System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 一种显示面板及其制备方法技术_技高网

一种显示面板及其制备方法技术

技术编号:40276704 阅读:12 留言:0更新日期:2024-02-02 23:04
本申请提供一种显示面板及其制备方法,显示面板包括基板,以及设置在基板的同一侧的薄膜晶体管和光电探测器,薄膜晶体管和光电探测器在平行于基板的方向上相邻。薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极,光电探测器包括第一电极、光电探测层和第二电极。有源层位于栅极背离基板的一侧,源极和漏极位于有源层上且间隔设置。光电探测层位于第一电极背离基板的一侧,第二电极位于光电探测层背离第一电极的一侧。由于栅极和第一电极同层设置且包括相同的材料,因此可以利用一道掩模板一起形成。相对于形成薄膜晶体管的工艺,仅需要增加形成光电探测层和第二电极的掩模板就可以实现光电探测器和薄膜晶体管的集成,掩模板的数量少,工艺成本低。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及显示,尤其涉及一种显示面板及其制备方法


技术介绍

1、光电探测器在相机,计算机视觉,人机交互,非触控式触摸屏和具有识别能力的智能屏等领域具有广泛的应用前景。但光电探测器通常需要和晶体管技术集成来实现信号的寻址和处理。作为显示行业最为成熟的技术,非晶硅晶体管因具有版图数量少,工艺稳定,成本低廉等优势而广受关注。

2、但光电探测器集成在非晶硅晶体管的上方,即光电探测器与非晶硅晶体管在垂直基板的方向堆叠,往往需要多付出4-5道掩模板的代价,故而成为限制其应用的巨大瓶颈。

3、申请内容

4、本申请的目的在于提供一种显示面板及其制备方法,旨在减少薄膜晶体管和光电探测器集成使用的掩模板的数量,从而降低工艺成本。

5、一方面,本申请提供一种显示面板,所述显示面板包括:

6、基板,

7、薄膜晶体管和光电探测器,设置在所述基板的同一侧且在平行于所述基板的方向相邻;

8、其中,所述薄膜晶体管包括栅极,位于所述栅极背离所述基板一侧的有源层,以及位于所述有源层上间隔设置的源极和漏极;所述光电探测器包括第一电极,位于所述第一电极背离所述基板一侧的光电探测层,以及位于所述光电探测层背离所述第一电极一侧的第二电极;

9、所述栅极和所述第一电极同层设置,且包括相同的材料。

10、在一些实施例中,所述第二电极的俯视图案与所述光电探测层的俯视图案相同。

11、在一些实施例中,所述第一电极包括沿靠近所述栅极的方向伸出所述光电探测层的突出部,所述显示面板还包括:

12、第一引出电极,通过第一过孔与所述第一电极的所述突出部连接;

13、第二引出电极,通过第二过孔与所述第二电极连接。

14、在一些实施例中,所述显示面板还包括:

15、介电层,覆盖所述第二电极、所述第一电极的所述突出部、以及所述栅极;

16、保护层,覆盖所述介电层、所述源极和所述漏极;

17、其中,所述第一过孔和所述第二过孔均贯穿所述介电层和所述保护层。

18、在一些实施例中,所述显示面板还包括:

19、像素电极,通过第三过孔与所述源极连接,所述第三过孔贯穿所述保护层;

20、其中,所述第一引出电极、所述第二引出电极和所述像素电极均位于所述保护层上,且同层设置。

21、在一些实施例中,所述第一引出电极通过第四过孔与所述漏极连接,或者所述第二引出电极通过第四过孔与所述漏极连接。

22、在一些实施例中,所述光电探测层包括本征氢化非晶硅、磷掺杂氢化非晶硅、硼掺杂氢化非晶硅、氟掺杂非晶硅的其中一种,或是其中任意两者或三者所组成的叠层。

23、在一些实施例中,有源层包括本征氢化非晶硅。

24、另一方面,本申请一种显示面板的制备方法,所述显示面板的制备方法包括:

