data)和第一参考节点(n1)之间，所述第一晶体管(t1)的栅极连接第n行扫描信号(sn)；
6、第二晶体管(t2)，所述第二晶体管(t2)可控制地连接于第一参考节点(n1)和第三参考节点(n3)之间，所述第二晶体管(t2)的栅极连接一第二参考节点(n2)；
7、第三晶体管(t3)，所述第三晶体管(t3)可控制地连接于所述第二参考节点(n2)和所述第三参考节点(n3)之间，所述第三晶体管(t3)的栅极连接所述第n行扫描信号(sn)；
8、第四晶体管(t4)，所述第四晶体管(t4)可控制地连接于所述第一参考节点(n1)和第一直流电压
9、第五晶体管(t5)，所述第五晶体管(t5)可控制地连接于所述第三参考节点(n3)和一发光二极管器件(oled)的阳极之间，所述第五晶体管(t5)的栅极连接所述第n行使能信号(en)；
10、第六晶体管(t6)，所述第六晶体管(t6)可控制地连接于所述第二参考节点(n2)和第一参考电压(vint)之间，所述第六晶体管的栅极连接第n-1行扫描信号(sn-1)；
11、第七晶体管(t7)，所述第七晶体管(t7)可控制地连接于所述发光二极管器件(oled)的阳极和所述第一参考电压(vint)之间，所述第七晶体管(t7)的栅极连接第n+1行扫描信号(sn+1)；
12、第八晶体管(t8)，所述第八晶体管(t8)可控制地连接于所述第二参考节点(n2)和一第一电容(c1)的第一端，所述第一电容的第二端连接所述第一直流电压(elvdd)，所述第八晶体管(t8)的栅极连接第二参考电压(vref)；
13、第九晶体管(t9)，所述第九晶体管(t9)可控制地连接于所述第二参考节点(n2)和一第二电容(c2)的第一端，所述第九晶体管(t9)的栅极连接所述第八晶体管(t8)的栅极，所述第二电容(c2)的第二端连接所述第一电容的第二端。
14、优选的，所述第一晶体管(t1)、所述第二晶体管(t2)、所述第三晶体管(t3)、所述第四晶体管(t4)、所述第五晶体管(t5)、所述第六晶体管(t6)、所述第七晶体管(t7)、所述第八晶体管(t8)为p型薄膜晶体管，所述第九晶体管(t9)为n型薄膜晶体管。
15、优选的，所述第三晶体管(t3)和所述第六晶体管(t6)为双栅晶体管。
16、优选的，
17、所述第一晶体管(t1)的源极连接所述信号输入端(data)，所述第一晶体管(t1)的漏极连接所述第一参考节点(n1)；
18、所述第二晶体管(t2)的源极连接所述第一参考节点(n1)，所述第二晶体管(t2)的漏极连接所述第三参考节点(n3)；
19、所述第三晶体管(t3)的源极连接所述第二参考节点(n2)，所述第三晶体管(t3)的漏极连接所述第三参考节点(n3)；
20、所述第四晶体管(t4)的源极连接所述第一参考节点(n1)，所述第四晶体管(t4)的漏极连接所述第一直流电压(elvdd)；
21、所述第五晶体管(t5)的源极连接所述第三参考节点(n3)，所述第五晶体管(t5)的漏极连接发光二极管器件(oled)的阳极；
22、所述第六晶体管(t6)的源极连接所述第二参考节点(n2)，所述第六晶体管(t6)的漏极连接所述第一参考电压(vint)；
23、所述第七晶体管(t7)的源极连接所述第五晶体管(t5)的漏极，所述第七晶体管(t7)的漏极连接所述第一参考电压(vint)。
24、优选的，
25、所述第八晶体管(t8)的源极连接所述第二参考节点(n2)，所述第八晶体管(t8)漏极连接所述第一电容(c1)的第一端；
26、所述第九晶体管(t9)的漏极连接所述第二参考节点(n2)，所述第九晶体管(t9)的源极连接所述第二电容(c2)的第一端。
27、优选的，所述第一电容(c1)的容值大于所述第二电容(c2)的容值。
28、优选的，所述发光二极管器件(oled)在高刷新状态下所述第二参考电压(vref)为正电位，所述发光二极管器件(oled)在低刷新状态下所述第二参考电压(vref)为负电位。
29、一种兼容高低刷的新型电路的驱动方法，应用于所述的兼容高低刷的新型电路，其中一个驱动周期内包括，
30、第一时间阶段s1，所述第n行使能信号(en)置为高电平；
31、第二时间阶段s2，所述第n-1行扫描信号(sn-1)置为低电平，所述第六晶体管(t6)打开，将所述第二参考节点(n2)电位初始化为所述第一参考电压(vint)；
