【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及基板加工的领域，尤其是涉及多层陶瓷基板制造工艺。
技术介绍
1、随着电子器件、模块向微型化、集成化和高频化方向发展，要求基板能够满足高传输速度、高布线密度等需求，低温共烧陶瓷技术运用而生。高温共烧陶瓷技术与低温共烧陶瓷技术工艺流程相近，都需要经过混料、生瓷带流延、冲孔、填孔、印刷、叠片、压合、热切割、共烧、烧后处理、成品分离等关键工序。
2、本专利技术提供一种多层陶瓷基板制造工艺。
技术实现思路
1、为了解决上述技术问题，本专利技术提供多层陶瓷基板制造工艺。
2、本专利技术提供的多层陶瓷基板制造工艺采用如下的技术方案：
3、多层陶瓷基板制造工艺，陶瓷双列直插封装、陶瓷无引线芯片载体、陶瓷格栅阵列、陶瓷针栅阵列和陶瓷球栅阵列，且均为底座和堤坝构成的空腔结构，芯片通过导热胶粘贴固定在底座上，引线键合完成后进行堤坝顶端光学玻璃盖板封帽，陶瓷格栅阵列、陶瓷针栅阵列和陶瓷球栅阵列的引脚数高于100的芯片，陶瓷双列直插封装、陶瓷无引线芯片载体的引脚数低于100的芯片，陶瓷无引线芯片载体的封装面积只有陶瓷双列直插封装的1/5～1/7。
4、可选的，陶瓷无引线芯片载体为长方形，节距e＝0.70mm，键合区通过四周的半圆柱形镀金凹槽与底部引出焊盘连接，74个镀金凹槽排布在陶瓷无引线芯片载体的长边和宽边上，半圆柱形镀金凹槽的高度h＝0.80mm半径r1＝0.15mm。
5、可选的，键合区的键合指设计成单层排布。
6、
7、可选的，在孔内填充导体浆料，完成孔壁金属化，将导体浆料经不锈钢网版压入生瓷带上冲好的孔中，不锈钢网版的孔径略小于生瓷带上对应孔的孔径。
8、可选的，印刷压强为0.2mpa～0.6mpa，速度为5mm/s～30mm/s，刮刀角度为45°～75°，刮刀硬度为hs65～hs85。
9、可选的，填孔完成后，采用烘干箱对孔内导体浆料进行烘干，烘干温度为50℃～80℃，烘干时间为5min～40min，采用整平机对孔周围进行整平，压强为0.5mpa～5mpa，时间为10s～120s。
10、可选的，采用丝网印刷，印刷时，刮刀施加压力并沿着丝网移动，丝网发生弹性变形从而与生瓷带接触，导体浆料发生剪切变稀从而顺利通过网孔并开始润湿生瓷带。
11、可选的，丝网采用250～500目、丝径13～30μm、张力20～40n/cm的不锈钢丝网。
12、综上所述，本专利技术包括以下至少一种有益技术效果：
13、1.在孔内填充导体浆料，完成孔壁金属化，将导体浆料经不锈钢网版压入生瓷带上冲好的孔中，不锈钢网版的孔径略小于生瓷带上对应孔的孔径，通过刮刀施加的切向和法向力，将导体浆料经不锈钢网版压入生瓷带上冲好的孔中，不锈钢网版的孔径略小于生瓷带上对应孔的孔径，这种方式效率高，填充量易于控制；
14、2.导体浆料发生剪切变稀从而顺利通过网孔并开始润湿生瓷带，网孔中的导体浆料底面受生瓷带粘附力，侧面受丝网线粘附力，并且生瓷带粘附力大于丝网线粘附力，刮刀扫过印刷区域后，丝网弹性变形恢复，网孔中的小柱状导体浆料在网孔侧壁附近断裂，沉积到生瓷带上，形成线路图形。
