【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路领域，具体涉及一种射频开关电路及其偏置电路。
技术介绍
1、随着无线移动通信技术的不断发展，射频开关也应用也越来越多，射频开关的性能也直接会影响到器件的性能。射频开关是一种通讯领域信号的开关，其具有信号输入端口和信号输出端口，作用是将信号输入端口和信号输出端口导通或断开，从而切换信号通路。隔离度、插入损耗、开关时间、功率处理能力和谐波性能等都是射频开关比较重要的性能指标，可以通过这些指标来评价一个射频开关的好坏。
2、各个性能指标例如开关时间等都还改进空间。
技术实现思路
1、本专利技术主要为了提升射频开关电路的开关时间这一性能指标，为此本专利技术提出一种射频开关电路及其偏置电路，下面具体说明。
2、根据第一方面，一种实施例中提供一种射频开关电路，包括：
3、射频输入端口，用于输入射频信号；
4、射频输出端口，用于输出射频信号；
5、级联于所述射频输入端口和所述射频输出端口之间的n级射频开关晶体管，所述射频开关晶体管包括第一控制极、第二控制极、第一极和第二极；
6、用于第一控制极的偏置电路组，用于对各射频开关晶体管的第一控制极提供偏置电压；
7、用于第二控制极的偏置电路组，用于对各射频开关晶体管的第二控制极提供偏置电压；所述用于第二控制极的偏置电路组包括n级偏置电路，每一级偏置电路对应一级射频开关晶体管，用于为对应级的射频开关晶体管的第二控制极提供偏置电压：所述偏置电路包括第一
8、用于第一极和第二极的偏置电路组，用于对各射频开关晶体管的第一极和第二极提供偏置电压；
9、控制端，用于接收控制信号，所述控制信号用于控制各偏置电路组向各射频开关晶体管的所提供的偏置电压，以控制各射频开关晶体管的导通和断开。
10、一实施例中，若所述第一晶体管为n型晶体管，所述第一晶体管的第二控制极与所述第一晶体管的第二极连接；若所述第一晶体管为p型晶体管，所述第一晶体管的第二控制极与所述第一晶体管的第一极连接。
11、一实施例中，所述第二晶体管还包括第一控制极；
12、若所述第一晶体管为n型晶体管且所述第二晶体管为n型晶体管，所述第二晶体管的第一控制极与所述第二晶体管的第二极连接；若所述第一晶体管为n型晶体管且所述第二晶体管为p型晶体管，所述第二晶体管的第一控制极与所述第二晶体管的第一极连接；
13、若所述第一晶体管为p型晶体管且所述第二晶体管为n型晶体管，所述第二晶体管的第一控制极与所述第二晶体管的第一极连接；若所述第一晶体管为p型晶体管且所述第二晶体管为p型晶体管，所述第二晶体管的第一控制极与所述第二晶体管的第二极连接。
14、一实施例中，所述第二晶体管还包括第二控制极；
15、若所述第一晶体管为n型晶体管且所述第二晶体管为n型晶体管，所述第二晶体管的第一控制极与所述第二晶体管的第二极连接；若所述第一晶体管为n型晶体管且所述第二晶体管为p型晶体管，所述第二晶体管的第一控制极与所述第二晶体管的第一极连接；
16、若所述第一晶体管为p型晶体管且所述第二晶体管为n型晶体管，所述第二晶体管的第一控制极与所述第二晶体管的第一极连接；若所述第一晶体管为p型晶体管且所述第二晶体管为p型晶体管，所述第二晶体管的第一控制极与所述第二晶体管的第二极连接。
17、一实施例中，所述第二晶体管为晶体二极管，所述第二晶体管的第一极为晶体二极管的阴极，所述第二晶体管的第二极为晶体二极管的阳极。
18、一实施例中，当所述控制信号为无效信号时，所述射频开关晶体管的第一极和第二极之间为断开状态，当所述控制信号为有效信号时，所述射频开关晶体管的第一极和第二极之间为导通状态。
19、一实施例中，当所述控制信号由无效信号变为有效信号时：所述第二晶体管为反偏状态，使得所述第一晶体管的第一控制极和第二控制极处于断开状态，从而使得所述第一晶体管的第一极和第二极之间导通，从而使得所述射频开关晶体的第一控制极和第二控制极之间导通；当所述第一晶体管的第一控制极的电荷通过所述第二晶体管漏电泄放完成后，所述第一晶体管的第一极和第二极断开；使得所述射频开关晶体管开启，其第一极和第二极之间为导通状态；