32、第三时间阶段s3，所述第n行扫描信号(sn)置为低电平，所述第n-1行扫描信号(sn-1)置为高电平，所述第一晶体管(t1)和所述第三晶体管(t3)打开，所述第二晶体管(t2)的源极和漏极短接，所述第二参考节点(n2)电位由所述第一参考电压(vint)变为所述信号输入端(data)加第二晶体管(t2)电压；
33、第四时间阶段s4，所述第n+1行扫描信号(sn+1)置为低电平，所述第n行扫描信号(sn)置为高电平，所述第七晶体管(t7)打开，对所述发光二极管器件(oled)的阳极进行初始化；
34、第五时间阶段s5，所述第n+1行扫描信号(sn+1)置为高电平；
35、第六时间阶段s6，所述第n行使能信号(en)置为低电平，所述第四晶体管(t4)和所述第五晶体管(t5)打开，所述发光二极管器件(oled)开始发光。
36、优选的，还包括，
37、所述发光二极管器件(oled)在高刷新状态下时所述第二参考电压(vref)为正电位控制所述第九晶体管(t9)打开，对所述第二电容(c2)进行充电；
38、所述发光二极管器件(oled)在低刷新状态下时所述第二参考电压(vref)为负电位控制所述第八晶体管(t8)打开，对所述第一电容(c1)进行本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种兼容高低刷的新型电路，其特征在于，包括，
2.根据权利要求1所述的兼容高低刷的新型电路，其特征在于所述第一晶体管(T1)、所述第二晶体管(T2)、所述第三晶体管(T3)、所述第四晶体管(T4)、所述第五晶体管(T5)、所述第六晶体管(T6)、所述第七晶体管(T7)、所述第八晶体管(T8)为P型薄膜晶体管，所述第九晶体管(T9)为N型薄膜晶体管。
3.根据权利要求1所述的兼容高低刷的新型电路，其特征在于，所述第三晶体管(T3)和所述第六晶体管(T6)为双栅晶体管。
4.根据权利要求2所述的兼容高低刷的新型电路，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的兼容高低刷的新型电路，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的兼容高低刷的新型电路，其特征在于，所述第一电容(C1)的容值大于所述第二电容(C2)的容值。
7.根据权利要求1所述的兼容高低刷的新型电路，其特征在于，所述发光二极管器件(OLED)在高刷新状态下所述第二参考电压(Vref)为正电位，所述发光二极管器件(OLED)在低刷新状态下所述第二参考电压(Vre
8.一种兼容高低刷的新型电路的驱动方法，应用于如权利要求1-7中任意一项所述的兼容高低刷的新型电路，其特征在于，一个驱动周期内包括，
9.根据权利要求8所述的兼容高低刷的新型电路的驱动方法，其特征在于，还包括，
10.根据权利要求8所述的兼容高低刷的新型电路的驱动方法，其特征在于，第六时间阶段S6中，所述第二晶体管(T2)的栅极电位为所述第二参考节点(N2)电位，第二晶体管(T2)的源极电位为所述第一直流电压(ELVDD)。
...【技术特征摘要】
1.一种兼容高低刷的新型电路，其特征在于，包括，
2.根据权利要求1所述的兼容高低刷的新型电路，其特征在于所述第一晶体管(t1)、所述第二晶体管(t2)、所述第三晶体管(t3)、所述第四晶体管(t4)、所述第五晶体管(t5)、所述第六晶体管(t6)、所述第七晶体管(t7)、所述第八晶体管(t8)为p型薄膜晶体管，所述第九晶体管(t9)为n型薄膜晶体管。
3.根据权利要求1所述的兼容高低刷的新型电路，其特征在于，所述第三晶体管(t3)和所述第六晶体管(t6)为双栅晶体管。
4.根据权利要求2所述的兼容高低刷的新型电路，其特征在于，
5.根据权利要求2所述的兼容高低刷的新型电路，其特征在于，
6.根据权利要求1所述的兼容高低刷的新型电路，其特征在于，所述第一电容(c1)的容...
【专利技术属性】
技术研发人员：金程威，刘杰，邵姗，
申请(专利权)人：上海和辉光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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