【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及模拟集成电路，特别是涉及一种选择性溢出lofic像素结构。
技术介绍
1、人类获取信息的重要来源之一是人眼，能将人眼所看到的画面记录并保存下来的固态图像传感器成为人们记录图像信息的关键技术。图像传感器分为电荷耦合器件(charge coupled device,ccd)图像传感器和互补金属氧化物半导体(complementarymetal oxide semiconductor,cmos)图像传感器。coms图像传感器(cmos image sensor，cis)是利用器件的光电转换功能，将感光面上的光像转换为与光像成相应比例的电信号的一种功能器件。
2、动态范围(dynamic range,dr)是cis关键性能参数之一，它指示了cis能够在同一帧图像中同时探测到的最大光强信号和最小光强信号的范围，动态范围越高，图像对比度细节越清晰，人们希望通过提高dr来还原真实图像信息。
3、横向溢出集成电容(lateral overflow integration capacitor，lofic)技术是提升动...
【技术保护点】
1.选择性溢出LOFIC像素结构，其特征在于，包括光电二极管PD，传输晶体管TG，无效溢出晶体管SO，有效溢出晶体管SGA，线性跟随晶体管OSF，开关晶体管SGB，复位晶体管RST，LOFIC电容Cs，浮动扩散电容FD，源跟随晶体管SF，行选择晶体管SEL；
2.根据权利要求1所述选择性溢出LOFIC像素结构，其特征在于，通过控制有效溢出晶体管SGA和无效溢出晶体管SO的关断电压、栅长、栅下掺杂来改变电荷溢出路径上的发射势垒，以及通过改变栅宽来调整溢流通道宽度的方法；从而控制饱和电荷的选择溢出比例，通过减小选择溢出比，实现LOFIC电容的等效放大。
...【技术特征摘要】
1.选择性溢出lofic像素结构，其特征在于，包括光电二极管pd，传输晶体管tg，无效溢出晶体管so，有效溢出晶体管sga，线性跟随晶体管osf，开关晶体管sgb，复位晶体管rst，lofic电容cs，浮动扩散电容fd，源跟随晶体管sf，行选择晶体管sel；
2.根据权利要求1所述选择性溢出lofic像素结构，其特征在于，通过控制有效溢出晶体管sga和无效溢出晶体管so的关断电压、栅长、栅下掺杂来改变电荷溢出路径上的发射势垒，以及通过改变栅宽来调整溢流通道宽度的方法；从而控制饱和电荷的选择溢出比例，通过减小选择溢出比，实现lofic电容的等效放大。
3.根据权利要求2所述选择性溢出lofic像素结构，其特征在于，定义sov为选择溢出比，其值为在曝光阶段ppd向有效溢出晶体管sga发射的电子...
【专利技术属性】
技术研发人员：高志远，张玉增，陈倩，聂凯明，马彪，徐江涛，高静，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：
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