【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于集成电路领域，特别涉及一种晶体管电压降测量技术。
技术介绍
1、电压降是指芯片中电源和地网络上电压下降或升高的一种现象，这种现象有时候严重影响芯片的性能甚至功能。随着半导体加工工艺的进步，金属互连线的宽度越来越窄，导致相应的电阻值上升，所以在整个芯片范围内将存在一定的电压降。电压降的大小决定决定于多个方面。在现代集成电路中，一定程度的电压降是不可避免的。电压降的出现会影响晶体管速率，尤其在深亚微米的工艺下，这种现象更加明显，经过大量实验表明，逻辑单元上5％的电压降将影响正常的门速率的15％。
2、在一些测试场合，特别是一些精确测量场合，我们希望能够消除电压降的影响以提升测量的精度。但是在很多芯片没有内嵌相应的测试结构根本无法测量。其中一种可能的方法是采用adc直接在内部进行采样，量化相应的电压降并输出，但是由于adc的面积非常大，且在实际的过程中adc电路需要与数字电路进行隔离处理，难以实现。因此集成电路电压降的精确修正仍然是重要问题。
技术实现思路
1、为解决上述技术问题，本专利技术提出一种集成电路电压降修正方法，结合环形振荡电路、仿真模型和实测数据实现电压降的修正。
2、本专利技术采用的技术方案为：一种集成电路电压降修正方法，包括：
3、s1、搭建环形振荡器电路：
4、基于电路仿真软件按照芯片工艺和相应的参数，搭建环形振荡器电路，所有的参数与流片中的一致，包括环形振荡器结构、spice工艺参数模型和晶体管参数等。p>
5、s2、spice仿真：
6、基于步骤s1所搭建的振荡器电路在相同的温度条件下(一般为室温)进行仿真，输入数据为电源电压vdd，输出数据为相应电压vdd下的环形振荡器振荡频率f。通过施加不同的电源电压vdd，得到不同的环形振荡器振荡频率，从而产生仿真数据d1。
7、d1、仿真数据：为步骤s2所得的仿真结果，即电源电压vdd和环形振荡器振荡频率f的集合；
8、s3、数据拟合处理：
9、基于仿真数据d1，结合公式f＝k*(vdd-vth)α进行拟合处理，得到固定值：k＝c1、vth＝c2和α＝c3。此处不限于常规数据拟合方法或者机器学习拟合方法。
10、m1：参数化公式模型：基于步骤s3的结果，得到参数化公式模型f＝c1*(vdd-vir-c2)c3。
11、s4：环形振荡器在片测试：前期相应的环形振荡器电路已经进行流片，其流片电路参数与步骤s1中的一致，包括环形振荡器结构、spice工艺参数模型和晶体管参数等。
12、在相同的温度条件下(一般为室温)进行仿真，输入数据为电源电压vdd，输出数据为相应电压vdd下的环形振荡器振荡频率f。通过施加不同的电源电压vdd，得到不同的环形振荡器振荡频率，从而产生在片测试数据d2。
13、d2：在片测试数据d2：为步骤s4所得的在片测试结果，即电源电压vdd和环形振荡器振荡频率f的集合；
14、s5：基于参数化公式模型的数据处理：
15、基于在片测试数据d2，结合参数化公式模型f＝c1*(vdd-vir-vth)c3，得到相应的vir；
16、m2：电压降修正模型：基于s5的处理结果得到电压降修正模型，电压降模型以查找表的形式存在，以vdd为输入，vir为输出。
17、s6：电压降修正处理：基于电压降修正模型进行电压降修正处理。
18、本专利技术的有益效果：本专利技术提出了一种集成电路电压降的修正方法，该方法通过环形振荡器对电压降进行探测，并通过仿真模型、仿真数据和测量数据实现对电压降的修正。本专利技术的有益效果主要表现为三点：(1)环形振荡器电路结构简单，易于实现与集成；且环形振荡器对于电压降比较敏感，可以提高测量精度；(2)采用仿真和片上测试相结合的方法实现参数和电压降确定，结合实际模型且易用；(3)电压降模型以查找表的形式存在，以vdd为输入，vir为输出，更能准确表示电压降，利于电压降修正。
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1.一种电压降修正方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种电压降修正方法，其特征在于，参数化公式模型M1：参数化公式模型f＝C1*(VDD-VIR-C2)C3。
3.根据权利要求2所述的一种电压降修正方法，其特征在于，电压降修正模型M2：基于S5的处理结果得到电压降修正模型，电压降模型以查找表的形式存在，以VDD为输入，VIR为输出。
【技术特征摘要】
1.一种电压降修正方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的一种电压降修正方法，其特征在于，参数化公式模型m1：参数化公式模型f＝c1*(vdd-vir-c2)c3。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：李磊，周婉婷，
申请(专利权)人：电子科技大学长三角研究院湖州，
类型：发明
国别省市：
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