20、一实施例中，当所述控制信号由有效信号变为无效信号时：通过所述第一晶体管使得所述射频开关晶体管的第一控制极和第二控制极之间导通，从而使得所述射频开关晶体管断开，其第一控制极和第二控制极之间为断开状态。
21、根据第二方面，一种实施例中提供一种用于射频开关晶体管的偏置电路，所述射频开关晶体第一控制极、第二控制极、第一极和第二极；所述偏置电路包括第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管包括第一极、第二极、第一控制极和第二控制极；所述第二晶体管包括第一极和第二极；
22、所述第一晶体管的第一极与所述射频开关晶体管的第一控制极连接，所述第一晶体管的第二极与所述射频开关晶体管的第二控制极连接；所述第一晶体管的第一控制极与所述第二晶体管的第一极连接，所述第一晶体管的第二控制极与所述第二晶体管的第二极连接；所述第一晶体管的第二控制极还与所述第一晶体管的第一极或第二极连接。
23、一实施例中，若所述第一晶体管为n型晶体管，所述第一晶体管的第二控制极与所述第一晶体管的第二极连接。
24、一实施例中，所述第二晶体管还包括第一控制极；若所述第二晶体管为n型晶体管，所述第二晶体管的第一控制极与所述第二晶体管的第二极连接；若所述第二晶体管为p型晶体管，所述第二晶体管的第一控制极与所述第二晶体管的第一极连接。
25、一实施例中，所述第二晶体管还包括第二控制极，若所述第二晶体管为n型晶体管，所述第二晶体管的第一控制极与所述第二晶体管的第二极连接；若所述第二晶体管为p型晶体管，所述第二晶体管的第一控制极与所述第二晶体管的第一极连接。
26、一实施例中，若所述第一晶体管为p型晶体管，所述第一晶体管的第二控制极与所述第一晶体管的第一极连接。
27、一实施例中，所述第二晶体管还包括第一控制极；若所述第二晶体管为n型晶体管，所述第二晶体管的第一控制极与所述第二晶体管的第一极连接；若所述第二晶体管为p型晶体管，所述第二晶体管的第一控制极与所述第二晶体管的第二极连接。
28、一实施例中，所述第二晶体管还包括第二控制极，若所述第二晶体管为n型晶体管，所述第二晶体管的第一控制极与所述第二晶体管本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种射频开关电路，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，若所述第一晶体管为N型晶体管，所述第一晶体管的第二控制极与所述第一晶体管的第二极连接；若所述第一晶体管为P型晶体管，所述第一晶体管的第二控制极与所述第一晶体管的第一极连接。
3.如权利要求2所述的射频开关电路，其特征在于，所述第二晶体管还包括第一控制极；
4.如权利要求2所述的射频开关电路，其特征在于，所述第二晶体管还包括第二控制极；
5.如权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，所述第二晶体管为晶体二极管，所述第二晶体管的第一极为晶体二极管的阴极，所述第二晶体管的第二极为晶体二极管的阳极。
6.如权利要求1至5中任一项所述的射频开关电路，其特征在于，当所述控制信号为无效信号时，所述射频开关晶体管的第一极和第二极之间为断开状态，当所述控制信号为有效信号时，所述射频开关晶体管的第一极和第二极之间为导通状态；
7.一种用于射频开关晶体管的偏置电路，所述射频开关晶体第一控制极、第二控制极、第一极和第二极；其特征在于，所述偏置
8.如权利要求7所述的偏置电路，其特征在于，若所述第一晶体管为N型晶体管，所述第一晶体管的第二控制极与所述第一晶体管的第二极连接。
9.如权利要求8所述的偏置电路，其特征在于，所述第二晶体管还包括第一控制极；若所述第二晶体管为N型晶体管，所述第二晶体管的第一控制极与所述第二晶体管的第二极连接；若所述第二晶体管为P型晶体管，所述第二晶体管的第一控制极与所述第二晶体管的第一极连接。