25、提供基板,

26、在所述基板上形成缓冲层;

27、在所述缓冲层上利用一道掩模板形成同层设置的第一电极和栅极;

28、在所述第一电极上利用一道掩模板,通过刻蚀工艺依次形成第二电极和位于所述第二电极与所述第一电极之间的光电探测层;

29、形成覆盖所述第二电极和所述栅极的介电层;

30、在所述介电层上形成对应所述栅极上方的有源层,以及位于所述有源层上间隔设置的源极和漏极;

31、形成覆盖所述第一电极、所述源极和所述漏极的保护层;

32、在所述保护层中形成分别暴露所述第一电极的第一过孔、暴露所述第二电极的第二过孔、暴露所述源极的第三过孔和暴露所述漏极的第四过孔;

33、在所述保护层上、所述第一过孔、所述第二过孔、所述第三过孔和所述第四过孔中形成电极层,所述电极层包括连接所述第一电极的第一引出电极、连接所述第二电极的第二引出电极、连接所述源极的像素电极,且所述第一引出电极还通过所述第四过孔连接所述漏极。

34、在一些实施例中,所述在所述介电层上形成对应所述栅极上方的有源层,以及位于所述有源层上间隔设置的源极和漏极的步骤,包括:

35、在所述介电层上依次沉积有源层材料和源漏金属材料;

36、利用一道半色调掩模版,通过刻蚀工艺形成对应所述栅极上方的有源层和位于所述有源层上间隔设置的源极和漏极。

37、本申请提供一种显示面板及其制备方法,显示面板包括基板,以及设置在所述基板的同一侧的薄膜晶体管和光电探测器,薄膜晶体管和光电探测器在平行于所述基板的方向上相邻。薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极,光电探测器包括第一电极、光电探测层和第二电极。其中,有源层位于所述栅极背离所述基板的一侧,源极和漏极位于所述有源层上且间隔设置。光电探测层位于所述第一电极背离所述基板的一侧,第二电极位于所述光电探测层背离所述第一电极的一侧。该显示面板实现了薄膜晶体管和光电探测器在平行于基板方向的集成,相比于现有技术中堆叠的集成结构,本申请可以简化结构、降低显示面板的厚度。其中,所述栅极和所述第一电极同层设置,且包括相同的材料,因此可以利用一道掩模板一起形成。相对于形成薄膜晶体管的工艺,仅需要增加形成光电探测层和第二电极的掩模板就可以实现光电探测器和薄膜晶体管的集成,掩模板的数量少,工艺成本低。


技术实现思路

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:

2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二电极的俯视图案与所述光电探测层的俯视图案相同。

3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一电极包括沿靠近所述栅极的方向伸出所述光电探测层的突出部,所述显示面板还包括:

4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:

5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:

6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一引出电极通过第四过孔与所述漏极连接,或者所述第二引出电极通过第四过孔与所述漏极连接。

7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述光电探测层包括本征氢化非晶硅、磷掺杂氢化非晶硅、硼掺杂氢化非晶硅、氟掺杂非晶硅的其中一种,或是其中任意两者或三者所组成的叠层。

8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,有源层包括本征氢化非晶硅。

9.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述显示面板的制备方法包括:

10.根据权利要求9所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述在所述介电层上形成对应所述栅极上方的有源层,以及位于所述有源层上间隔设置的源极和漏极的步骤,包括:

...

【技术特征摘要】

1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括:

2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二电极的俯视图案与所述光电探测层的俯视图案相同。

3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一电极包括沿靠近所述栅极的方向伸出所述光电探测层的突出部,所述显示面板还包括:

4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:

5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:

6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一引出电极通过第四过孔与所述漏极连接,或者所...

【专利技术属性】
技术研发人员:周志超谭志威
申请(专利权)人:惠州华星光电显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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