【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及有机发光二极管，具体为一种蒽基深蓝光材料的合成方法及其在oled中的应用。
技术介绍
1、有机发光二极管(oled)因其具有柔性显示、宽视角、响应快、效率高、超薄和功耗低等众多优势而成为近年来的研究热点，oled的光色由发光材料决定，高效稳定的蓝、绿、红三原色发光材料在全彩显示与白光照明领域具有重要地位；目前，绿光和红光材料在商用中已经取得了快速的发展，而蓝光材料，尤其是深蓝光材料，由于具有能隙宽、三线态能量高的特点，使得其性能尚不能满足要求；因此，开发高效稳定的深蓝光材料就成了研究的重点和难点。
2、当下商业化的蓝光oled仍然采用传统蓝色荧光材料，这主要是因为蓝色荧光材料具有较长的寿命及高的色纯度，同时，荧光材料易通过分子结构设计调控材料性能，在蓝色磷光和热活化延迟荧光材料还未同时达到高效率和高寿命时，传统蓝色荧光材料依然在蓝光oled的制备中难以被取代；尽管如此，基于传统荧光材料的oled的效率依然不尽人意，这是因为传统荧光oled的内量子效率(iqe)上限为25％，一般来说，oled的光取出效率在20-30％之间，这就意味着传统荧光oled的理论eqe范围仅为5-7.5％。
3、蒽环作为很好的蓝光发光材料，近年来对以蒽环作为发光中心的有机共轭荧光分子的研究越来越多，作为主体或客体发光材料成功应用到oled器件中，但由于这些材料大都具有合成难、不易提纯、易结晶、稳定性差等特点，导致oled器件效率低、寿命短；本专利技术通过两步suzuki偶联反应制备出高效稳定的蒽基深蓝光材料，对推动o
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供一种蒽基深蓝光材料的合成方法及其在oled中的应用；所制备的材料热稳定性好和发光量子效率高，应用在蒽基深蓝光oled器件中，发光效率高、色坐标较好。
2、本专利技术的技术方案是：
3、一种蒽基深蓝光材料的合成方法，所述蒽基深蓝光材料的结构式为：所述蒽基深蓝光材料的合成方法按以下步骤进行：
4、(1)向单口瓶中加入9，10-二溴蒽、4-氰基苯硼酸、四(三苯基膦)钯、碳酸钾及甲苯、乙醇和水的混合溶剂，搅拌均匀，氮气置换3-5次，搅拌反应冷却至室温，浓缩，二氯甲烷和水萃取，有机相经过干法过柱得到中间体1。制备工艺如下：
5、
6、(2)向单口瓶中加入中间体1、噻吩硼酸衍生物、四(三苯基膦)钯、碳酸钾及甲苯、乙醇和水的混合溶剂，搅拌均匀，氮气置换3-5次，在115-125℃下反应8-15h，冷却，浓缩，二氯甲烷和水萃取，有机相经过干法过柱得到蒽基深蓝光材料。制备工艺如下：
7、
8、优选的，所述步骤(1)中各物质的摩尔比为：9，10-二溴蒽：4-氰基苯硼酸：四(三苯基膦)钯：碳酸钾＝1：(0.95-1.1)：(0.015-0.03)：(4-5)。
9、优选的，所述步骤(1)中反应温度为110-130℃，反应时间为10-16h。
10、优选的，所述步骤(2)中噻吩硼酸衍生物为结构式为的二苯并[b，d]噻吩-4-基硼酸；或结构式为的二苯并[b，d]噻吩-2-基硼酸。
11、优选的，所述步骤(1)中各物质的摩尔比为：中间体1：噻吩硼酸衍生物：四(三苯基膦)钯：碳酸钾＝1：(1.3-1.8)：(0.04-0.07)：(7-9)。
12、优选的，sl、将ito玻璃基板分别用丙酮、乙醇和去离子水超声清洗10-30min，在110-130℃的烘箱中烘干，用紫外臭氧等离子体发生器处理20-40min，得到处理后的ito玻璃基板。
13、s2、在真空度为4×10-4-6×10-4pa的条件下，在处理后的阳极ito基板上依次真空蒸镀空穴注入层2，3，6，7，10，11-六氰基-1，4，5，8，9，12-六氮杂苯并菲、空穴传输层4，4′-环己基二[n，n-二(4-甲基苯基)苯胺]、电子阻挡层4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺，发光层蒽基深蓝光材料、电子传输层3，3′-[5′-[3-(3-吡啶基)苯基][1，1′：3′，1″-三联苯]-3，3″-二基]二吡啶、电子注入层氟化锂，接着在电子注入层上真空蒸镀阴极铝，得到蒽基深蓝光oled器件。
14、优选的，紫外臭氧等离子体发生器中臭氧气体浓度为75-85％，流量为4-6l/min。
15、优选的，所述空穴注入层2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(hatcn)的结构式为：空穴传输层4,4'-环己基二[n,n-二(4-甲基苯基)苯胺](tapc)的结构式为：电子阻挡层4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺(tcta)的结构式为电子传输层3,3'-[5'-[3-(3-吡啶基)苯基][1,1':3',1”-三联苯]-3,3”-二基]二吡啶(tmpypb)的结构式为