10.如权利要求8所述的偏置电路，其特征在于，所述第二晶体管还包括第二控制极，若所述第二晶体管为N型晶体管，所述第二晶体管的第一控制极与所述第二晶体管的第二极连接；若所述第二晶体管为P型晶体管，所述第二晶体管的第一控制极与所述第二晶体管的第一极连接。
11.如权利要求7所述的偏置电路，其特征在于，若所述第一晶体管为P型晶体管，所述第一晶体管的第二控制极与所述第一晶体管的第一极连接。
12.如权利要求11所述的偏置电路，其特征在于，所述第二晶体管还包括第一控制极；若所述第二晶体管为N型晶体管，所述第二晶体管的第一控制极与所述第二晶体管的第一极连接；若所述第二晶体管为P型晶体管，所述第二晶体管的第一控制极与所述第二晶体管的第二极连接。
13.如权利要求11所述的偏置电路，其特征在于，所述第二晶体管还包括第二控制极，若所述第二晶体管为N型晶体管，所述第二晶体管的第一控制极与所述第二晶体管的第一极连接；若所述第二晶体管为P型晶体管，所述第二晶体管的第一控制极与所述第二晶体管的第二极连接。
14.如权利要求7所述的偏置电路，其特征在于，所述第二晶体管为晶体二极管，所述第二晶体管的第一极为晶体二极管的阴极，所述第二晶体管的第二极为晶体二极管的阳极。
15.如权利要求7至14中任一项所述的偏置电路，其特征在于，所述射频开关晶体第一控制极用于接收控制信号；当所述控制信号为无效信号时，所述射频开关晶体管的第一极和第二极之间为断开状态，当所述控制信号为有效信号时，所述射频开关晶体管的第一极和第二极之间为导通状态；
16.如权利要求15所述的偏置电路，其特征在于，当所述控制信号由有效信号变为无效信号时：通过所述第一晶体管使得所述射频开关晶体管的第一控制极和第二控制极之间导通，从而使得所述射频开关晶体管断开，其第一控制极和第二控制极之间为断开状态。
...【技术特征摘要】
1.一种射频开关电路，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，若所述第一晶体管为n型晶体管，所述第一晶体管的第二控制极与所述第一晶体管的第二极连接；若所述第一晶体管为p型晶体管，所述第一晶体管的第二控制极与所述第一晶体管的第一极连接。
3.如权利要求2所述的射频开关电路，其特征在于，所述第二晶体管还包括第一控制极；
4.如权利要求2所述的射频开关电路，其特征在于，所述第二晶体管还包括第二控制极；
5.如权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于，所述第二晶体管为晶体二极管，所述第二晶体管的第一极为晶体二极管的阴极，所述第二晶体管的第二极为晶体二极管的阳极。
6.如权利要求1至5中任一项所述的射频开关电路，其特征在于，当所述控制信号为无效信号时，所述射频开关晶体管的第一极和第二极之间为断开状态，当所述控制信号为有效信号时，所述射频开关晶体管的第一极和第二极之间为导通状态；
7.一种用于射频开关晶体管的偏置电路，所述射频开关晶体第一控制极、第二控制极、第一极和第二极；其特征在于，所述偏置电路包括第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管包括第一极、第二极、第一控制极和第二控制极；所述第二晶体管包括第一极和第二极；
8.如权利要求7所述的偏置电路，其特征在于，若所述第一晶体管为n型晶体管，所述第一晶体管的第二控制极与所述第一晶体管的第二极连接。
9.如权利要求8所述的偏置电路，其特征在于，所述第二晶体管还包括第一控制极；若所述第二晶体管为n型晶体管，所述第二晶体管的第一控制极与所述第二晶体管的第二极连接；若所述第二晶体管为p型晶体管，所述第二晶体管的第一控制极与所述第二晶体管的第一极连接。
10.如权利要求8所述的偏置电路，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯昊，李小勇，
申请(专利权)人：苏州瀚宸科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。