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1.多层陶瓷基板制造工艺，其特征在于：陶瓷双列直插封装、陶瓷无引线芯片载体、陶瓷格栅阵列、陶瓷针栅阵列和陶瓷球栅阵列，且均为底座和堤坝构成的空腔结构，芯片通过导热胶粘贴固定在底座上，引线键合完成后进行堤坝顶端光学玻璃盖板封帽，陶瓷格栅阵列、陶瓷针栅阵列和陶瓷球栅阵列的引脚数高于100的芯片，陶瓷双列直插封装、陶瓷无引线芯片载体的引脚数低于100的芯片，陶瓷无引线芯片载体的封装面积只有陶瓷双列直插封装的1/5～1/7。
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷基板制造工艺，其特征在于：陶瓷无引线芯片载体为长方形，节距e＝0.70mm，键合区通过四周的半圆柱形镀金凹槽与底部引出焊盘连接，74个镀金凹槽排布在陶瓷无引线芯片载体的长边和宽边上，半圆柱形镀金凹槽的高度H＝0.80mm半径R1＝0.15mm。
3.根据权利要求1所述的多层陶瓷基板制造工艺，其特征在于：键合区的键合指设计成单层排布。
4.根据权利要求1所述的多层陶瓷基板制造工艺，其特征在于：多层陶瓷基板不同层间的线路图形由过孔连接起来进行冲孔。
5.根据权利要求4所述的多层陶瓷基板制造工
6.根据权利要求5所述的多层陶瓷基板制造工艺，其特征在于：印刷压强为0.2MPa～0.6MPa，速度为5mm/s～30mm/s，刮刀角度为45°～75°，刮刀硬度为HS65～HS85。
7.根据权利要求6所述的多层陶瓷基板制造工艺，其特征在于：填孔完成后，采用烘干箱对孔内导体浆料进行烘干，烘干温度为50℃～80℃，烘干时间为5min～40min，采用整平机对孔周围进行整平，压强为0.5MPa～5MPa，时间为10s～120s。
8.根据权利要求7所述的多层陶瓷基板制造工艺，其特征在于：采用丝网印刷，印刷时，刮刀施加压力并沿着丝网移动，丝网发生弹性变形从而与生瓷带接触，导体浆料发生剪切变稀从而顺利通过网孔并开始润湿生瓷带。
9.根据权利要求8所述的多层陶瓷基板制造工艺，其特征在于：丝网采用250～500目、丝径13～30μm、张力20～40N/cm的不锈钢丝网。
...【技术特征摘要】
1.多层陶瓷基板制造工艺，其特征在于：陶瓷双列直插封装、陶瓷无引线芯片载体、陶瓷格栅阵列、陶瓷针栅阵列和陶瓷球栅阵列，且均为底座和堤坝构成的空腔结构，芯片通过导热胶粘贴固定在底座上，引线键合完成后进行堤坝顶端光学玻璃盖板封帽，陶瓷格栅阵列、陶瓷针栅阵列和陶瓷球栅阵列的引脚数高于100的芯片，陶瓷双列直插封装、陶瓷无引线芯片载体的引脚数低于100的芯片，陶瓷无引线芯片载体的封装面积只有陶瓷双列直插封装的1/5～1/7。
2.根据权利要求1所述的多层陶瓷基板制造工艺，其特征在于：陶瓷无引线芯片载体为长方形，节距e＝0.70mm，键合区通过四周的半圆柱形镀金凹槽与底部引出焊盘连接，74个镀金凹槽排布在陶瓷无引线芯片载体的长边和宽边上，半圆柱形镀金凹槽的高度h＝0.80mm半径r1＝0.15mm。
3.根据权利要求1所述的多层陶瓷基板制造工艺，其特征在于：键合区的键合指设计成单层排布。
4.根据权利要求1所述的多层陶瓷基板制造工艺，其特征在于：多层陶瓷基板不同层间的线路图形由过孔连接起来进行冲孔。
5.根据权利要求4所述的多...
【专利技术属性】
技术研发人员：车婷婷，张理，
申请(专利权)人：无锡振豪康科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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