16、优选的，oled器件的空穴注入层hatcn厚度为5nm，空穴传输层tapc厚度为40nm，电子阻挡层tcta的厚度为5nm，发光层厚度为20nm，电子传输层tmpypb的厚度为40nm，电子注入层lif的厚度为1nm。
17、本专利技术的有益的技术效果是：
18、本专利技术制备的蒽基深蓝光材料中的蒽核具有稳定的电化学性能，氰基的吸电子特性可以有效降低oled器件的电子注入势垒，二苯并噻吩具有较大的共轭π平面结构，可以有效的传输电子，从而能够实现深蓝光发射，通过简便的合成过程，获得了两种新型的二苯并噻吩及苯氰基修饰的蒽基深蓝光分子2和3，通过核磁及高分辨质谱对它们的结构进行了表征，并详细研究了它们的光物理及电致发光性能，蒽基深蓝光材料2和3失重5％时的温度分别为384和386℃，这表明两个蒽基深蓝光材料具有较高的热稳定性；通过循环伏安法测试到的蒽基深蓝光材料2和3能隙eg分别为2.90和2.87ev，lumo能级分别为-2.83和-2.79ev，均表现出可逆的氧化过程，表明它们具有较高的电化学稳定性；蒽基深蓝光材料2的最低单重态(s1)和最低三重态(t1)能级分别为3.13和1.73ev，蒽基深蓝光材料3的分别为3.12和1.73ev，两个蒽基深蓝光材料的2e(t1)>e(s1)，支持三线态-三线态湮灭(tta)过程的发生，蒽基深蓝光材料2和3在纯膜中的plqy分别为40.2％和57.9％。
19、基于蒽基深蓝光oled器件a和b均获得了深蓝光发射(电致发光峰分别为448和458nm)，器件的最大eqe分别为3.8％和5.6％、最大ce分别为4.2和6.9cd/a，最大pe分别为2.3和3.6lm/w；在1000cdm-2亮度下，两个器件的ce分别为4.1和6.7cda-1，pe分别为1.7和2.8lm/w，eqe分别为3.7％和5.4％，由此可见，两个器件均表现出极低的效率滚降，就eqe而言，器件a和b的效率滚降分别低至2.0％和3.5％；较低本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种蒽基深蓝光材料的合成方法，其特征在于，所述蒽基深蓝光材料的结构式为：所述蒽基深蓝光材料的合成方法按以下步骤进行：
2.根据权利要求2所述的蒽基深蓝光材料的合成方法，其特征在于，所述步骤(1)中各物质的摩尔比为：9，10-二溴蒽∶4-氰基苯硼酸∶四(三苯基膦)钯∶碳酸钾＝1∶(0.95-1.1)∶(0.015-0.03)∶(4-5)。
3.根据权利要求2所述的蒽基深蓝光材料的合成方法，其特征在于，所述步骤(1)中反应温度为110-130℃，反应时间为10-16h。
4.根据权利要求2所述的蒽基深蓝光材料的合成方法，其特征在于，所述步骤(2)中噻吩硼酸衍生物为结构式为的二苯并[b，d]噻吩-4-基硼酸；或结构式为的二苯并[b，d]噻吩-2-基硼酸。
5.根据权利要求2所述的蒽基深蓝光材料的合成方法，其特征在于，所述步骤(1)中各物质的摩尔比为：中间体1∶噻吩硼酸衍生物∶四(三苯基膦)钯∶碳酸钾＝1∶(1.3-1.8)∶(0.04-0.07)∶(7-9)。
6.根据权利要求1-5任一项所述的合成方法得到的蒽基深蓝光材料
7.根据权利要求7所述的蒽基深蓝光材料的在OLED中的应用，其特征在于，紫外臭氧等离子体发生器中臭氧气体浓度为75-85％，流量为4-6L/min。
8.根据权利要求7所述的蒽基深蓝光材料的在OLED中的应用，其特征在于，所述空穴注入层2，3，6，7，10，11-六氰基-1，4，5，8，9，12-六氮杂苯并菲的结构式为：空穴传输层4，4′-环己基二[N，N-二(4-甲基苯基)苯胺]的结构式为，电子阻挡层4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺的结构式为电子传输层3，3′-[5′-[3-(3-吡啶基)苯基][1，1′：3′，1″-三联苯]-3，3″-二基]二吡啶的结构式为
...【技术特征摘要】
1.一种蒽基深蓝光材料的合成方法，其特征在于，所述蒽基深蓝光材料的结构式为：所述蒽基深蓝光材料的合成方法按以下步骤进行：
2.根据权利要求2所述的蒽基深蓝光材料的合成方法，其特征在于，所述步骤(1)中各物质的摩尔比为：9，10-二溴蒽∶4-氰基苯硼酸∶四(三苯基膦)钯∶碳酸钾＝1∶(0.95-1.1)∶(0.015-0.03)∶(4-5)。
3.根据权利要求2所述的蒽基深蓝光材料的合成方法，其特征在于，所述步骤(1)中反应温度为110-130℃，反应时间为10-16h。
4.根据权利要求2所述的蒽基深蓝光材料的合成方法，其特征在于，所述步骤(2)中噻吩硼酸衍生物为结构式为的二苯并[b，d]噻吩-4-基硼酸；或结构式为的二苯并[b，d]噻吩-2-基硼酸。
5.根据权利要求2所述的蒽基深蓝光材料的合成方法，其特征在于，所述步骤(1)中各物质的摩尔比为：中间体1∶...
【专利技术属性】
技术研发人员：张越华，邢龙江，霍延平，聂飞，陈文铖，穆英啸，
申请(专利权)人：广州城市职业学院，
类型：发明
国别省市：
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